Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
M5M5V108DKV-70HIST | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
2SK4092-S35-A | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P (MP-88) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5FM(0)-T1-AY | Renesas | Description: RD7.5FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1 |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5SL(0)-T1-AT | Renesas | Description: RD7.5SL - ZENER DIODES 200 MW |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5MW(0)-T2B-A | Renesas | Description: RD7.5MW(0)-T2B-A - ZENER DIODES |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5S(0)-T1-AT | Renesas | Description: RD7.5S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20 |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
RD7.5M-T1B-A | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: SC-59 |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
RD7.5UM(0)-T1-A | Renesas | Description: RD7.5UM(0)-T1-A - ZENER DIODES 2 |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5FS-T1-AY | Renesas | Description: RD7.5FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5SL-T1-A | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5UM-T1-A | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5M-T2B-A | Renesas | Description: RD7.5M-T2B-A - ZENER DIODES 200 |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5UM-T1-AT | Renesas | Description: RD7.5UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PI |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5P-T2-AZ | Renesas | Description: RD7.5P-T2-AZ - 1W POWER MINI MOL |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5S-T1-AT | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold |
на замовлення 396577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5FM(0)-T1-AZ | Renesas | Description: RD7.5FM(0)-T1-AZ - ZENER DIODES1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5UJ-T1-A | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 2-SMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5MW(0)-T1B-A | Renesas | Description: RD7.5MW(0)-T1B-A - ZENER DIODES |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5S-T1-A | Renesas | Description: RD7.5S - 200MW ZENER DIODE |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5MW-T1B-AT | Renesas | Description: RD7.5MW-T1B-AT - ZENER DIODES 20 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5MW-T1B-A | Renesas | Description: RD7.5MW-T1B-A - ZENER DIODES 200 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5FM-T1-AY | Renesas | Description: RD7.5FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RD7.5P-T1-AZ | Renesas | Description: RD7.5P-T1-AZ - 1W POWER MINI MOL |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HD6473827WV | Renesas |
Description: HD6473827WV - MCU 8BIT H8/300L H Packaging: Bulk Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HD6473827HV | Renesas |
Description: HD6473827HV - MCU 8BIT H8/300L H Packaging: Bulk Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
2SD1579-T-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 60MHz Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
NP110N055PUJ-E1B-AY | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
2SK3455B-S17-AY | Renesas |
Description: 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220 (MP-45F) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
M51957BL#TF0J | Renesas |
Description: POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, FI Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
M51957BFP#CF0R | Renesas |
Description: POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, FI Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
2SK2498-AZ | Renesas |
Description: 2SK2498 - SWITCHING N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 10 V |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
2SK2109-T1-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-62 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 10 V |
на замовлення 6956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
R7F7010223AFE#AA4 | Renesas | Description: R7F7010223AFE - RH850G3K 32BIT M |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HAT2205C-EL-E | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 6-CMFPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
2SA1871-T1-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: MP-2 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 5477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
UPC494C-A | Renesas |
Description: UPC494C - DUAL OPERATIONAL AMPLI Packaging: Bulk Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Transistor Driver Mounting Type: Through Hole Function: Step-Down Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 1kHz ~ 300kHz Topology: Buck Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 40V Supplier Device Package: 16-DIP Synchronous Rectifier: No Control Features: Dead Time Control, Frequency Control Output Phases: 1 Duty Cycle (Max): 49% Clock Sync: Yes Number of Outputs: 1 |
на замовлення 18522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
2SK3435-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
2SK3435-Z-AZ | Renesas |
Description: 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
HAT3043C-EL-E | Renesas | Description: HAT3043C - NCH/PCH DUAL POWER MO |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HD6417040AF28V | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 112-BQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 28MHz RAM Size: 2K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: ROMless Core Processor: SH-2 Data Converters: A/D 8x10b Core Size: 32-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4V ~ 5.5V Connectivity: EBI/EMI, SCI, UART/USART Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 112-QFP (20x20) Part Status: Obsolete Number of I/O: 74 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RJK6012DPP-E0#T2 | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
2SK3431-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 10 V |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
HZM7.5NB3TR-E | Renesas | Description: HZM7.5N - ZENER DIODE |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
2SK3447TZ-E | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
2SB601-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
NP32N055SDE-E1-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 3719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HSM123JTR-E | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
RKZ18TWAJQE#H1 | Renesas | Description: RKZ18T - ZENER DIODE, 18V, 9.24% |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
RKZ27TWAJQE#H1 | Renesas |
![]() |
на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
RKZ16TWAJQE#H1 | Renesas |
![]() |
на замовлення 4692000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
RKZ27TWAQE#H1 | Renesas |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SA812B-T1B-AT | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: 3-MINIMOLD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
2SC3380ASTR-E | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 20V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: UPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HD6473802HV | Renesas |
Description: IC MCU 8BIT 16KB PROM 64QFP Packaging: Bulk Package / Case: 64-BQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 16MHz Program Memory Size: 16KB (16K x 8) RAM Size: 1K x 8 Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA) Oscillator Type: External, Internal Program Memory Type: PROM Core Processor: H8/300L Data Converters: A/D 4x10b SAR Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V Connectivity: SCI Peripherals: LCD, PWM, WDT Supplier Device Package: 64-QFP (14x14) Number of I/O: 39 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
HD64F38024RWV | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 80-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 10MHz Program Memory Size: 32KB (32K x 8) RAM Size: 1K x 8 Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: H8/300L Data Converters: A/D 8x10b SAR Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V Connectivity: SCI, UART/USART Peripherals: LCD, PWM, WDT Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12) Number of I/O: 51 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
R5F212BASYFA#V2 | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
R5F212BASYFP#V2 | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
2SK3433(0)-Z-E1-AZ | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
RQA0004LXAQS#H1 | Renesas | Description: RQA0004LXAQS - N CHANNEL MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: MP-25K Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
M5M5V108DKV-70HIST |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 414.02 грн |
2SK4092-S35-A |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SK4092-S35-A - SWITCHING N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P (MP-88)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Description: 2SK4092-S35-A - SWITCHING N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P (MP-88)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
106+ | 216.31 грн |
RD7.5FM(0)-T1-AY |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1
Description: RD7.5FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1421+ | 15.48 грн |
RD7.5SL(0)-T1-AT |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5SL - ZENER DIODES 200 MW
Description: RD7.5SL - ZENER DIODES 200 MW
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3756+ | 5.86 грн |
RD7.5MW(0)-T2B-A |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5MW(0)-T2B-A - ZENER DIODES
Description: RD7.5MW(0)-T2B-A - ZENER DIODES
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2747+ | 8.09 грн |
RD7.5S(0)-T1-AT |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20
Description: RD7.5S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3785+ | 5.81 грн |
RD7.5M-T1B-A |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5M - 200MW ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
Description: RD7.5M - 200MW ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SC-59
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2166+ | 10.26 грн |
RD7.5UM(0)-T1-A |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5UM(0)-T1-A - ZENER DIODES 2
Description: RD7.5UM(0)-T1-A - ZENER DIODES 2
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3289+ | 6.69 грн |
RD7.5FS-T1-AY |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0
Description: RD7.5FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
718+ | 30.62 грн |
RD7.5SL-T1-A |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5SL-T1-A - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
Description: RD7.5SL-T1-A - ZENER DIODES 200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3925+ | 5.86 грн |
RD7.5UM-T1-A |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
Description: RD7.5UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2971+ | 7.32 грн |
RD7.5M-T2B-A |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5M-T2B-A - ZENER DIODES 200
Description: RD7.5M-T2B-A - ZENER DIODES 200
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2347+ | 9.47 грн |
RD7.5UM-T1-AT |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PI
Description: RD7.5UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PI
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3219+ | 6.84 грн |
RD7.5P-T2-AZ |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5P-T2-AZ - 1W POWER MINI MOL
Description: RD7.5P-T2-AZ - 1W POWER MINI MOL
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
908+ | 25.69 грн |
RD7.5S-T1-AT |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
Description: RD7.5S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 396577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3925+ | 6.02 грн |
RD7.5FM(0)-T1-AZ |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5FM(0)-T1-AZ - ZENER DIODES1
Description: RD7.5FM(0)-T1-AZ - ZENER DIODES1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1421+ | 15.48 грн |
RD7.5UJ-T1-A |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP B
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
Description: RD7.5UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP B
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2812+ | 7.79 грн |
RD7.5MW(0)-T1B-A |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5MW(0)-T1B-A - ZENER DIODES
Description: RD7.5MW(0)-T1B-A - ZENER DIODES
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2747+ | 8.09 грн |
RD7.5S-T1-A |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5S - 200MW ZENER DIODE
Description: RD7.5S - 200MW ZENER DIODE
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3517+ | 6.26 грн |
RD7.5MW-T1B-AT |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5MW-T1B-AT - ZENER DIODES 20
Description: RD7.5MW-T1B-AT - ZENER DIODES 20
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2210+ | 10.05 грн |
RD7.5MW-T1B-A |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5MW-T1B-A - ZENER DIODES 200
Description: RD7.5MW-T1B-A - ZENER DIODES 200
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2210+ | 10.05 грн |
RD7.5FM-T1-AY |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W
Description: RD7.5FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1512+ | 14.55 грн |
RD7.5P-T1-AZ |
Виробник: Renesas
Description: RD7.5P-T1-AZ - 1W POWER MINI MOL
Description: RD7.5P-T1-AZ - 1W POWER MINI MOL
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
908+ | 24.22 грн |
HD6473827WV |
Виробник: Renesas
Description: HD6473827WV - MCU 8BIT H8/300L H
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: HD6473827WV - MCU 8BIT H8/300L H
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 1381.09 грн |
HD6473827HV |
Виробник: Renesas
Description: HD6473827HV - MCU 8BIT H8/300L H
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: HD6473827HV - MCU 8BIT H8/300L H
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 1381.09 грн |
2SD1579-T-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: TRANS NPN DARL 80V 1.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 60MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN DARL 80V 1.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 60MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
188+ | 117.17 грн |
NP110N055PUJ-E1B-AY |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 413.74 грн |
2SK3455B-S17-AY |
Виробник: Renesas
Description: 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220 (MP-45F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
Description: 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220 (MP-45F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
95+ | 232.87 грн |
M51957BL#TF0J |
Виробник: Renesas
Description: POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, FI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, FI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
M51957BFP#CF0R |
Виробник: Renesas
Description: POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, FI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT, FI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2SK2498-AZ |
Виробник: Renesas
Description: 2SK2498 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 10 V
Description: 2SK2498 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 10 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
90+ | 245.31 грн |
2SK2109-T1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-62
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 10 V
Description: 2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-62
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 10 V
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
640+ | 34.42 грн |
R7F7010223AFE#AA4 |
Виробник: Renesas
Description: R7F7010223AFE - RH850G3K 32BIT M
Description: R7F7010223AFE - RH850G3K 32BIT M
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
64+ | 373.40 грн |
HAT2205C-EL-E |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CMFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Description: HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CMFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1086+ | 20.45 грн |
2SA1871-T1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: MP-2
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 2 W
Description: 2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: MP-2
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
373+ | 61.21 грн |
UPC494C-A |
Виробник: Renesas
Description: UPC494C - DUAL OPERATIONAL AMPLI
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Through Hole
Function: Step-Down
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1kHz ~ 300kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 40V
Supplier Device Package: 16-DIP
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Dead Time Control, Frequency Control
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 49%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
Description: UPC494C - DUAL OPERATIONAL AMPLI
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Through Hole
Function: Step-Down
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 1kHz ~ 300kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 40V
Supplier Device Package: 16-DIP
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Dead Time Control, Frequency Control
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 49%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 18522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
307+ | 71.84 грн |
2SK3435-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Description: 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
116+ | 197.60 грн |
2SK3435-Z-AZ |
Виробник: Renesas
Description: 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Description: 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HAT3043C-EL-E |
Виробник: Renesas
Description: HAT3043C - NCH/PCH DUAL POWER MO
Description: HAT3043C - NCH/PCH DUAL POWER MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
965+ | 23.73 грн |
HD6417040AF28V |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: IC MCU 32BIT ROMLESS 112QFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 112-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 28MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: SH-2
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SCI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 112-QFP (20x20)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 74
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32BIT ROMLESS 112QFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 112-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 28MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: SH-2
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SCI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 112-QFP (20x20)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 74
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 3996.06 грн |
RJK6012DPP-E0#T2 |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Description: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
104+ | 220.12 грн |
2SK3431-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 10 V
Description: 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 10 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
105+ | 217.36 грн |
HZM7.5NB3TR-E |
Виробник: Renesas
Description: HZM7.5N - ZENER DIODE
Description: HZM7.5N - ZENER DIODE
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2045+ | 10.86 грн |
2SK3447TZ-E |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
Description: 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
728+ | 31.16 грн |
2SB601-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
201+ | 114.00 грн |
NP32N055SDE-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
281+ | 77.66 грн |
HSM123JTR-E |
![]() |
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1803+ | 13.50 грн |
RKZ18TWAJQE#H1 |
Виробник: Renesas
Description: RKZ18T - ZENER DIODE, 18V, 9.24%
Description: RKZ18T - ZENER DIODE, 18V, 9.24%
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1466+ | 14.81 грн |
RKZ27TWAJQE#H1 |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RKZ27T - ZENER DIODE, 27V, 9.18%
Description: RKZ27T - ZENER DIODE, 27V, 9.18%
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1353+ | 16.29 грн |
RKZ16TWAJQE#H1 |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RKZ16T - ZENER DIODE, 16V, 9.38%
Description: RKZ16T - ZENER DIODE, 16V, 9.38%
на замовлення 4692000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1466+ | 14.81 грн |
RKZ27TWAQE#H1 |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: RKZ27T - ZENER DIODE, 27V, 9.18%
Description: RKZ27T - ZENER DIODE, 27V, 9.18%
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1353+ | 16.29 грн |
2SA812B-T1B-AT |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: 2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4121+ | 4.99 грн |
2SC3380ASTR-E |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: TRANS NPN 300V 0.1A UPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: UPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 300V 0.1A UPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: UPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
911+ | 24.17 грн |
HD6473802HV |
Виробник: Renesas
Description: IC MCU 8BIT 16KB PROM 64QFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: PROM
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 4x10b SAR
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: SCI
Peripherals: LCD, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFP (14x14)
Number of I/O: 39
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT 16KB PROM 64QFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: PROM
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 4x10b SAR
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: SCI
Peripherals: LCD, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFP (14x14)
Number of I/O: 39
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 813.03 грн |
HD64F38024RWV |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 80TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 8x10b SAR
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: SCI, UART/USART
Peripherals: LCD, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 80TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 8x10b SAR
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: SCI, UART/USART
Peripherals: LCD, PWM, WDT
Supplier Device Package: 80-TQFP (12x12)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 997.37 грн |
R5F212BASYFA#V2 |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: R8C/2B - 16-BIT MICROCONTROLLERS
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: R8C/2B - 16-BIT MICROCONTROLLERS
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 889.60 грн |
R5F212BASYFP#V2 |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: R8C/2B - 16-BIT MICROCONTROLLERS
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: R8C/2B - 16-BIT MICROCONTROLLERS
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 889.60 грн |
2SK3433(0)-Z-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: 2SK3433 - SWITCHING N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Description: 2SK3433 - SWITCHING N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
226+ | 101.08 грн |
RQA0004LXAQS#H1 |
Виробник: Renesas
Description: RQA0004LXAQS - N CHANNEL MOSFET
Description: RQA0004LXAQS - N CHANNEL MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
639+ | 34.74 грн |
NP80N06MLG-S18-AY |
![]() |
Виробник: Renesas
Description: NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
151+ | 146.45 грн |