Результат пошуку "2N60B" : 50

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N60-B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N60B CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM2N60B AM2N60B Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2N60B Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-263
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3 HGT1S12N60B3 Harris Corporation HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+136.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3D HGT1S12N60B3D Harris Corporation HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+136.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+109.41 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60B SSR2N60B Fairchild Semiconductor FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60BTF SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 165500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1093+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSS2N60B SSS2N60B Fairchild Semiconductor FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSU2N60BTU SSU2N60BTU Fairchild Semiconductor FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSW2N60BTM SSW2N60BTM Fairchild Semiconductor FAIRS17625-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60B
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60B
на замовлення 70560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60B IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGD02N60BUMA1 Infineon fundamentals-of-power-semiconductors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SS2N60B
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSI2N60B
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSP2N60B FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSP2N60Bchai
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60B FAIRCHILD FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60BTM FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSS2N60B FAIRCHILD FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-220F
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSU2N60B Fairchild
на замовлення 16991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSU2N60BTU FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 10230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSW2N60B FAIRCHILD 07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSW2N60BTM FAIRS17625-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XGH32N60B IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YMP2N60BCD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N60B
Код товару: 56361
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1
Код товару: 150400
Додати до обраних Обраний товар
littelfuse-discrete-igbts-ixgr72n60b3h1-datasheet?assetguid=c379d004-dec6-4710-9939-bb942d6ffc1d Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSP2N60B
Код товару: 45183
Додати до обраних Обраний товар
FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSS2N60B (транзистор)
Код товару: 48417
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3 HGTG12N60B3 onsemi HGTG12N60B3.pdf Description: IGBT 600V 27A TO-247-3
Power - Max: 104 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60B IXYS Description: IGBT 600V 24A TO-263AA
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N60BD1 IXYS Description: IGBT 600V 24A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60B IXYS Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 125 nC
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BD1 IXYS Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BU1 IXYS Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60B3 IXGH72N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-72n60b3-datasheet?assetguid=b288b33a-85f1-4ac5-ba9b-396ba5418ae1 Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 540 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 230 nC
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.38mJ (on), 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS IXGK(X)72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-72n60b3h1-datasheet?assetguid=272adbb2-17a4-41da-ac17-1703f6967279 Description: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK72N60B3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_72N60B3H1_Datasheet.PDF IGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N60B IXYS Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS IXGR72N60B3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Technology: GenX3™; PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr72n60b3h1-datasheet?assetguid=c379d004-dec6-4710-9939-bb942d6ffc1d Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR72N60B3H1_Datasheet.PDF IGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N60BD1 IXYS Description: IGBT 600V 60A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60B3H1 IXGX72N60B3H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-72n60b3h1-datasheet?assetguid=272adbb2-17a4-41da-ac17-1703f6967279 Description: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGD02N60BUMA1 SGD02N60BUMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BU1 IXGH32N60BU1.pdf (IGBT,1200V,15A,TO247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N60-B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N60B
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM2N60B datasheet.php?part=AM2N60B
AM2N60B
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-263
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3 HRISSC96-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+136.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3D HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60B3D
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+136.77 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3DS HRISSD10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+109.41 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60B FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SSR2N60B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
519+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60BTF FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SSR2N60BTF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 165500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1093+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSS2N60B FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SSS2N60B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1069+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSU2N60BTU FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SSU2N60BTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
649+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSW2N60BTM FAIRS17625-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SSW2N60BTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
443+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N60B
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N60B
на замовлення 70560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60B
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGD02N60BUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SS2N60B
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSI2N60B
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSP2N60B FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSP2N60Bchai
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60B FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSR2N60BTM FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSS2N60B FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
TO-220F
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSU2N60B
Виробник: Fairchild
на замовлення 16991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSU2N60BTU FAIRS17510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 10230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSW2N60B
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSW2N60BTM FAIRS17625-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XGH32N60B
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YMP2N60BCD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N60B
Код товару: 56361
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1
Код товару: 150400
Додати до обраних Обраний товар
littelfuse-discrete-igbts-ixgr72n60b3h1-datasheet?assetguid=c379d004-dec6-4710-9939-bb942d6ffc1d
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSP2N60B
Код товару: 45183
Додати до обраних Обраний товар
FAIRS20350-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSS2N60B (транзистор)
Код товару: 48417
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3 HGTG12N60B3.pdf
HGTG12N60B3
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 27A TO-247-3
Power - Max: 104 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA12N60B
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 24A TO-263AA
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH12N60BD1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 24A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60B
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 125 nC
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BD1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BU1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH72N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-72n60b3-datasheet?assetguid=b288b33a-85f1-4ac5-ba9b-396ba5418ae1
IXGH72N60B3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 540 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 230 nC
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.38mJ (on), 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 IXGK(X)72N60B3H1.pdf
IXGK72N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 72A
Power dissipation: 540W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 littelfuse-discrete-igbts-ixg-72n60b3h1-datasheet?assetguid=272adbb2-17a4-41da-ac17-1703f6967279
IXGK72N60B3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264 (IXGK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK72N60B3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_72N60B3H1_Datasheet.PDF
IXGK72N60B3H1
Виробник: IXYS
IGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP12N60B
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 IXGR72N60B3H1.pdf
IXGR72N60B3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Technology: GenX3™; PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr72n60b3h1-datasheet?assetguid=c379d004-dec6-4710-9939-bb942d6ffc1d
IXGR72N60B3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR72N60B3H1_Datasheet.PDF
IXGR72N60B3H1
Виробник: IXYS
IGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N60BD1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX72N60B3H1 littelfuse-discrete-igbts-ixg-72n60b3h1-datasheet?assetguid=272adbb2-17a4-41da-ac17-1703f6967279
IXGX72N60B3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGD02N60BUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SGD02N60BUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH32N60BU1 IXGH32N60BU1.pdf
(IGBT,1200V,15A,TO247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.