Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101741) > Сторінка 985 з 1696

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 845 980 981 982 983 984 985 986 987 988 989 990 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LTR10EZPF1R50 LTR10EZPF1R50 Rohm Semiconductor ltr-e.pdf Description: RES SMD 1.5 OHM 1% 1W 0805 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 0805 (2012 Metric), 0508
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.047" L x 0.079" W (1.20mm x 2.00mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0508
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.5 Ohms
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.62 грн
26+12.32 грн
50+8.43 грн
100+6.80 грн
500+4.99 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BD91407GW-E2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA41W12ST Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA41W12ST-V5 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15 SCT3030ARC15 Rohm Semiconductor sct3030ar-e.pdf Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1518.52 грн
10+1300.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15 SCT3030ARHRC15 Rohm Semiconductor sct3030arhr-e.pdf Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1564.95 грн
10+1339.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 SCT3040KRHRC15 Rohm Semiconductor sct3040krhr-e.pdf Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1222.80 грн
10+832.34 грн
100+637.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15 SCT4018KRC15 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4018KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.55 грн
30+1775.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD8693FJ Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBS2LAM40CTR RBS2LAM40CTR Rohm Semiconductor rbs2lam40ctr-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 20 V
на замовлення 30371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.62 грн
11+28.56 грн
100+20.36 грн
500+14.52 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD26503KS2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD26503KS2-E2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD77502FVM Rohm Semiconductor bd77501g-e.pdf Description: HIGH POWER CHIP IR LED, SIDE VIE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 10V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 7.5 mA
Voltage - Supply Span (Min): 7 V
Voltage - Supply Span (Max): 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T512FVT-3AME2 BR24T512FVT-3AME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T512FVT-3AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 64K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T512FVT-3AME2 BR24T512FVT-3AME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T512FVT-3AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 64K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.45 грн
10+126.07 грн
25+120.18 грн
50+108.81 грн
100+104.97 грн
250+100.09 грн
500+94.97 грн
1000+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17 R6086YNZC17 Rohm Semiconductor r6086ynzc17-e.pdf Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1393.06 грн
10+1181.35 грн
100+1021.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1 R6004END4TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1 R6004END4TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.69 грн
10+61.27 грн
100+46.36 грн
500+34.13 грн
1000+31.12 грн
2000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3601 ESR10EZPD3601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3601 ESR10EZPD3601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.92 грн
36+8.86 грн
52+6.12 грн
100+4.94 грн
500+3.63 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3601 ESR18EZPD3601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 3.6K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3601 ESR18EZPD3601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 3.6K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.00 грн
28+11.30 грн
50+7.75 грн
100+6.27 грн
500+4.60 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3602 ESR03EZPD3602 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 36 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3602 ESR03EZPD3602 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 36 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.48 грн
40+8.00 грн
57+5.52 грн
100+4.45 грн
500+3.27 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3601 ESR03EZPD3601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 3.6 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3601 ESR03EZPD3601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.48 грн
40+8.00 грн
57+5.52 грн
100+4.45 грн
500+3.27 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3TL 2SAR502E3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3TL 2SAR502E3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.18 грн
26+12.08 грн
100+7.54 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3HZGTL 2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3HZGTL 2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.77 грн
17+18.83 грн
100+11.95 грн
500+8.39 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BD14215FVJ-LAE2 BD14215FVJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD14215FVJ-LA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: CURRENT SENSE AMPLIFIER: THE BD1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Current Sense
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 310µA
Current - Input Bias: 1 µA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14215FVJ-LAE2 BD14215FVJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD14215FVJ-LA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: CURRENT SENSE AMPLIFIER: THE BD1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Current Sense
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 310µA
Current - Input Bias: 1 µA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.80 грн
10+62.13 грн
25+56.29 грн
100+46.78 грн
250+43.89 грн
500+42.15 грн
1000+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD39042MUF-CE2 BD39042MUF-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD39042MUF-C&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: SYSTEM POWER GOOD + WATCHDOG TIM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Watchdog Circuit
Reset: Active High
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 4
Reset Timeout: 9ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.5V, 2.55V
Supplier Device Package: VQFN16FV3030
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD39042MUF-CE2 BD39042MUF-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD39042MUF-C&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: SYSTEM POWER GOOD + WATCHDOG TIM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Watchdog Circuit
Reset: Active High
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 4
Reset Timeout: 9ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.5V, 2.55V
Supplier Device Package: VQFN16FV3030
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.78 грн
10+126.85 грн
25+115.88 грн
100+97.43 грн
250+92.03 грн
500+88.78 грн
1000+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD7003NUX-E2 BD7003NUX-E2 Rohm Semiconductor ul94_bd7003nux-e2-e.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ VSON008X2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA, 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: VSON008X2020
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 66dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 300mA, 0.36V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR25L640F-W Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB168MM150TFTR RB168MM150TFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB168MM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB168MM150TFTR RB168MM150TFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB168MM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.36 грн
13+25.26 грн
100+16.14 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TR RB168VWM150TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB168VWM150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TR RB168VWM150TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB168VWM150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
12+28.08 грн
100+19.53 грн
500+14.31 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TFTR RB168VWM150TFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB168VWM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TFTR RB168VWM150TFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB168VWM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.73 грн
10+33.73 грн
100+23.47 грн
500+17.20 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNZ4C13 R6049YNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6049YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.66 грн
10+388.71 грн
30+329.80 грн
120+258.62 грн
270+236.23 грн
510+228.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNX3C16 R6049YNX3C16 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6049YNX3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.34 грн
10+212.67 грн
50+163.71 грн
100+138.98 грн
250+123.19 грн
500+113.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TL DTD543XE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543XE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TL DTD543XE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543XE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.59 грн
17+19.46 грн
100+12.32 грн
500+8.65 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TL DTD523YE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD523YE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TL DTD523YE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD523YE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.55 грн
13+24.95 грн
100+15.85 грн
500+11.20 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TL DTD543EE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TL DTD543EE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.59 грн
17+19.46 грн
100+12.32 грн
500+8.65 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL DTD513ZE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL DTD513ZE3TL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.55 грн
13+24.63 грн
100+15.68 грн
500+11.07 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3302 ESR10EZPD3302 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 33 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3302 ESR10EZPD3302 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 33 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.92 грн
36+8.86 грн
52+6.09 грн
100+4.93 грн
500+3.62 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
KTR18EZPF6044 KTR18EZPF6044 Rohm Semiconductor ktr-e.pdf Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 6.04 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR18EZPF6044 KTR18EZPF6044 Rohm Semiconductor ktr-e.pdf Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 6.04 MOhms
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.48 грн
40+8.00 грн
57+5.54 грн
100+4.47 грн
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ200N20TL RCJ200N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ200N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.58 грн
10+167.72 грн
25+144.72 грн
100+111.58 грн
250+99.79 грн
500+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD6208AFS-E2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD6208AFS-BZE2 Rohm Semiconductor Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR10EZPF1R50 ltr-e.pdf
LTR10EZPF1R50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.5 OHM 1% 1W 0805 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 0805 (2012 Metric), 0508
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.047" L x 0.079" W (1.20mm x 2.00mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0508
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.5 Ohms
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.62 грн
26+12.32 грн
50+8.43 грн
100+6.80 грн
500+4.99 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BD91407GW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA41W12ST
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA41W12ST-V5
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARC15 sct3030ar-e.pdf
SCT3030ARC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1518.52 грн
10+1300.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ARHRC15 sct3030arhr-e.pdf
SCT3030ARHRC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1564.95 грн
10+1339.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRHRC15 sct3040krhr-e.pdf
SCT3040KRHRC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1222.80 грн
10+832.34 грн
100+637.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT4018KRC15 datasheet?p=SCT4018KR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT4018KRC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.4mOhm @ 42A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 22.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4532 pF @ 800 V
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2476.55 грн
30+1775.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD8693FJ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NS65DGTL datasheet?p=RGT16NS65D(LPDS)&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RGT16NS65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBS2LAM40CTR rbs2lam40ctr-e.pdf
RBS2LAM40CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 20 V
на замовлення 30371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.62 грн
11+28.56 грн
100+20.36 грн
500+14.52 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD26503KS2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD26503KS2-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD77502FVM bd77501g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH POWER CHIP IR LED, SIDE VIE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 10V/µs
Gain Bandwidth Product: 8 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 1 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 7.5 mA
Voltage - Supply Span (Min): 7 V
Voltage - Supply Span (Max): 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T512FVT-3AME2 datasheet?p=BR24T512FVT-3AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T512FVT-3AME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 64K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T512FVT-3AME2 datasheet?p=BR24T512FVT-3AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T512FVT-3AME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 64K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.45 грн
10+126.07 грн
25+120.18 грн
50+108.81 грн
100+104.97 грн
250+100.09 грн
500+94.97 грн
1000+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6086YNZC17 r6086ynzc17-e.pdf
R6086YNZC17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 17A, 12V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1393.06 грн
10+1181.35 грн
100+1021.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1 datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6004END4TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1 datasheet?p=R6004END4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6004END4TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.69 грн
10+61.27 грн
100+46.36 грн
500+34.13 грн
1000+31.12 грн
2000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3601 esr-e.pdf
ESR10EZPD3601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3601 esr-e.pdf
ESR10EZPD3601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.92 грн
36+8.86 грн
52+6.12 грн
100+4.94 грн
500+3.63 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3601 esr-e.pdf
ESR18EZPD3601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 3.6K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3601 esr-e.pdf
ESR18EZPD3601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 3.6K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.00 грн
28+11.30 грн
50+7.75 грн
100+6.27 грн
500+4.60 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3602 esr-e.pdf
ESR03EZPD3602
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 36 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3602 esr-e.pdf
ESR03EZPD3602
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 36 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.48 грн
40+8.00 грн
57+5.52 грн
100+4.45 грн
500+3.27 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3601 esr-e.pdf
ESR03EZPD3601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 3.6 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD3601 esr-e.pdf
ESR03EZPD3601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 3.6 kOhms
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.48 грн
40+8.00 грн
57+5.52 грн
100+4.45 грн
500+3.27 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3TL datasheet?p=2SAR502E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SAR502E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3TL datasheet?p=2SAR502E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
2SAR502E3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.18 грн
26+12.08 грн
100+7.54 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3HZGTL datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502E3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502E3HZGTL datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502E3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.77 грн
17+18.83 грн
100+11.95 грн
500+8.39 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BD14215FVJ-LAE2 datasheet?p=BD14215FVJ-LA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BD14215FVJ-LAE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CURRENT SENSE AMPLIFIER: THE BD1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Current Sense
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 310µA
Current - Input Bias: 1 µA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD14215FVJ-LAE2 datasheet?p=BD14215FVJ-LA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BD14215FVJ-LAE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: CURRENT SENSE AMPLIFIER: THE BD1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Current Sense
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 310µA
Current - Input Bias: 1 µA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.80 грн
10+62.13 грн
25+56.29 грн
100+46.78 грн
250+43.89 грн
500+42.15 грн
1000+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD39042MUF-CE2 datasheet?p=BD39042MUF-C&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BD39042MUF-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SYSTEM POWER GOOD + WATCHDOG TIM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Watchdog Circuit
Reset: Active High
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 4
Reset Timeout: 9ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.5V, 2.55V
Supplier Device Package: VQFN16FV3030
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD39042MUF-CE2 datasheet?p=BD39042MUF-C&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
BD39042MUF-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SYSTEM POWER GOOD + WATCHDOG TIM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Watchdog Circuit
Reset: Active High
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 4
Reset Timeout: 9ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.5V, 2.55V
Supplier Device Package: VQFN16FV3030
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.78 грн
10+126.85 грн
25+115.88 грн
100+97.43 грн
250+92.03 грн
500+88.78 грн
1000+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD7003NUX-E2 ul94_bd7003nux-e2-e.pdf
BD7003NUX-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN POS ADJ VSON008X2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA, 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: VSON008X2020
Voltage - Output (Max): 3.3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
PSRR: 66dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.36V @ 300mA, 0.36V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR25L640F-W
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB168MM150TFTR datasheet?p=RB168MM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB168MM150TFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB168MM150TFTR datasheet?p=RB168MM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB168MM150TFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.36 грн
13+25.26 грн
100+16.14 грн
500+11.45 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TR datasheet?p=RB168VWM150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB168VWM150TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TR datasheet?p=RB168VWM150&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB168VWM150TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
12+28.08 грн
100+19.53 грн
500+14.31 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TFTR datasheet?p=RB168VWM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB168VWM150TFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB168VWM150TFTR datasheet?p=RB168VWM150TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB168VWM150TFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.73 грн
10+33.73 грн
100+23.47 грн
500+17.20 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNZ4C13 datasheet?p=R6049YNZ4&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6049YNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.66 грн
10+388.71 грн
30+329.80 грн
120+258.62 грн
270+236.23 грн
510+228.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6049YNX3C16 datasheet?p=R6049YNX3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6049YNX3C16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 11A, 12V
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2.9mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 100 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.34 грн
10+212.67 грн
50+163.71 грн
100+138.98 грн
250+123.19 грн
500+113.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TL datasheet?p=DTD543XE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD543XE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TL datasheet?p=DTD543XE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD543XE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.59 грн
17+19.46 грн
100+12.32 грн
500+8.65 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TL datasheet?p=DTD523YE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD523YE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TL datasheet?p=DTD523YE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD523YE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.55 грн
13+24.95 грн
100+15.85 грн
500+11.20 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TL datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD543EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TL datasheet?p=DTD543EE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD543EE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.59 грн
17+19.46 грн
100+12.32 грн
500+8.65 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD513ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TL datasheet?p=DTD513ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTD513ZE3TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.55 грн
13+24.63 грн
100+15.68 грн
500+11.07 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3302 esr-e.pdf
ESR10EZPD3302
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 33 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD3302 esr-e.pdf
ESR10EZPD3302
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 33 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.92 грн
36+8.86 грн
52+6.09 грн
100+4.93 грн
500+3.62 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
KTR18EZPF6044 ktr-e.pdf
KTR18EZPF6044
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 6.04 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR18EZPF6044 ktr-e.pdf
KTR18EZPF6044
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 6.04 MOhms
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.48 грн
40+8.00 грн
57+5.54 грн
100+4.47 грн
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ200N20TL datasheet?p=RCJ200N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ200N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.58 грн
10+167.72 грн
25+144.72 грн
100+111.58 грн
250+99.79 грн
500+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD6208AFS-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD6208AFS-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC POWER MANAGEMENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 845 980 981 982 983 984 985 986 987 988 989 990 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]