Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (106409) > Сторінка 403 з 1774

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 531 708 885 1062 1239 1416 1593 1770 1774  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+174.81 грн
50+135.30 грн
100+115.05 грн
500+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06TL Rohm Semiconductor RSJ400N06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL RSJ400N10TL Rohm Semiconductor rsj400n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+216.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL RSJ550N10TL Rohm Semiconductor rsj550n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.93 грн
10+241.83 грн
100+172.82 грн
500+134.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL RSJ650N10TL Rohm Semiconductor rsj650n10-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.34 грн
10+323.80 грн
100+244.29 грн
500+206.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL RSJ800N06TL Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: LPTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.90 грн
10+183.87 грн
100+134.61 грн
500+106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR RSQ015P10TR Rohm Semiconductor rsq015p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL RSR010N10TL Rohm Semiconductor rsr010n10tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF301B2STL RF301B2STL Rohm Semiconductor RF301B2S.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF501B2STL RF501B2STL Rohm Semiconductor RF501B2STL.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355VMTE-17 1SS355VMTE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=1SS355VM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 1283322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
54+5.62 грн
100+4.57 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2048KT146Q 2SA2048KT146Q Rohm Semiconductor 2sa2048k.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+21.28 грн
100+10.71 грн
500+8.91 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088T106Q 2SA2088T106Q Rohm Semiconductor 2sa2088t106q-e.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+22.19 грн
100+14.06 грн
500+9.91 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2094TLQ 2SA2094TLQ Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2094&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 17772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.42 грн
100+19.59 грн
500+13.99 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2119KT146 2SA2119KT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
13+24.23 грн
100+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5824T100R 2SC5824T100R Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5824&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+39.78 грн
100+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.64 грн
500+13.31 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLR 2SC5866TLR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.64 грн
500+13.31 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQ 2SC5868TLQ Rohm Semiconductor 2sc5868.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
15+20.98 грн
100+12.57 грн
500+10.92 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLR 2SC5868TLR Rohm Semiconductor 2sc5868.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TL 2SD2703TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2703&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+37.36 грн
100+27.88 грн
500+20.56 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YUBTL DTA114YUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Resistors Included: R1 and R2
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
41+7.47 грн
100+4.63 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 DTC114ECAT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.10 грн
100+12.07 грн
500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTL DTC114EEBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
30+10.11 грн
100+6.23 грн
500+4.29 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EUBTL DTC114EUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114EUB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTL DTC114YUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.02 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUBTL DTC123JUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC123JUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.05 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124EUBTL DTC124EUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC124EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 11239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZEBTL DTC143ZEBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143ZEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZUBTL DTC143ZUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143ZUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144EEBTL DTC144EEBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC144EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.02 грн
500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144EUBTL DTC144EUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC144EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC623TKT146 DTC623TKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC623TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+20.98 грн
100+10.57 грн
500+8.80 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC643TKT146 DTC643TKT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC643TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.70 грн
100+15.07 грн
500+10.66 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R EM6M2T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 43071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.25 грн
100+21.72 грн
500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB3T2R EMB3T2R Rohm Semiconductor emb3t2r-e.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMN11T2R EMN11T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EMN11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: EMD6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.30 грн
50+17.63 грн
100+14.52 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMA5AT148 FMA5AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMA5A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+27.17 грн
100+16.33 грн
500+14.19 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMA7AT148 FMA7AT148 Rohm Semiconductor EMA7, FMA7A, UMA7N.pdf Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+27.17 грн
100+16.33 грн
500+14.19 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMP1T148 FMP1T148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMP1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMD5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Average Rectified (Io): 25 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 80 V
Supplier Device Package: SMD5
Technology: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.34 грн
50+22.18 грн
100+18.31 грн
500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMY5T148 FMY5T148 Rohm Semiconductor FMY5.pdf Description: TRANS NPN/PNP 120V 50MA SMT5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT5
Frequency - Transition: 140MHz
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.91 грн
100+21.18 грн
500+15.13 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMH23T110 IMH23T110 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMH23&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMH8AT108 IMH8AT108 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMH8A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSTA28T146 MMSTA28T146 Rohm Semiconductor datasheet?p=MMSTA28&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN DARL 80V 0.3A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2510B PTZTE2510B Rohm Semiconductor ptz_series.pdf Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PMDS
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2511B PTZTE2511B Rohm Semiconductor ptzte2511b-e Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDS
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2515B PTZTE2515B Rohm Semiconductor ptz_series.pdf Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: PMDS
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15.4 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+32.91 грн
100+24.55 грн
500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2516B PTZTE2516B Rohm Semiconductor ptz_series.pdf Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: PMDS
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.9 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2520B PTZTE2520B Rohm Semiconductor ptz20b.pdf Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2522B PTZTE2522B Rohm Semiconductor ptz22b.pdf Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2530B PTZTE2530B Rohm Semiconductor ptz30b.pdf Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2533B PTZTE2533B Rohm Semiconductor ptz33b.pdf Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE256.2B PTZTE256.2B Rohm Semiconductor ptz6.2b.pdf Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE258.2B PTZTE258.2B Rohm Semiconductor ptz8.2b.pdf Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TR QS6J11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.48 грн
100+25.77 грн
500+18.63 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TR QS8K2TR Rohm Semiconductor qs8k2tr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QST8TR QST8TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QST8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2PNP 12V 1.5A TSMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Power - Max: 1.25W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.12 грн
100+27.35 грн
500+19.71 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSX8TR QSX8TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QSX8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2NPN 30V 1A TSMT6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.25W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.84 грн
10+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB060L-40TE25 RB060L-40TE25 Rohm Semiconductor rb060l-40.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RB160L-60TE25 RB160L-60TE25 Rohm Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ250P10TL datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.47 грн
10+174.81 грн
50+135.30 грн
100+115.05 грн
500+95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N06TL RSJ400N06.pdf
RSJ400N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ400N10TL rsj400n10tl-e.pdf
RSJ400N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.61 грн
10+216.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ550N10TL rsj550n10.pdf
RSJ550N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.93 грн
10+241.83 грн
100+172.82 грн
500+134.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ650N10TL rsj650n10-e.pdf
RSJ650N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.34 грн
10+323.80 грн
100+244.29 грн
500+206.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ800N06TL
RSJ800N06TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: LPTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.90 грн
10+183.87 грн
100+134.61 грн
500+106.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSQ015P10TR rsq015p10.pdf
RSQ015P10TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR010N10TL rsr010n10tl-e.pdf
RSR010N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF301B2STL RF301B2S.pdf
RF301B2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF501B2STL RF501B2STL.pdf
RF501B2STL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS355VMTE-17 datasheet?p=1SS355VM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
1SS355VMTE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 1283322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.85 грн
54+5.62 грн
100+4.57 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2048KT146Q 2sa2048k.pdf
2SA2048KT146Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
15+21.28 грн
100+10.71 грн
500+8.91 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088T106Q 2sa2088t106q-e.pdf
2SA2088T106Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
14+22.19 грн
100+14.06 грн
500+9.91 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2094TLQ datasheet?p=2SA2094&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SA2094TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 17772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.95 грн
10+30.42 грн
100+19.59 грн
500+13.99 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2119KT146 datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SA2119KT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
13+24.23 грн
100+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5824T100R datasheet?p=2SC5824&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5824T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.62 грн
10+39.78 грн
100+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQ datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5866TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.64 грн
500+13.31 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLR datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SC5866TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.64 грн
500+13.31 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQ 2sc5868.pdf
2SC5868TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
15+20.98 грн
100+12.57 грн
500+10.92 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLR 2sc5868.pdf
2SC5868TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD2703TL datasheet?p=2SD2703&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SD2703TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A TUMT3
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TUMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.46 грн
10+37.36 грн
100+27.88 грн
500+20.56 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114YUBTL datasheet?p=DTA114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA114YUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Resistors Included: R1 and R2
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
41+7.47 грн
100+4.63 грн
500+3.16 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ECAT116 datasheet?p=DTC114ECA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114ECAT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
16+19.10 грн
100+12.07 грн
500+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EEBTL datasheet?p=DTC114EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114EEBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
30+10.11 грн
100+6.23 грн
500+4.29 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114EUBTL datasheet?p=DTC114EUB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
DTC114EUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTL datasheet?p=DTC114YUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114YUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.02 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JUBTL datasheet?p=DTC123JUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC123JUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.05 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC124EUBTL datasheet?p=DTC124EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC124EUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 11239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZEBTL datasheet?p=DTC143ZEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC143ZEBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 16055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
32+9.51 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ZUBTL datasheet?p=DTC143ZUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC143ZUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144EEBTL datasheet?p=DTC144EEB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC144EEBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
32+9.74 грн
100+6.02 грн
500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144EUBTL datasheet?p=DTC144EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC144EUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC623TKT146 datasheet?p=DTC623TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC623TKT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
15+20.98 грн
100+10.57 грн
500+8.80 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC643TKT146 datasheet?p=DTC643TK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC643TKT146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.6A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.97 грн
13+23.70 грн
100+15.07 грн
500+10.66 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6M2T2R datasheet?p=EM6M2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6M2T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 43071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.57 грн
10+35.85 грн
50+26.25 грн
100+21.72 грн
500+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMB3T2R emb3t2r-e.pdf
EMB3T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EMN11T2R datasheet?p=EMN11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EMN11T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: EMD6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.76 грн
13+24.30 грн
50+17.63 грн
100+14.52 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMA5AT148 datasheet?p=FMA5A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMA5AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
12+27.17 грн
100+16.33 грн
500+14.19 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMA7AT148 EMA7, FMA7A, UMA7N.pdf
FMA7AT148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SMT5
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
12+27.17 грн
100+16.33 грн
500+14.19 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMP1T148 datasheet?p=FMP1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
FMP1T148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 80V 25MA SMD5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Average Rectified (Io): 25 mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 80 V
Supplier Device Package: SMD5
Technology: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.95 грн
10+30.34 грн
50+22.18 грн
100+18.31 грн
500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMY5T148 FMY5.pdf
FMY5T148
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 120V 50MA SMT5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT5
Frequency - Transition: 140MHz
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.87 грн
10+32.91 грн
100+21.18 грн
500+15.13 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMH23T110 datasheet?p=IMH23&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMH23T110
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMH8AT108 datasheet?p=IMH8A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMH8AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
12+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSTA28T146 datasheet?p=MMSTA28&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
MMSTA28T146
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 80V 0.3A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2510B ptz_series.pdf
PTZTE2510B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
Power - Max: 1 W
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PMDS
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2511B ptzte2511b-e
PTZTE2511B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDS
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2515B ptz_series.pdf
PTZTE2515B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 11 V
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: PMDS
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15.4 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.97 грн
10+32.91 грн
100+24.55 грн
500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2516B ptz_series.pdf
PTZTE2516B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V
Power - Max: 1 W
Supplier Device Package: PMDS
Impedance (Max) (Zzt): 12 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.9 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2520B ptz20b.pdf
PTZTE2520B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDS
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2522B ptz22b.pdf
PTZTE2522B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDS
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2530B ptz30b.pdf
PTZTE2530B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDS
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE2533B ptz33b.pdf
PTZTE2533B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDS
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE256.2B ptz6.2b.pdf
PTZTE256.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDS
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PTZTE258.2B ptz8.2b.pdf
PTZTE258.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDS
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS6J11TR datasheet?p=QS6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6J11TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+39.48 грн
100+25.77 грн
500+18.63 грн
1000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8K2TR qs8k2tr-e.pdf
QS8K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QST8TR datasheet?p=QST8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QST8TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 12V 1.5A TSMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Power - Max: 1.25W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+42.12 грн
100+27.35 грн
500+19.71 грн
1000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSX8TR datasheet?p=QSX8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QSX8TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN 30V 1A TSMT6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.25W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RB060L-40TE25 rb060l-40.pdf
RB060L-40TE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RB160L-60TE25
RB160L-60TE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PMDS
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 531 708 885 1062 1239 1416 1593 1770 1774  [ Наступна Сторінка >> ]