Результат пошуку "2SD8" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1336
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 1567
Мінімальне замовлення: 1886
Мінімальне замовлення: 2004
Мінімальне замовлення: 1665
Мінімальне замовлення: 187
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 650
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 71
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 268
Мінімальне замовлення: 321
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD882P (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31893 |
NEC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-126 fT: 80 MHz Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 40 V Ic,A: 3 А h21: 400 Монтаж: THT |
у наявності: 497 шт
|
|
|||||||||||||||||||
2SD826G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD826G - 2SD826G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 50214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD826G | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 50214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD863E-AE | onsemi |
Description: BIP NPN 1A 50V Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD863E-AE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD863E-AE - 2SD863E - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD863F | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 18940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD863F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD863F - 2SD863F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 18940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD863F-AE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD863F-AE - 2SD863F - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD863F-AE | onsemi |
Description: BIP NPN 1A 50V Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD864K | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 12 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-220ABS Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 1808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD879 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD879 - 2SD879 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD879 | onsemi |
Description: TRANSISTOR Packaging: Bulk |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | STM | Транзистор біполярний TO-126 NPN Vceo = 30V Ic = 3A |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 12.5W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 90MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD882 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-32 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO |
на замовлення 3348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | LGE |
NPN 3A 40V 10W 90MHz 2SD882 SOT89 T2SD882 sot89 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | UTC |
NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882 SOT89 FUXINSEMI T2SD882 sot89 FUX кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH |
NPN 3A 40V 10W 90MHz 2SD882 T2SD882 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 540224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882-ML | MOSLEADER |
Description: 1W 2V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882P; NPN; 3A; 30V; 10W; Корпус: TO-126; NEC |
на замовлення 80 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2SD882PU D882 | UTC |
Trans. NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882PU D882; 2SD882PU SOT89 CBI T2SD882 sot89 CBI кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882SG-P-AB3-R | UTC |
0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT 2SD882SG-P-AB3-R 2SD882 SOT89-3 UTC T2SD882 sot89 UTC кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882SG-P-AB3-R | UTC |
0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT 2SD882SG-P-AB3-R 2SD882 SOT89-3 UTC T2SD882 sot89 UTC кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD882SQ-P | PJSEMI |
30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT 2SD882SQ-P SOT89 PJ T2SD882 sot89 PJ кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD896D | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PB Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 70 W |
на замовлення 7041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD896D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD896D - 2SD896D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2SD80 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD800 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD801 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD802 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD803 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD804 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD805 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD805-T1 | NEC | SOT89 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD806 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD808 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD8091 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD81 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD810 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD811 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD812 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD814-S | PANASONIC | SOD323 |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD814-TX | PANASONIC | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD814A | PANASONIC | 03+ SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD814A-(TX) | PANASONIC | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD814A-R | PANASONIC | SOT-23 |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD814ARL | PANASONIC | SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD816 | FUJI | MODULE |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD817 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD818 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD819 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD82 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD820 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD821 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD822 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2SD823 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
2SD824A |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SD882P (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31893 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 80 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 А
h21: 400
Монтаж: THT
у наявності: 497 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
2SD826G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD826G - 2SD826G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD826G - 2SD826G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1336+ | 18.18 грн |
2SD826G |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 50214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.16 грн |
2SD863E-AE |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 1A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: BIP NPN 1A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.42 грн |
2SD863E-AE |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD863E-AE - 2SD863E - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD863E-AE - 2SD863E - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 9.39 грн |
2SD863F |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 18940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1567+ | 12.78 грн |
2SD863F |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD863F - 2SD863F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD863F - 2SD863F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1886+ | 12.74 грн |
2SD863F-AE |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD863F-AE - 2SD863F - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD863F-AE - 2SD863F - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2004+ | 12.07 грн |
2SD863F-AE |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 1A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: BIP NPN 1A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1665+ | 12.11 грн |
2SD864K |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 12
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220ABS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 30 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 12
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220ABS
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
187+ | 108.32 грн |
2SD879 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD879 - 2SD879 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD879 - 2SD879 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 9.39 грн |
2SD879 |
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.42 грн |
2SD882 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 39.49 грн |
42+ | 19.76 грн |
113+ | 18.68 грн |
2SD882 |
Виробник: STM
Транзистор біполярний TO-126 NPN Vceo = 30V Ic = 3A
Транзистор біполярний TO-126 NPN Vceo = 30V Ic = 3A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 21.62 грн |
2SD882 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 3A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 47.39 грн |
42+ | 24.63 грн |
113+ | 22.42 грн |
10000+ | 21.59 грн |
2SD882 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD882 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - 2SD882 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 71.09 грн |
13+ | 57.68 грн |
100+ | 38 грн |
500+ | 29.61 грн |
2SD882 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.41 грн |
10+ | 38.58 грн |
100+ | 27.5 грн |
500+ | 24.51 грн |
1000+ | 22.32 грн |
2000+ | 20.72 грн |
4000+ | 20.33 грн |
2SD882 |
на замовлення 690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.08 грн |
2SD882 |
Виробник: UTC
NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882 SOT89 FUXINSEMI T2SD882 sot89 FUX
кількість в упаковці: 100 шт
NPN; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882 SOT89 FUXINSEMI T2SD882 sot89 FUX
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.58 грн |
2SD882 |
Виробник: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
NPN 3A 40V 10W 90MHz 2SD882 T2SD882
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 3A 40V 10W 90MHz 2SD882 T2SD882
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.68 грн |
2SD882-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 540224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
650+ | 30.95 грн |
2SD882-ML |
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 5.49 грн |
1000+ | 4.81 грн |
3000+ | 3.7 грн |
6000+ | 3.37 грн |
9000+ | 3.27 грн |
15000+ | 3.11 грн |
30000+ | 2.85 грн |
75000+ | 2.6 грн |
150000+ | 2.39 грн |
2SD882P; NPN; 3A; 30V; 10W; Корпус: TO-126; NEC |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
71+ | 9.42 грн |
2SD882PU D882 |
Виробник: UTC
Trans. NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882PU D882; 2SD882PU SOT89 CBI T2SD882 sot89 CBI
кількість в упаковці: 100 шт
Trans. NPN; 320; 500mW; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; 2SD882PU D882; 2SD882PU SOT89 CBI T2SD882 sot89 CBI
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 4.78 грн |
2SD882SG-P-AB3-R |
Виробник: UTC
0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT 2SD882SG-P-AB3-R 2SD882 SOT89-3 UTC T2SD882 sot89 UTC
кількість в упаковці: 50 шт
0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT 2SD882SG-P-AB3-R 2SD882 SOT89-3 UTC T2SD882 sot89 UTC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 10.64 грн |
2SD882SG-P-AB3-R |
Виробник: UTC
0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT 2SD882SG-P-AB3-R 2SD882 SOT89-3 UTC T2SD882 sot89 UTC
кількість в упаковці: 50 шт
0.5W 30V 3A NPN SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT 2SD882SG-P-AB3-R 2SD882 SOT89-3 UTC T2SD882 sot89 UTC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 5.12 грн |
2SD882SQ-P |
Виробник: PJSEMI
30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT 2SD882SQ-P SOT89 PJ T2SD882 sot89 PJ
кількість в упаковці: 100 шт
30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT 2SD882SQ-P SOT89 PJ T2SD882 sot89 PJ
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.58 грн |
2SD896D |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 70 W
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
268+ | 75.35 грн |
2SD896D |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD896D - 2SD896D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD896D - 2SD896D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
321+ | 76.01 грн |
2SD814A-(TX) |
Виробник: PANASONIC
SOT23/SOT323
SOT23/SOT323
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]