Результат пошуку "AON6407" : 11
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON6407 Код товару: 127396
Додати до обраних
Обраний товар
|
Alpha & Omega |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: DFN5X6 Uds,V: -30 V Id,A: -85 A Rds(on),Om: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3505/75 Монтаж: SMD |
у наявності: 1113 шт
888 шт - склад
103 шт - РАДІОМАГ-Київ 18 шт - РАДІОМАГ-Львів 40 шт - РАДІОМАГ-Харків 22 шт - РАДІОМАГ-Одеса 42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
|
AON6407 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -67A Power dissipation: 33W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON6407 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -67A Power dissipation: 33W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
AON6407 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
AON6407 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
AON6407 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| AON6407 | ALPHA&OMEGA |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6407 TAON6407кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AON6407 | Alpha & Omega Semiconductors, Inc |
MOSFET P-CH 30V 32A/85A DFN-8 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
AON6407 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
AON6407 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AON6407 Код товару: 127396
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Alpha & Omega
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: DFN5X6
Uds,V: -30 V
Id,A: -85 A
Rds(on),Om: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3505/75
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: DFN5X6
Uds,V: -30 V
Id,A: -85 A
Rds(on),Om: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3505/75
Монтаж: SMD
у наявності: 1113 шт
888 шт - склад
103 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
40 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
103 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
40 шт - РАДІОМАГ-Харків
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
42 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 46.00 грн |
| 10+ | 41.40 грн |
| 100+ | 36.90 грн |
| AON6407 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.10 грн |
| 10+ | 39.84 грн |
| 25+ | 32.14 грн |
| 100+ | 30.00 грн |
| 500+ | 27.86 грн |
| AON6407 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN5x6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -67A
Power dissipation: 33W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 76.92 грн |
| 6+ | 49.65 грн |
| 25+ | 38.57 грн |
| 100+ | 36.00 грн |
| 500+ | 33.43 грн |
| AON6407 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AON6407 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AON6407 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 35.78 грн |
| 21+ | 35.22 грн |
| 25+ | 34.64 грн |
| 100+ | 32.85 грн |
| 250+ | 29.92 грн |
| AON6407 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6407 TAON6407
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C; AON6407 TAON6407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 39.01 грн |
| AON6407 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductors, Inc
MOSFET P-CH 30V 32A/85A DFN-8
MOSFET P-CH 30V 32A/85A DFN-8
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AON6407 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AON6407 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



