Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (106405) > Сторінка 138 з 1774

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 177 354 531 708 885 1062 1239 1416 1593 1770 1774  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RTQ035P02TR RTQ035P02TR Rohm Semiconductor RTQ035P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TR RTQ040P02TR Rohm Semiconductor RTQ040P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR RTQ045N03TR Rohm Semiconductor description Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02TL RTR020P02TL Rohm Semiconductor RTR020P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TL RTR025N03TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR025N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02TL RTR025P02TL Rohm Semiconductor RTR025P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030P02TL RTR030P02TL Rohm Semiconductor RTR030P02%20.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTU002P02T106 RTU002P02T106 Rohm Semiconductor RTU002P02_Spec.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10TB SP8M10TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M10&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1 SH8M4TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5TB SP8M5TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6TB SP8M6TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7TB SP8M7TB Rohm Semiconductor SP8M7.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8TB SP8M8TB Rohm Semiconductor SP8M8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M9TB SP8M9TB Rohm Semiconductor SP8M9.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1TR US5U1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US5U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29TR US5U29TR Rohm Semiconductor US5U29.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TR US5U2TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US5U2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U30TR US5U30TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US5U30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6J2TR US6J2TR Rohm Semiconductor US6J2%20.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR US6K1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
6000+14.45 грн
9000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K2TR US6K2TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6K2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.03 грн
6000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6M1TR US6M1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6M2TR US6M2TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.71 грн
9000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RLS4148TE-11 RLS4148TE-11 Rohm Semiconductor rls4148.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 150MA LLDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: LLDS
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2504TL 2SK2504TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SK2504&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2731T146 2SK2731T146 Rohm Semiconductor 2sk2731.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.64 грн
100+14.36 грн
500+10.13 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2887TL 2SK2887TL Rohm Semiconductor 2sk2887.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 80154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.30 грн
50+11.73 грн
100+9.62 грн
500+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1T2R EM6K1T2R Rohm Semiconductor EM6K1_RevC.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.44 грн
100+18.93 грн
500+13.52 грн
1000+12.15 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR QS6K1TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.49 грн
500+19.93 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHU002N06T106 RHU002N06T106 Rohm Semiconductor rhu002n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.89 грн
100+8.73 грн
500+6.07 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TR RSQ025P03TR Rohm Semiconductor rsq025p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03TR RSQ035P03TR Rohm Semiconductor rsq035p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+47.48 грн
100+32.40 грн
500+24.15 грн
1000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03TL RSR025N03TL Rohm Semiconductor rsr025n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.91 грн
100+26.70 грн
500+19.31 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS040P03TB RSS040P03TB Rohm Semiconductor rss040p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS050P03TB RSS050P03TB Rohm Semiconductor rss050p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS090P03TB RSS090P03TB Rohm Semiconductor rss090p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS105N03TB RSS105N03TB Rohm Semiconductor rss105n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS125N03TB RSS125N03TB Rohm Semiconductor rss125n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS130N03TB RSS130N03TB Rohm Semiconductor rss130n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6K2T110 SM6K2T110 Rohm Semiconductor sm6k2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
11+29.59 грн
100+18.98 грн
500+13.52 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J1TB SP8J1TB Rohm Semiconductor sp8j1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J2TB SP8J2TB Rohm Semiconductor sp8j2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J3TB SP8J3TB Rohm Semiconductor sp8j3.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J4TB SP8J4TB Rohm Semiconductor sp8j4.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J5TB SP8J5TB Rohm Semiconductor sp8j5.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1TB SP8K1TB Rohm Semiconductor sp8k1.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2TB SP8K2TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB SP8K3TB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TB SP8K4TB Rohm Semiconductor sp8k4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TB SP8K5TB Rohm Semiconductor sp8k5.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TR QS5U12TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+46.95 грн
100+30.72 грн
500+22.26 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TR QS5U13TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.70 грн
100+28.49 грн
500+20.58 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR QS5U17TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.10 грн
100+30.82 грн
500+22.35 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TR QS5U26TR Rohm Semiconductor qs5u26tr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TR QS5U27TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U27&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+45.74 грн
100+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TR QS5U28TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U28&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.02 грн
100+33.46 грн
500+24.32 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TR QS6J3TR Rohm Semiconductor QS6J3.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TR QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.31 грн
50+29.60 грн
100+24.54 грн
500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ035P02TR RTQ035P02.pdf
RTQ035P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ040P02TR RTQ040P02.pdf
RTQ040P02TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTQ045N03TR description
RTQ045N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02TL RTR020P02.pdf
RTR020P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TL datasheet?p=RTR025N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR025N03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02TL RTR025P02.pdf
RTR025P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030P02TL RTR030P02%20.pdf
RTR030P02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTU002P02T106 RTU002P02_Spec.pdf
RTU002P02T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10TB datasheet?p=SP8M10&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M10TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1 datasheet?p=SH8M4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8M4TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5TB datasheet?p=SP8M5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M5TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6TB datasheet?p=SP8M6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8M6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7TB SP8M7.pdf
SP8M7TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8TB SP8M8.pdf
SP8M8TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M9TB SP8M9.pdf
SP8M9TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1TR datasheet?p=US5U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US5U1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29TR US5U29.pdf
US5U29TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TR datasheet?p=US5U2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US5U2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U30TR datasheet?p=US5U30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US5U30TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6J2TR US6J2%20.pdf
US6J2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K1TR datasheet?p=US6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.83 грн
6000+14.45 грн
9000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6K2TR datasheet?p=US6K2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.03 грн
6000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6M1TR datasheet?p=US6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6M1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US6M2TR datasheet?p=US6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6M2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.71 грн
9000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RLS4148TE-11 rls4148.pdf
RLS4148TE-11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 75V 150MA LLDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: LLDS
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2504TL datasheet?p=2SK2504&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SK2504TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2731T146 2sk2731.pdf
2SK2731T146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.41 грн
14+22.64 грн
100+14.36 грн
500+10.13 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2887TL 2sk2887.pdf
2SK2887TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 80154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
19+16.30 грн
50+11.73 грн
100+9.62 грн
500+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K1T2R EM6K1_RevC.pdf
EM6K1T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.38 грн
11+29.44 грн
100+18.93 грн
500+13.52 грн
1000+12.15 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6K1TR datasheet?p=QS6K1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+42.04 грн
100+27.49 грн
500+19.93 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RHU002N06T106 rhu002n06.pdf
RHU002N06T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
22+13.89 грн
100+8.73 грн
500+6.07 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ025P03TR rsq025p03.pdf
RSQ025P03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ035P03TR rsq035p03.pdf
RSQ035P03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.62 грн
10+47.48 грн
100+32.40 грн
500+24.15 грн
1000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025N03TL rsr025n03.pdf
RSR025N03TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+40.91 грн
100+26.70 грн
500+19.31 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSS040P03TB rss040p03.pdf
RSS040P03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS050P03TB rss050p03.pdf
RSS050P03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS090P03TB rss090p03.pdf
RSS090P03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS105N03TB rss105n03.pdf
RSS105N03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS125N03TB rss125n03.pdf
RSS125N03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS130N03TB rss130n03.pdf
RSS130N03TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM6K2T110 sm6k2.pdf
SM6K2T110
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 11456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.16 грн
11+29.59 грн
100+18.98 грн
500+13.52 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J1TB sp8j1.pdf
SP8J1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J2TB sp8j2.pdf
SP8J2TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J3TB sp8j3.pdf
SP8J3TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J4TB sp8j4.pdf
SP8J4TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8J5TB sp8j5.pdf
SP8J5TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1TB sp8k1.pdf
SP8K1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2TB datasheet?p=SP8K2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K2TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.44 грн
10+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB datasheet?p=SP8K3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SP8K3TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TB sp8k4.pdf
SP8K4TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5TB sp8k5.pdf
SP8K5TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U12TR datasheet?p=QS5U12&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U12TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.38 грн
10+46.95 грн
100+30.72 грн
500+22.26 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U13TR datasheet?p=QS5U13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.89 грн
10+43.70 грн
100+28.49 грн
500+20.58 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U17TR datasheet?p=QS5U17&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U17TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 10 V
на замовлення 8472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.38 грн
10+47.10 грн
100+30.82 грн
500+22.35 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U26TR qs5u26tr-e.pdf
QS5U26TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U27TR datasheet?p=QS5U27&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U27TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 10 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+45.74 грн
100+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5U28TR datasheet?p=QS5U28&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U28TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.65 грн
10+51.02 грн
100+33.46 грн
500+24.32 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J3TR QS6J3.pdf
QS6J3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6M3TR QS6M3.pdf
QS6M3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.41 грн
10+40.31 грн
50+29.60 грн
100+24.54 грн
500+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 177 354 531 708 885 1062 1239 1416 1593 1770 1774  [ Наступна Сторінка >> ]