Результат пошуку "FF300R12KS4" : 13
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF300R12KS4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.95kW Mechanical mounting: screw |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1950 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
FF300R12KS4, | EUPEC IGBT | 300A1200V2U |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF300R12KS4 Код товару: 46572
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
FF300R12KS4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.95kW Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FF300R12KS4 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 15091.01 грн |
FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 15246.96 грн |
FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20216.54 грн |
FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1950 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1950 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12033.82 грн |
10+ | 10584.50 грн |
FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 12009.31 грн |
5+ | 11765.88 грн |
10+ | 11035.58 грн |
FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12043.55 грн |
FF300R12KS4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12392.66 грн |
FF300R12KS4, |
Виробник: EUPEC IGBT
300A1200V2U
300A1200V2U
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FF300R12KS4 Код товару: 46572
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF300R12KS4 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18109.21 грн |
FF300R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF300R12KS4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 7-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 7-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.