Результат пошуку "2sk35" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SK3562 2SK3562
Код товару: 30574 		Toshiba description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
2+30 грн
10+ 27 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3510-Z-E1-AZ 2SK3510-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+298.84 грн
Мінімальне замовлення: 72
2SK3511-S19-AY 2SK3511-S19-AY Renesas Electronics Corporation RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+239.21 грн
Мінімальне замовлення: 90
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.59 грн
24000+ 4.19 грн
48000+ 3.9 грн
72000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.57 грн
16000+ 4.64 грн
24000+ 4.55 грн
56000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3541T2L 2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2sk3541.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 149580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
14+ 21.77 грн
100+ 11.02 грн
500+ 8.44 грн
1000+ 6.26 грн
2000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.18 грн
500+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.41 грн
27+ 22.66 грн
28+ 22.33 грн
100+ 16.21 грн
250+ 14.86 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 10.14 грн
3000+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+ 9.57 грн
9000+ 8.88 грн
30000+ 8.15 грн
75000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 75072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.21 грн
12+ 25.58 грн
100+ 17.78 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ONSEMI ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.18 грн
26+ 30.87 грн
100+ 19.18 грн
500+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor 992sk3557-d.pdf Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 1183
2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E onsemi 2SK3557_D-2310101.pdf JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 77225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.58 грн
12+ 28.16 грн
100+ 17.03 грн
500+ 13.3 грн
1000+ 10.77 грн
3000+ 9.5 грн
9000+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
на замовлення 26939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.21 грн
12+ 25.8 грн
100+ 17.95 грн
500+ 13.15 грн
1000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2SK3557_D-2310101.pdf JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 60266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.84 грн
12+ 28.49 грн
100+ 18.44 грн
500+ 14.5 грн
1000+ 11.19 грн
3000+ 10.2 грн
9000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-7-TB-E 2SK3557-7-TB-E onsemi 2sk3557-d.pdf Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
6000+ 9.67 грн
9000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.68 грн
6+ 69.64 грн
10+ 62.31 грн
15+ 58.64 грн
41+ 55.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.41 грн
4+ 86.78 грн
10+ 74.77 грн
15+ 70.37 грн
41+ 66.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.96 грн
10+ 92.29 грн
100+ 62.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.98 грн
10+ 81.73 грн
100+ 57.35 грн
500+ 46.3 грн
1000+ 40.18 грн
2500+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba 92sk3564_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565 Toshiba description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) TOSHIBA 10779.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.49 грн
10+ 86.5 грн
11+ 81.36 грн
29+ 76.97 грн
50+ 75.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) TOSHIBA 10779.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.35 грн
3+ 135.19 грн
10+ 103.8 грн
11+ 97.64 грн
29+ 92.36 грн
50+ 90.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 108
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+107.4 грн
Мінімальне замовлення: 300
2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565(STA4,Q,M) Toshiba 362sk3565_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3566.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.89 грн
6+ 70.37 грн
10+ 62.31 грн
16+ 55.71 грн
43+ 52.78 грн
250+ 51.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) TOSHIBA 2SK3566.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.46 грн
4+ 87.69 грн
10+ 74.77 грн
16+ 66.85 грн
43+ 63.33 грн
250+ 61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.04 грн
10+ 94.68 грн
100+ 64.95 грн
500+ 54.96 грн
1000+ 42.15 грн
5000+ 40.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+43.92 грн
325+ 37.62 грн
342+ 35.69 грн
Мінімальне замовлення: 278
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba 72sk3566_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153 грн
10+ 94.49 грн
100+ 64.19 грн
500+ 48.05 грн
1000+ 44.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 750
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 247
2SK3566,S5Q(J Toshiba docget.pdf Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+40.51 грн
314+ 38.89 грн
500+ 37.48 грн
1000+ 34.97 грн
Мінімальне замовлення: 302
2SK3566,S5Q(J Toshiba docget.pdf Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+40.51 грн
314+ 38.89 грн
500+ 37.48 грн
Мінімальне замовлення: 302
2SK3570-ZK-E1-AZ 2SK3570-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 307
2SK3573-AZ 2SK3573-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+173.91 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3573-ZK-E1-AZ 2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+173.91 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3575-AZ 2SK3575-AZ Renesas Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+168.94 грн
Мінімальне замовлення: 126
2SK35
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502-01MR-80
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1 NEC SOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1 NEC 09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350401 FUJI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3505-01MR-MY FUJI-ELECT 07+ TO-220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3509 SANKEN 09+
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510 NEC 07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510 NEC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511 07+ SMD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3562
Код товару: 30574		 description
2SK3562
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1050/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+30 грн
10+ 27 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3510-Z-E1-AZ RNCCS18644-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3510-Z-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+298.84 грн
Мінімальне замовлення: 72
2SK3511-S19-AY RNCCS17512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3511-S19-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+239.21 грн
Мінімальне замовлення: 90
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+4.59 грн
24000+ 4.19 грн
48000+ 3.9 грн
72000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+5.57 грн
16000+ 4.64 грн
24000+ 4.55 грн
56000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000
2SK3541T2L 2sk3541.pdf
2SK3541T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 149580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.73 грн
14+ 21.77 грн
100+ 11.02 грн
500+ 8.44 грн
1000+ 6.26 грн
2000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.18 грн
500+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.41 грн
27+ 22.66 грн
28+ 22.33 грн
100+ 16.21 грн
250+ 14.86 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 10.14 грн
3000+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.47 грн
6000+ 9.57 грн
9000+ 8.88 грн
30000+ 8.15 грн
75000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3557-6-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Output: 200mW
Technology: JFET
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Noise Figure: 1dB
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Voltage - Rated: 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
на замовлення 75072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.21 грн
12+ 25.58 грн
100+ 17.78 грн
500+ 13.02 грн
1000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-6-TB-E ONSMS36072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3557-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3557-6-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 20 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+37.18 грн
26+ 30.87 грн
100+ 19.18 грн
500+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 22
2SK3557-6-TB-E 992sk3557-d.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1183+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 1183
2SK3557-6-TB-E 2SK3557_D-2310101.pdf
2SK3557-6-TB-E
Виробник: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 77225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.58 грн
12+ 28.16 грн
100+ 17.03 грн
500+ 13.3 грн
1000+ 10.77 грн
3000+ 9.5 грн
9000+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
на замовлення 26939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.21 грн
12+ 25.8 грн
100+ 17.95 грн
500+ 13.15 грн
1000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-7-TB-E 2SK3557_D-2310101.pdf
2SK3557-7-TB-E
Виробник: onsemi
JFETs LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
на замовлення 60266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.84 грн
12+ 28.49 грн
100+ 18.44 грн
500+ 14.5 грн
1000+ 11.19 грн
3000+ 10.2 грн
9000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3557-7-TB-E 2sk3557-d.pdf
2SK3557-7-TB-E
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 5V 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 50mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Noise Figure: 1dB
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 1 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32 mA @ 5 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.57 грн
6000+ 9.67 грн
9000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.68 грн
6+ 69.64 грн
10+ 62.31 грн
15+ 58.64 грн
41+ 55.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.41 грн
4+ 86.78 грн
10+ 74.77 грн
15+ 70.37 грн
41+ 66.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.96 грн
10+ 92.29 грн
100+ 62.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.98 грн
10+ 81.73 грн
100+ 57.35 грн
500+ 46.3 грн
1000+ 40.18 грн
2500+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SK3564(STA4,Q,M) 92sk3564_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3564(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3564(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3565 description
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565 description
Виробник: Toshiba
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; 2SK3565(Q,M), 2SK3565(STA4,Q,M) 2SK3565 T2SK3565
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK3565(STA4,Q,M) 10779.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.49 грн
10+ 86.5 грн
11+ 81.36 грн
29+ 76.97 грн
50+ 75.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SK3565(STA4,Q,M) 10779.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.35 грн
3+ 135.19 грн
10+ 103.8 грн
11+ 97.64 грн
29+ 92.36 грн
50+ 90.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3565(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 108
2SK3565(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+107.4 грн
Мінімальне замовлення: 300
2SK3565(STA4,Q,M) 362sk3565_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SK3565(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.89 грн
6+ 70.37 грн
10+ 62.31 грн
16+ 55.71 грн
43+ 52.78 грн
250+ 51.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.46 грн
4+ 87.69 грн
10+ 74.77 грн
16+ 66.85 грн
43+ 63.33 грн
250+ 61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566_datasheet_en_20131101-1369486.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.04 грн
10+ 94.68 грн
100+ 64.95 грн
500+ 54.96 грн
1000+ 42.15 грн
5000+ 40.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+43.92 грн
325+ 37.62 грн
342+ 35.69 грн
Мінімальне замовлення: 278
2SK3566(STA4,Q,M) 72sk3566_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK3566(STA4,Q,M) Mosfets_Prod_Guide.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153 грн
10+ 94.49 грн
100+ 64.19 грн
500+ 48.05 грн
1000+ 44.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
750+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 750
2SK3566(STA4,Q,M) docget.pdf
2SK3566(STA4,Q,M)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
247+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 247
2SK3566,S5Q(J docget.pdf
Виробник: Toshiba
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
302+40.51 грн
314+ 38.89 грн
500+ 37.48 грн
1000+ 34.97 грн
Мінімальне замовлення: 302
2SK3566,S5Q(J docget.pdf
Виробник: Toshiba
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
302+40.51 грн
314+ 38.89 грн
500+ 37.48 грн
Мінімальне замовлення: 302
2SK3570-ZK-E1-AZ RNCCS11481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3570-ZK-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+69.56 грн
Мінімальне замовлення: 307
2SK3573-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+173.91 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3573-ZK-E1-AZ RNCCS17530-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3573-ZK-E1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+173.91 грн
Мінімальне замовлення: 123
2SK3575-AZ
2SK3575-AZ
Виробник: Renesas
Description: 2SK3575 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
126+168.94 грн
Мінімальне замовлення: 126
2SK35
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3502-01MR-80
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1
Виробник: NEC
SOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3503-T1
Виробник: NEC
09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK350401
Виробник: FUJI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3505-01MR-MY
Виробник: FUJI-ELECT
07+ TO-220
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3509
Виробник: SANKEN
09+
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK351
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510
Виробник: NEC
07+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3510
Виробник: NEC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511
07+ SMD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK3511Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]