Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102272) > Сторінка 366 з 1705
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RLZTE-119.1C | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-115.6A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-115.1A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-115.1B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1130B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1139B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1130C | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1133A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1133B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1133C | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1136A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1136B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1136C | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1139D | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1139C | Rohm Semiconductor |
![]() Tolerance: ±3% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Mounting Type: Surface Mount Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36.3 V Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms Supplier Device Package: LLDS Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-114.7C | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-113.6A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-113.6B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-113.9B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-114.3A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-114.3C | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-114.7A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-114.7B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-113.9A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RLZTE-1120B | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
UDZTE-175.1B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
TDZTR5.1 | Rohm Semiconductor |
![]() Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: TUMD2 Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
PTZTE255.6A | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
UDZTE-175.6B | Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
TDZTR6.2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
TDZTR6.8 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
TDZTR7.5 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
TDZTR8.2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
RPM960-H14E3A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM873-E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM870-H14E2 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM872-E2A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM882-H14E2 | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm Data Rate: 115.2kbs (SIR) Standards: IrDA 1.2 Link Range, Low Power: 20cm, 60cm Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM882-H12E4 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM872-H12E4A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM873-E2A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM873-E4A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RPM871-E4A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
RPM870-H14E2A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
RPM871-E4 | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RPM973-H11E2A | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Orientation: Side View Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm Data Rate: 4Mbs (FIR) Standards: IrDA 1.4 Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RPM973-H16E4A | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
QS6J11TR | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
RUM002N02T2L | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
RUR020N02TL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
RW1C020UNT2R | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RSS100N03FU6TB | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
RSS105N03FU6TB | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RSS110N03FU6TB | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RSS120N03FU6TB | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
RSS125N03FU6TB | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RSS130N03FU6TB | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
R5016ANX | Rohm Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
RSR020N06TL | Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
RSS080N05FU6TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
RLZTE-119.1C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.8V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 8.8V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-115.6A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-115.1A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-115.1B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1130B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1139B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1130C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 28.4V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1133A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1133B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1133C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1136A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1136B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1136C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1139D |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1139C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: LLDS
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 30 V
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: LLDS
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-114.7C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-113.6A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-113.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-113.9B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-114.3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-114.3C |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-114.7A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-114.7B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-113.9A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RLZTE-1120B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 19.1V 500MW LLDS
Description: DIODE ZENER 19.1V 500MW LLDS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
UDZTE-175.1B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW UMD2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TDZTR5.1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTZTE255.6A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
UDZTE-175.6B |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TDZTR6.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TDZTR6.8 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TDZTR7.5 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TDZTR8.2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM960-H14E3A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 1152KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 1152KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM873-E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM870-H14E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM872-E2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM882-H14E2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM882-H12E4 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM872-H12E4A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM873-E2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM873-E4A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM871-E4A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM870-H14E2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM871-E4 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM973-H11E2A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm
Data Rate: 4Mbs (FIR)
Standards: IrDA 1.4
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm
Data Rate: 4Mbs (FIR)
Standards: IrDA 1.4
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RPM973-H16E4A |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
QS6J11TR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RUM002N02T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8000+ | 3.06 грн |
16000+ | 2.91 грн |
RUR020N02TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 12.32 грн |
6000+ | 10.98 грн |
9000+ | 10.52 грн |
RW1C020UNT2R |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSS100N03FU6TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSS105N03FU6TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSS110N03FU6TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSS120N03FU6TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSS125N03FU6TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSS130N03FU6TB |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
R5016ANX |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSR020N06TL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 15.48 грн |
RSS080N05FU6TB |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.