Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104262) > Сторінка 363 з 1738

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 519 692 865 1038 1211 1384 1557 1730 1738  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PTZTE255.6A PTZTE255.6A Rohm Semiconductor ptz_series_spec.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-175.6B UDZTE-175.6B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.2 TDZTR6.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.8 TDZTR6.8 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR7.5 TDZTR7.5 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR8.2 TDZTR8.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM960-H14E3A Rohm Semiconductor RPM960-H14.pdf Description: MODULE IRDA 1152KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM873-E2 Rohm Semiconductor RPM873.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM870-H14E2 Rohm Semiconductor RPM870-H14.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM872-E2A Rohm Semiconductor RPM872.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM882-H14E2 Rohm Semiconductor RPM882-H14.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM882-H12E4 Rohm Semiconductor RPM882-H12.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM872-H12E4A Rohm Semiconductor RPM872-H12.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM873-E2A Rohm Semiconductor RPM873.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM873-E4A Rohm Semiconductor RPM873.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM871-E4A RPM871-E4A Rohm Semiconductor RPM871.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM870-H14E2A Rohm Semiconductor RPM870-H14.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM871-E4 Rohm Semiconductor RPM871.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM973-H11E2A RPM973-H11E2A Rohm Semiconductor RPM973-H11.pdf Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm
Data Rate: 4Mbs (FIR)
Standards: IrDA 1.4
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM973-H16E4A RPM973-H16E4A Rohm Semiconductor RPM973-H16.pdf Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TR QS6J11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.16 грн
16000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TL RUR020N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR020N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
6000+11.34 грн
9000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C020UNT2R RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1C020UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03FU6TB RSS100N03FU6TB Rohm Semiconductor rss100n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS105N03FU6TB RSS105N03FU6TB Rohm Semiconductor rss105n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS110N03FU6TB RSS110N03FU6TB Rohm Semiconductor rss110n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS120N03FU6TB RSS120N03FU6TB Rohm Semiconductor rss120n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS125N03FU6TB RSS125N03FU6TB Rohm Semiconductor rss125n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS130N03FU6TB RSS130N03FU6TB Rohm Semiconductor rss130n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5016ANX R5016ANX Rohm Semiconductor r5016anx.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL RSR020N06TL Rohm Semiconductor rsr020n06-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS080N05FU6TB RSS080N05FU6TB Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5FU6TB SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor sp8k5.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31TB1 SP8K31TB1 Rohm Semiconductor sp8k31.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1FU6TB SP8K1FU6TB Rohm Semiconductor sp8k1.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2FU6TB SP8K2FU6TB Rohm Semiconductor sp8k2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FU6TB SP8K3FU6TB Rohm Semiconductor sp8k3.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4FU6TB SP8K4FU6TB Rohm Semiconductor sp8k4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K22FU6TB SP8K22FU6TB Rohm Semiconductor sp8k22.pdf Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K24FU6TB SP8K24FU6TB Rohm Semiconductor sp8k24.pdf Description: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
US6M11TR US6M11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.92 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M2TR TT8M2TR Rohm Semiconductor TT8M2.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2FU6TB SP8M2FU6TB Rohm Semiconductor sp8m2.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FU6TB SP8M6FU6TB Rohm Semiconductor SP8M6.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7FU6TB SP8M7FU6TB Rohm Semiconductor SP8M7.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FU6TB SP8M8FU6TB Rohm Semiconductor SP8M8.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FU6TB SP8M5FU6TB Rohm Semiconductor SP8M5.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FU6TB SP8M10FU6TB Rohm Semiconductor SP8M10.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M9FU6TB SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor SP8M9.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FU6TB SP8M4FU6TB Rohm Semiconductor SP8M4.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD130P10TL RSD130P10TL Rohm Semiconductor RSD130P10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL RZR020P01TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL RZF020P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
6000+13.79 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTR RQ1A060ZPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1A060ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.80 грн
6000+24.92 грн
15000+24.00 грн
30000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L RZM002P02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.41 грн
16000+3.21 грн
24000+3.14 грн
40000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RRS100P03TB1 RRS100P03TB1 Rohm Semiconductor Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS040P03FU6TB RSS040P03FU6TB Rohm Semiconductor rss040p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS050P03FU6TB RSS050P03FU6TB Rohm Semiconductor rss050p03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE255.6A ptz_series_spec.pdf
PTZTE255.6A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UDZTE-175.6B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-175.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.2 tdz10.pdf
TDZTR6.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR6.8 tdz10.pdf
TDZTR6.8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR7.5 tdz10.pdf
TDZTR7.5
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDZTR8.2 tdz10.pdf
TDZTR8.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM960-H14E3A RPM960-H14.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 1152KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM873-E2 RPM873.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM870-H14E2 RPM870-H14.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM872-E2A RPM872.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM882-H14E2 RPM882-H14.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM882-H12E4 RPM882-H12.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM872-H12E4A RPM872-H12.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM873-E2A RPM873.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM873-E4A RPM873.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM871-E4A RPM871.pdf
RPM871-E4A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM870-H14E2A RPM870-H14.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM871-E4 RPM871.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM973-H11E2A RPM973-H11.pdf
RPM973-H11E2A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm
Data Rate: 4Mbs (FIR)
Standards: IrDA 1.4
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RPM973-H16E4A RPM973-H16.pdf
RPM973-H16E4A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TR datasheet?p=QS6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6J11TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.16 грн
16000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TL datasheet?p=RUR020N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR020N02TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.73 грн
6000+11.34 грн
9000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C020UNT2R datasheet?p=RW1C020UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1C020UNT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS100N03FU6TB rss100n03.pdf
RSS100N03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS105N03FU6TB rss105n03.pdf
RSS105N03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS110N03FU6TB rss110n03.pdf
RSS110N03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS120N03FU6TB rss120n03.pdf
RSS120N03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS125N03FU6TB rss125n03.pdf
RSS125N03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS130N03FU6TB rss130n03.pdf
RSS130N03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5016ANX r5016anx.pdf
R5016ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR020N06TL rsr020n06-e.pdf
RSR020N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS080N05FU6TB
RSS080N05FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5FU6TB sp8k5.pdf
SP8K5FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31TB1 sp8k31.pdf
SP8K31TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K1FU6TB sp8k1.pdf
SP8K1FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2FU6TB sp8k2.pdf
SP8K2FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FU6TB sp8k3.pdf
SP8K3FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4FU6TB sp8k4.pdf
SP8K4FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K22FU6TB sp8k22.pdf
SP8K22FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K24FU6TB sp8k24.pdf
SP8K24FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6M2T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
US6M11TR datasheet?p=US6M11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6M11TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.92 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M2TR TT8M2.pdf
TT8M2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M2FU6TB sp8m2.pdf
SP8M2FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M6FU6TB SP8M6.pdf
SP8M6FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M7FU6TB SP8M7.pdf
SP8M7FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M8FU6TB SP8M8.pdf
SP8M8FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M5FU6TB SP8M5.pdf
SP8M5FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M10FU6TB SP8M10.pdf
SP8M10FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M9FU6TB SP8M9.pdf
SP8M9FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8M4FU6TB SP8M4.pdf
SP8M4FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD130P10TL RSD130P10.pdf
RSD130P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZR020P01TL
RZR020P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF020P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.60 грн
6000+13.79 грн
9000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A060ZPTR datasheet?p=RQ1A060ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1A060ZPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.80 грн
6000+24.92 грн
15000+24.00 грн
30000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM002P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.41 грн
16000+3.21 грн
24000+3.14 грн
40000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RRS100P03TB1
RRS100P03TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS040P03FU6TB rss040p03.pdf
RSS040P03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSS050P03FU6TB rss050p03.pdf
RSS050P03FU6TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 173 346 358 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 519 692 865 1038 1211 1384 1557 1730 1738  [ Наступна Сторінка >> ]