Результат пошуку "G80N60" : 13
Вид перегляду :
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G80N60 | FSC |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
G80N60UF |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
SIHG80N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SIHG80N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
G80N60 Код товару: 77783
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
G80N60UF Код товару: 86430
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
G80N60UFD Код товару: 100656
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO247AC Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 195 W |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHG80N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 443nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHG80N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 443nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHG80N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 254A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
SIHG80N60EF-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 254A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
G80N60 |
Виробник: FSC
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SIHG80N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1091.98 грн |
10+ | 804.43 грн |
100+ | 603.84 грн |
500+ | 572.46 грн |
1000+ | 540.31 грн |
SIHG80N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 788.40 грн |
10+ | 743.70 грн |
G80N60 Код товару: 77783
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
G80N60UF Код товару: 86430
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
G80N60UFD Код товару: 100656
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
Транзистори > IGBT
Корпус: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHG80N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHG80N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHG80N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIHG80N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.