| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| K4H561638H-ZCCC | Samsung |
Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4S161622D-TC80 | Samsung | Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4S161622H-TC70 | Samsung | Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4S561632E-TC75000 | Samsung |
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт кількість в упаковці: 480 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4S561632J-UC75T | Samsung |
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4S561632J-UI75 | Samsung |
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4S561632N-LI75T00 | Samsung |
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шткількість в упаковці: 960 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| K4S640832H-TC75 | Samsung |
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 247 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| K4S641632H-UC75T | Samsung |
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4T1G164QG-BCF7000 | Samsung |
Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шткількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| K7M161835B-QC65 | Samsung |
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт кількість в упаковці: 720 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K4H511638F-LCCC | Samsung |
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шткількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6E0808C1E-JC10000 | Samsung | Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6F1616U6C-FF55 | Samsung |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| K6R1008V1D-UI10 | Samsung |
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6R4008V1D-JI10 | Samsung | Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6R4008V1D-JI10T | Samsung |
Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6R4008V1D-KI10 | Samsung |
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6R4016V1D-TI10 | Samsung | Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6R4016V1D-UI10 | Samsung |
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T0808C1D-DB55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T0808C1D-DB70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T0808C1D-GB55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T0808C1D-GB70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T0808C1D-GF70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T1008C2E-DB70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T1008C2E-GB70 | Samsung |
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T1008C2E-GF55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T4008C1B-DB70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T4008C1B-DB70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T4008C1B-GB55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T4008C1C-DB55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T4008C1C-GF55 (Микросхема) | Samsung | Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6T4008V1C-VF70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X0808C1D-DF55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X0808C1D-GF55 | Samsung | Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X1008C2D-DB70 | Samsung | Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X1008C2D-DF55 | Samsung |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шткількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X1008T2D-GF70 | Samsung |
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X4008C1F-BF55 | Samsung |
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X4008C1F-GF55 | Samsung |
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X8008C2B-TF55 | Samsung |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шткількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X8008T2B-TF55 | Samsung | ... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K6X8008T2B-UF55 | Samsung |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шткількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K7B163635B-PC75 | Samsung |
Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K7B163635B-PI75 | Samsung |
Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K7N161831B-QC16 | Samsung |
Быстрая статическая память... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K7N643645M-PC2500 | Samsung |
Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| KM681000BLG-7L | Samsung | Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9F1208U0C-PCB0 | Samsung |
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9F1G08U0B-PCB0 | Samsung |
Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шткількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9F1G08U0C-PCB0 | Samsung |
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9F1G08U0D-SCB0000 | Samsung |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шткількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9F1G08U0D-SIB0 | Samsung |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шткількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9F5608U0C-YIB0 | Samsung |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шткількість в упаковці: 960 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| K9G4G08U0A-PCB0 | Samsung |
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9G4G08U0B-PCB0 | Samsung |
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9HCG08U1MPCB0 | Samsung |
память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9K4G08U0M-PCB0 | Samsung | ... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| K9K8G08U0B-PCB0000 | Samsung |
Память NAND Flash (8G-bit + 256M-bit spare, разрядность x8, 100K циклов, 10 лет, Vcc=2.7-3.6 V, версия B... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт кількість в упаковці: 960 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| K4H561638H-ZCCC |
Виробник: Samsung
Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4S161622D-TC80 |
Виробник: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4S161622H-TC70 |
Виробник: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4S561632E-TC75000 |
Виробник: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 480 шт
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 480 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4S561632J-UC75T |
Виробник: Samsung
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4S561632J-UI75 |
Виробник: Samsung
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4S561632N-LI75T00 |
![]() |
Виробник: Samsung
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 960+ | 106.43 грн |
| K4S640832H-TC75 |
![]() |
Виробник: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 199.34 грн |
| 10+ | 186.05 грн |
| 100+ | 159.47 грн |
| K4S641632H-UC75T |
![]() |
Виробник: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4T1G164QG-BCF7000 |
![]() |
Виробник: Samsung
Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 118.50 грн |
| K7M161835B-QC65 |
Виробник: Samsung
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 720 шт
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 720 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K4H511638F-LCCC |
![]() |
Виробник: Samsung
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6E0808C1E-JC10000 |
Виробник: Samsung
Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6F1616U6C-FF55 |
![]() |
Виробник: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.59 грн |
| 10+ | 291.75 грн |
| 100+ | 250.07 грн |
| K6R1008V1D-UI10 |
Виробник: Samsung
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6R4008V1D-JI10 |
Виробник: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6R4008V1D-JI10T |
Виробник: Samsung
Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6R4008V1D-KI10 |
Виробник: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| K6R4016V1D-TI10 |
Виробник: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6R4016V1D-UI10 |
![]() |
Виробник: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T0808C1D-DB55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T0808C1D-DB70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T0808C1D-GB55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T0808C1D-GB70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T0808C1D-GF70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T1008C2E-DB70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T1008C2E-GB70 | ![]() |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T1008C2E-GF55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T4008C1B-DB70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T4008C1B-DB70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T4008C1B-GB55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T4008C1C-DB55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T4008C1C-GF55 (Микросхема) |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6T4008V1C-VF70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2F-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X0808C1D-DF55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X0808C1D-GF55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (32K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X1008C2D-DB70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X1008C2D-DF55 |
![]() |
Виробник: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X1008T2D-GF70 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X4008C1F-BF55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X4008C1F-GF55 |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X8008C2B-TF55 |
![]() |
Виробник: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44-400R Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X8008T2B-TF55 |
Виробник: Samsung
... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K6X8008T2B-UF55 |
![]() |
Виробник: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K7B163635B-PC75 |
Виробник: Samsung
Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Быстрая статическая память, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Тдост =7.5ns, Тэксп,С 0...+70C, Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K7B163635B-PI75 |
Виробник: Samsung
Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Быстрая статическая память,, Об. пам. =16Mbit 512x36, ннтерфейс .., Vcc,В 3.3, 2.5V,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K7N161831B-QC16 |
Виробник: Samsung
Быстрая статическая память... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Быстрая статическая память... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K7N643645M-PC2500 |
![]() |
Виробник: Samsung
Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Швидка статична пам'ять NTRAM, Uживл, В = 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 72 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 36, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KM681000BLG-7L |
Виробник: Samsung
Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Статическая память (SRAM) (128k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9F1208U0C-PCB0 |
Виробник: Samsung
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9F1G08U0B-PCB0 |
![]() |
Виробник: Samsung
Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память FLASH (128M x 8 Bit ) , U=2.7.....3.6V, Comercial (C)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9F1G08U0C-PCB0 |
Виробник: Samsung
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память FLASH (64Mx8bit)... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9F1G08U0D-SCB0000 |
![]() |
Виробник: Samsung
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9F1G08U0D-SIB0 |
![]() |
Виробник: Samsung
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об. пам. = 1 Гбіт,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9F5608U0C-YIB0 |
![]() |
Виробник: Samsung
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 960+ | 393.72 грн |
| K9G4G08U0A-PCB0 |
Виробник: Samsung
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9G4G08U0B-PCB0 |
Виробник: Samsung
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память Flash... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9HCG08U1MPCB0 |
Виробник: Samsung
память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
память NAND Flash, Vcc,В =2.7...3.6V, Интерфейс paral, Об. пам. =64Gbit, Тдост =25ns, Тэксп, °С 0...+70,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPI Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9K4G08U0M-PCB0 |
Виробник: Samsung
... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
... Група товару: Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| K9K8G08U0B-PCB0000 |
Виробник: Samsung
Память NAND Flash (8G-bit + 256M-bit spare, разрядность x8, 100K циклов, 10 лет, Vcc=2.7-3.6 V, версия B... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
Память NAND Flash (8G-bit + 256M-bit spare, разрядность x8, 100K циклов, 10 лет, Vcc=2.7-3.6 V, версия B... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 960 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

