Результат пошуку "2SB1386" : 32

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SB1386T100Q 2SB1386T100Q Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.03 грн
10+ 31.74 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1386T100Q 2SB1386T100Q Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.23 грн
2000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1386T100R 2SB1386T100R ROHM ROHMS09672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.94 грн
19+ 39.15 грн
100+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SB1386T100R 2SB1386T100R Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf description Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.03 грн
10+ 31.74 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1386T100R 2SB1386T100R ROHM ROHMS09672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1386T100R ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms09672-1-1742596.pdf description Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.7 грн
10+ 35.64 грн
100+ 21.49 грн
500+ 17.97 грн
1000+ 15.24 грн
2000+ 13.54 грн
5000+ 12.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1386 T100Q ROHM SOT89
на замовлення 31850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386 T100R ROHM 09+
на замовлення 34018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386 T100R ROHM SOT89
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-Q KESENES 09+
на замовлення 165878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-R ROHM 09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-T100Q ROHM SOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-T100R ROHM SOT89
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386/R ROHM 09+
на замовлення 37018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386R ROHM 09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386T ROHM
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386T ROHM 09+
на замовлення 56018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386
Код товару: 50501
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1386T100Q 2SB1386T100Q
Код товару: 98785
1508269um0.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SC-62
fT: 120 MHz
Uке, В: 20 V
Uкб, В: 30 V
Iк, А: 5 А
товар відсутній
2SB1386 LUGUANG ELECTRONIC 2SB1386.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
товар відсутній
2SB1386 LUGUANG ELECTRONIC 2SB1386.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2SB1386 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1386-P-TP 2SB1386-P-TP Micro Commercial Co 2SB1386-x.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1386-Q-TP Micro Commercial Components 2sb1386sot-89-v1.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1386-Q-TP 2SB1386-Q-TP Micro Commercial Co 2SB1386(SOT-89).pdf Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1386-Q-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SB1386_SOT_89_-2510321.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
товар відсутній
2SB1386-R-TP 2SB1386-R-TP Micro Commercial Components 2sb1386sot-89.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1386-R-TP 2SB1386-R-TP Micro Commercial Co 2SB1386(SOT-89).pdf Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1386-R-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SB1386_SOT_89_-2510321.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
товар відсутній
2SB1386T100 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1386T100R 2SB1386T100R Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf description Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1386T100Q 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
2SB1386T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.03 грн
10+ 31.74 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1386T100Q 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
2SB1386T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.23 грн
2000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1386T100R description ROHMS09672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB1386T100R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+45.94 грн
19+ 39.15 грн
100+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SB1386T100R description 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
2SB1386T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.03 грн
10+ 31.74 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1386T100R description ROHMS09672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB1386T100R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1386T100R description rohm_semiconductor_rohms09672-1-1742596.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.7 грн
10+ 35.64 грн
100+ 21.49 грн
500+ 17.97 грн
1000+ 15.24 грн
2000+ 13.54 грн
5000+ 12.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1386 T100Q
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 31850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386 T100R
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 34018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386 T100R
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-Q
Виробник: KESENES
09+
на замовлення 165878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-R
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-T100Q
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386-T100R
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386/R
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 37018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386R
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386T
Виробник: ROHM
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386T
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 56018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1386
Код товару: 50501
товар відсутній
2SB1386T100Q
Код товару: 98785
1508269um0.pdf
2SB1386T100Q
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SC-62
fT: 120 MHz
Uке, В: 20 V
Uкб, В: 30 V
Iк, А: 5 А
товар відсутній
2SB1386 2SB1386.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
товар відсутній
2SB1386 2SB1386.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2SB1386
Виробник: ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1386-P-TP 2SB1386-x.pdf
2SB1386-P-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 20V 5A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1386-Q-TP 2sb1386sot-89-v1.pdf
Виробник: Micro Commercial Components
Trans GP BJT PNP 20V 5A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1386-Q-TP 2SB1386(SOT-89).pdf
2SB1386-Q-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1386-Q-TP 2SB1386_SOT_89_-2510321.pdf
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
товар відсутній
2SB1386-R-TP 2sb1386sot-89.pdf
2SB1386-R-TP
Виробник: Micro Commercial Components
Trans GP BJT PNP 20V 5A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1386-R-TP 2SB1386(SOT-89).pdf
2SB1386-R-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1386-R-TP 2SB1386_SOT_89_-2510321.pdf
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
товар відсутній
2SB1386T100
Виробник: ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1386T100R description 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
2SB1386T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній