Результат пошуку "2sk35" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SK3562 2SK3562
Код товару: 30574
Toshiba description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 135 шт
1+30 грн
10+ 27 грн
2SK3510-Z-E1-AZ 2SK3510-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+271.03 грн
Мінімальне замовлення: 72
2SK3511-S19-AY 2SK3511-S19-AY Renesas Electronics Corporation RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+216.95 грн
Мінімальне замовлення: 90
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.05 грн
16000+ 4.21 грн
24000+ 4.13 грн
56000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 172173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.58 грн
14+ 19.81 грн
100+ 9.99 грн
500+ 7.65 грн
1000+ 5.68 грн
2000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.17 грн
12+ 23.2 грн
100+ 16.12 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2SK3557_D-2310101.pdf JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 68222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.83 грн
12+ 26.06 грн
100+ 16.86 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 10.22 грн
3000+ 9.31 грн
9000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2SK3557_D-2310101.pdf JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 73648 шт:
термін постачання 366-375 дні (днів)
10+31.07 грн
12+ 26.36 грн
100+ 15.95 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 10.09 грн
3000+ 8.53 грн
9000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.83 грн
10+ 60.37 грн
15+ 53.58 грн
41+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+84.52 грн
10+ 72.44 грн
15+ 64.3 грн
41+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba 92sk3564_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.72 грн
50+ 77.5 грн
100+ 61.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.63 грн
10+ 88.36 грн
100+ 59.97 грн
500+ 50.79 грн
1000+ 41.35 грн
2500+ 38.94 грн
5000+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) TOSHIBA 10779.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba 362sk3565_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 400
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 128
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3566.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.77 грн
6+ 61.72 грн
10+ 54.26 грн
16+ 50.19 грн
43+ 48.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3566.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+88.53 грн
4+ 76.91 грн
10+ 65.11 грн
16+ 60.23 грн
43+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba 72sk3566_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 750
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 162
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.95 грн
10+ 92.1 грн
100+ 62.38 грн
500+ 53.52 грн
1000+ 40.24 грн
5000+ 38.29 грн
10000+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.54 грн
50+ 79.97 грн
100+ 63.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3570-ZK-E1-AZ 2SK3570-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 307
2SK3573-AZ 2SK3573-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3573-ZK-E1-AZ 2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3575-AZ 2SK3575-AZ Renesas Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 126
2SK35
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502-01MR-80
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1 NEC 09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1 NEC SOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350401 FUJI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3505-01MR-MY FUJI-ELECT 07+ TO-220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3509 SANKEN 09+
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510 NEC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510 NEC 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511 07+ SMD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511Z 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK352
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3520-01MR-MY FUJI-ELECT TO-220 07+
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3521-01S-TE24R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3523-01R FUJI 05+06+
на замовлення 5119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3528-01R FUJI 05+06+
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK352D
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK352D 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK353 FUJI 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK353 FUJI
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK353-900L
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3562
Код товару: 30574
description
2SK3562
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 135 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 27 грн
2SK3510-Z-E1-AZ RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3510-Z-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+271.03 грн
Мінімальне замовлення: 72
2SK3511-S19-AY RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3511-S19-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+216.95 грн
Мінімальне замовлення: 90
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+5.05 грн
16000+ 4.21 грн
24000+ 4.13 грн
56000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 172173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.58 грн
14+ 19.81 грн
100+ 9.99 грн
500+ 7.65 грн
1000+ 5.68 грн
2000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.17 грн
12+ 23.2 грн
100+ 16.12 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2SK3557_D-2310101.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: onsemi
JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 68222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.83 грн
12+ 26.06 грн
100+ 16.86 грн
500+ 13.28 грн
1000+ 10.22 грн
3000+ 9.31 грн
9000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3557-7-TB-E 2SK3557_D-2310101.pdf
2SK3557-7-TB-E
Виробник: onsemi
JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 73648 шт:
термін постачання 366-375 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.07 грн
12+ 26.36 грн
100+ 15.95 грн
500+ 12.44 грн
1000+ 10.09 грн
3000+ 8.53 грн
9000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.83 грн
10+ 60.37 грн
15+ 53.58 грн
41+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+84.52 грн
10+ 72.44 грн
15+ 64.3 грн
41+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 92sk3564_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.72 грн
50+ 77.5 грн
100+ 61.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.63 грн
10+ 88.36 грн
100+ 59.97 грн
500+ 50.79 грн
1000+ 41.35 грн
2500+ 38.94 грн
5000+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3565 description
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565 description
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565(STA4,Q,M) 10779.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SK3565(STA4,Q,M) 362sk3565_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3565(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 400
2SK3565(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
128+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 128
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.77 грн
6+ 61.72 грн
10+ 54.26 грн
16+ 50.19 грн
43+ 48.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+88.53 грн
4+ 76.91 грн
10+ 65.11 грн
16+ 60.23 грн
43+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) 72sk3566_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 750
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+69.91 грн
Мінімальне замовлення: 162
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.95 грн
10+ 92.1 грн
100+ 62.38 грн
500+ 53.52 грн
1000+ 40.24 грн
5000+ 38.29 грн
10000+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.54 грн
50+ 79.97 грн
100+ 63.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3570-ZK-E1-AZ RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3570-ZK-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 307
2SK3573-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3573-ZK-E1-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-ZK-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+157.72 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3575-AZ
2SK3575-AZ
Виробник: Renesas
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 126
2SK35
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502-01MR-80
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1
Виробник: NEC
09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1
Виробник: NEC
SOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350401
Виробник: FUJI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3505-01MR-MY
Виробник: FUJI-ELECT
07+ TO-220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3509
Виробник: SANKEN
09+
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510
Виробник: NEC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510
Виробник: NEC
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511
07+ SMD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511Z
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK352
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3520-01MR-MY
Виробник: FUJI-ELECT
TO-220 07+
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3521-01S-TE24R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3523-01R
Виробник: FUJI
05+06+
на замовлення 5119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3528-01R
Виробник: FUJI
05+06+
на замовлення 158500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK352D
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK352D
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK353
Виробник: FUJI
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK353
Виробник: FUJI
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK353-900L
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]