Результат пошуку "G80N60" : 13

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G80N60 FSC
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60UF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 SIHG80N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg80n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1091.98 грн
10+804.43 грн
100+603.84 грн
500+572.46 грн
1000+540.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg80n60ef.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.40 грн
10+743.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60
Код товару: 77783
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60UF
Код товару: 86430
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60UFD
Код товару: 100656
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild sgh80n60ufd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60
Виробник: FSC
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60UF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
SIHG80N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.98 грн
10+804.43 грн
100+603.84 грн
500+572.46 грн
1000+540.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.40 грн
10+743.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60
Код товару: 77783
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60UF
Код товару: 86430
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N60UFD
Код товару: 100656
Додати до обраних Обраний товар

sgh80n60ufd.pdf
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.