Результат пошуку "BFS17" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BFS 17P E6327 BFS 17P E6327 Infineon Technologies Infineon_BFS17P_DS_v01_01_EN-1225963.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 164681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.01 грн
17+ 17.67 грн
100+ 8.73 грн
1000+ 4.43 грн
3000+ 3.84 грн
9000+ 3.06 грн
24000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFS 17W H6327 BFS 17W H6327 Infineon Technologies Infineon-BFS17W-DS-v01_01-en-1225548.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 164163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.76 грн
17+ 18.2 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 4.56 грн
3000+ 3.97 грн
9000+ 3.19 грн
24000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFS17A,215 NXP BFS17A_Rev_Oct2010.pdf Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=2,8GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
43+6.31 грн
47+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 43
BFS17NTA BFS17NTA Diodes Zetex ds32160.pdf Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17NTA BFS17NTA Diodes Incorporated ds32160.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
6000+ 8.26 грн
15000+ 7.69 грн
30000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17NTA BFS17NTA Diodes Incorporated DIODS15831_1-2541756.pdf RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
на замовлення 25854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.58 грн
15+ 20.97 грн
100+ 13.67 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 8.01 грн
3000+ 7.16 грн
9000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFS17NTA BFS17NTA DIODES INC. DIODS15831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.7 грн
500+ 12.01 грн
1000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFS17NTA BFS17NTA Diodes Incorporated ds32160.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 66321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.06 грн
13+ 21.37 грн
25+ 19.91 грн
100+ 14.96 грн
250+ 13.89 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFS17NTA BFS17NTA Diodes Zetex ds32160.pdf Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.4 грн
27+ 20.82 грн
30+ 18.95 грн
100+ 15.16 грн
250+ 13.24 грн
500+ 11.04 грн
1000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFS17NTA BFS17NTA DIODES INC. DIODS15831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.39 грн
32+ 23.01 грн
100+ 15.7 грн
500+ 12.01 грн
1000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFS17NTA BFS17NTA Diodes Zetex ds32160.pdf Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+20.4 грн
669+ 16.9 грн
708+ 15.96 грн
814+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 554
BFS17PE6327 BFS17PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFS17P.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 25mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.5GHz
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+14.61 грн
70+ 5.13 грн
100+ 4.53 грн
210+ 3.73 грн
580+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFS17PE6327 NXP/Nexperia/We-En Транзистор NPN; Uceo, В = 0,3; Ic = 25; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
236+2.65 грн
254+ 2.46 грн
273+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 236
BFS17PE6327 BFS17PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFS17P.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 25mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.5GHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+17.53 грн
40+ 6.39 грн
100+ 5.44 грн
210+ 4.48 грн
580+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+19.57 грн
72+ 7.84 грн
73+ 7.76 грн
116+ 4.66 грн
250+ 4.27 грн
500+ 4.06 грн
1000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 INFINEON 2331323.pdf Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.21 грн
76+ 9.64 грн
123+ 5.98 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.32 грн
5000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
9000+ 3.34 грн
24000+ 3.12 грн
45000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFS17P_DS_v01_01_EN-1225963.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 791919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.75 грн
38+ 8.09 грн
100+ 4.36 грн
1000+ 3.58 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.8 грн
24000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 INFINEON 2331323.pdf Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.64 грн
123+ 5.98 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.32 грн
5000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17PE6327HTSA1 Infineon bfs17p.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142707fafd06b5 Transistor NPN; Bipolar; 150; 280mW; 15V; 25mA; 1,4GHz; -55°C~150°C; Substitute: BFS17PE6327; BFS17PE6327HTSA1; BFS17PE6327 TBFS17p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
BFS17WH6327XTSA1
+1
BFS17WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFS17W-DS-v01_01-en.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 25mA; 0.28W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT323
Current gain: 20...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.5GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.69 грн
75+ 4.56 грн
100+ 4.1 грн
265+ 2.98 грн
725+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 35
BFS17WH6327XTSA1 BFS17WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfs17w.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFS17WH6327XTSA1 BFS17WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFS17W_DS_v01_01_en-1731139.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 74759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.45 грн
13+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFS17 SOT23-E1P PHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17(E1)GS08 VISHAY SOT23-E1
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17(E1)GS08 SOT23-E1 VISHAY
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17(E1)GS08SOT23-E1 VISHAY
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A PHILIPS 09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A NXP 09+ TSSOP
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A VISHAY 09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A PHI SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A PHI SOT23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A(E2)GS08 TEMIC 98+
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A-GS08 VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17AW (транзистор биполярный NPN) Транзисторы биполярные NPN
на замовлення 1 шт:
термін постачання 1-2 дні (днів)
BFS17LT1 ON SOT23
на замовлення 115958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17PE-6327
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17PE6327HTSA1 Infineon bfs17p.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142707fafd06b5
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17SOT23-E1 PHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17T116 BFS17T116 Транзисторы Bipolar
на замовлення 93 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFS17W PHILIPS
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17W H6327 Infineon Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
NTE108 NTE108 NTE Electronics nte108.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 50mA; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...200
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.5 грн
5+ 78 грн
10+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFS17 (BFS17.215) транзистор BFS17 (BFS17.215) транзистор
Код товару: 72604
NXP Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 1600 MHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,025 A
товар відсутній
BFS17A BFS17A
Код товару: 75898
NXP datasheet-bfs17a.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 2,8 GHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,025 A
Монтаж: SMD
товар відсутній
BFS17AW (транзистор біполярний NPN) BFS17AW (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 15600
BFS17A,AR,AW.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 1 GHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,025 A
h21: 90
Монтаж: SMD
товар відсутній
BFS17NTA
Код товару: 128812
ds32160.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BFS 17P E6433 BFS 17P E6433 Infineon Technologies bfs17p.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142707fafd06b5 Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
товар відсутній
BFS 17P E8211 BFS 17P E8211 Infineon Technologies Description: RF TRANS NPN SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
товар відсутній
BFS 17S H6327 BFS 17S H6327 Infineon Technologies bfs17s.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BFS-17.780-17.965-100K-100M L3 Narda-MITEQ Description: SYNTHESIZER
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
BFS17 NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN 1GHz wideband transistor
товар відсутній
BFS17 T/R BFS17 T/R NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
товар відсутній
BFS17,215 BFS17,215 NXP Semiconductors bfs17_2.pdf Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 300mW 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFS17,215 BFS17,215 NXP USA Inc. BFS17_Rev_Oct2010.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFS17,215 BFS17,215 NXP USA Inc. BFS17_Rev_Oct2010.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFS17,235 BFS17,235 NXP Semiconductors bfs17_2.pdf High Reliability RF BJT IC
товар відсутній
BFS17,235 BFS17,235 NXP USA Inc. BFS17_Rev_Oct2010.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFS 17P E6327 Infineon_BFS17P_DS_v01_01_EN-1225963.pdf
BFS 17P E6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 164681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.01 грн
17+ 17.67 грн
100+ 8.73 грн
1000+ 4.43 грн
3000+ 3.84 грн
9000+ 3.06 грн
24000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFS 17W H6327 Infineon-BFS17W-DS-v01_01-en-1225548.pdf
BFS 17W H6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 164163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.76 грн
17+ 18.2 грн
100+ 8.99 грн
1000+ 4.56 грн
3000+ 3.97 грн
9000+ 3.19 грн
24000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFS17A,215 BFS17A_Rev_Oct2010.pdf
Виробник: NXP
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT23 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=2,8GHz; Pdmax=0,3W; hfe=90
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+6.31 грн
47+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 43
BFS17NTA ds32160.pdf
BFS17NTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17NTA ds32160.pdf
BFS17NTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.16 грн
6000+ 8.26 грн
15000+ 7.69 грн
30000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17NTA DIODS15831_1-2541756.pdf
BFS17NTA
Виробник: Diodes Incorporated
RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
на замовлення 25854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.58 грн
15+ 20.97 грн
100+ 13.67 грн
500+ 11.53 грн
1000+ 8.01 грн
3000+ 7.16 грн
9000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFS17NTA DIODS15831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFS17NTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.7 грн
500+ 12.01 грн
1000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFS17NTA ds32160.pdf
BFS17NTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 66321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.06 грн
13+ 21.37 грн
25+ 19.91 грн
100+ 14.96 грн
250+ 13.89 грн
500+ 11.75 грн
1000+ 8.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFS17NTA ds32160.pdf
BFS17NTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+26.4 грн
27+ 20.82 грн
30+ 18.95 грн
100+ 15.16 грн
250+ 13.24 грн
500+ 11.04 грн
1000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFS17NTA DIODS15831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFS17NTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BFS17NTA - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 11 V, 3.2 GHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.39 грн
32+ 23.01 грн
100+ 15.7 грн
500+ 12.01 грн
1000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFS17NTA ds32160.pdf
BFS17NTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
554+20.4 грн
669+ 16.9 грн
708+ 15.96 грн
814+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 554
BFS17PE6327 BFS17P.pdf
BFS17PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 25mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.5GHz
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+14.61 грн
70+ 5.13 грн
100+ 4.53 грн
210+ 3.73 грн
580+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFS17PE6327
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN; Uceo, В = 0,3; Ic = 25; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
236+2.65 грн
254+ 2.46 грн
273+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 236
BFS17PE6327 BFS17P.pdf
BFS17PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 25mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.5GHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+17.53 грн
40+ 6.39 грн
100+ 5.44 грн
210+ 4.48 грн
580+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFS17PE6327HTSA1 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFS17PE6327HTSA1 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+19.57 грн
72+ 7.84 грн
73+ 7.76 грн
116+ 4.66 грн
250+ 4.27 грн
500+ 4.06 грн
1000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFS17PE6327HTSA1 2331323.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+22.21 грн
76+ 9.64 грн
123+ 5.98 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.32 грн
5000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFS17PE6327HTSA1 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.77 грн
9000+ 3.34 грн
24000+ 3.12 грн
45000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17PE6327HTSA1 Infineon_BFS17P_DS_v01_01_EN-1225963.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 791919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.75 грн
38+ 8.09 грн
100+ 4.36 грн
1000+ 3.58 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.8 грн
24000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFS17PE6327HTSA1 2331323.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFS17PE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 2.5 GHz, 280 mW, 25 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.64 грн
123+ 5.98 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.32 грн
5000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFS17PE6327HTSA1 194534937862021bfs17p.pdffileiddb3a30431400ef6801142707fafd06b5folderiddb3a30431.pdf
BFS17PE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFS17PE6327HTSA1 bfs17p.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142707fafd06b5
Виробник: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 150; 280mW; 15V; 25mA; 1,4GHz; -55°C~150°C; Substitute: BFS17PE6327; BFS17PE6327HTSA1; BFS17PE6327 TBFS17p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
BFS17WH6327XTSA1 Infineon-BFS17W-DS-v01_01-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 25mA; 0.28W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT323
Current gain: 20...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2.5GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.69 грн
75+ 4.56 грн
100+ 4.1 грн
265+ 2.98 грн
725+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 35
BFS17WH6327XTSA1 bfs17w.pdf
BFS17WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFS17WH6327XTSA1 Infineon_BFS17W_DS_v01_01_en-1731139.pdf
BFS17WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 74759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.45 грн
13+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFS17 SOT23-E1P
Виробник: PHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17(E1)GS08
Виробник: VISHAY
SOT23-E1
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17(E1)GS08 SOT23-E1
Виробник: VISHAY
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17(E1)GS08SOT23-E1
Виробник: VISHAY
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A
Виробник: PHILIPS
09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A
Виробник: NXP
09+ TSSOP
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A
Виробник: PHI
SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A
Виробник: PHI
SOT23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A(E2)GS08
Виробник: TEMIC
98+
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17A-GS08
Виробник: VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17AW (транзистор биполярный NPN)
Транзисторы биполярные NPN
на замовлення 1 шт:
термін постачання 1-2 дні (днів)
BFS17LT1
Виробник: ON
SOT23
на замовлення 115958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17PE-6327
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17PE6327HTSA1 bfs17p.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142707fafd06b5
Виробник: Infineon
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17SOT23-E1
Виробник: PHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17T116
BFS17T116 Транзисторы Bipolar
на замовлення 93 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFS17W
Виробник: PHILIPS
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFS17W H6327
Виробник: Infineon
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT323 Uceo=15V; Ic=0,025A; f=1GHz
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
NTE108 nte108.pdf
NTE108
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 50mA; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...200
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.5 грн
5+ 78 грн
10+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFS17 (BFS17.215) транзистор
Код товару: 72604
BFS17 (BFS17.215) транзистор
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 1600 MHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,025 A
товар відсутній
BFS17A
Код товару: 75898
datasheet-bfs17a.pdf
BFS17A
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 2,8 GHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,025 A
Монтаж: SMD
товар відсутній
BFS17AW (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 15600
BFS17A,AR,AW.pdf
BFS17AW (транзистор біполярний NPN)
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 1 GHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,025 A
h21: 90
Монтаж: SMD
товар відсутній
BFS17NTA
Код товару: 128812
ds32160.pdf
товар відсутній
BFS 17P E6433 bfs17p.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142707fafd06b5
BFS 17P E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
товар відсутній
BFS 17P E8211
BFS 17P E8211
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1.4GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
товар відсутній
BFS 17S H6327 bfs17s.pdf
BFS 17S H6327
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 280mW 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BFS-17.780-17.965-100K-100M
Виробник: L3 Narda-MITEQ
Description: SYNTHESIZER
Packaging: Box
Part Status: Active
товар відсутній
BFS17
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN 1GHz wideband transistor
товар відсутній
BFS17 T/R
BFS17 T/R
Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
товар відсутній
BFS17,215 bfs17_2.pdf
BFS17,215
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 300mW 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BFS17,215 BFS17_Rev_Oct2010.pdf
BFS17,215
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFS17,215 BFS17_Rev_Oct2010.pdf
BFS17,215
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BFS17,235 bfs17_2.pdf
BFS17,235
Виробник: NXP Semiconductors
High Reliability RF BJT IC
товар відсутній
BFS17,235 BFS17_Rev_Oct2010.pdf
BFS17,235
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition: 1GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]