Результат пошуку "HER308" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 85
Мінімальне замовлення: 89
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3600
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 180
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 1250
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1250
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1250
Мінімальне замовлення: 1250
Мінімальне замовлення: 1250
Мінімальне замовлення: 1250
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER308 Код товару: 31476 |
YJ |
![]() ![]() Корпус: DO-201AD Vrr, V: 1000 V Iav, A: 3 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns |
у наявності: 190 шт
очікується:
300 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
HER308 Код товару: 172115 |
MIC |
![]() ![]() Корпус: DO-201AD Vrr, V: 1000 V Iav, A: 0,125 Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns |
у наявності: 657 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
HER308 | CDIL |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 70pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HER308 | Yangjie Technology |
![]() |
на замовлення 85 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HER308 | DC Components |
![]() |
на замовлення 368 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
HER308 | CDIL |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 70pF Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308 | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308 | Rectron |
![]() ![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308-B | Rectron |
![]() |
на замовлення 8667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HER308; (3A 1000V); 75ns YANGJIE на ленте; корпус: DO-201AD |
на замовлення 7110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
HER308G | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | HY Electronic (Cayman) Limited |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 130-139 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308GH | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308GH | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HER308 |
![]() |
на замовлення 103 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
HER308G |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
NTE577 | NTE Electronics |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 5A; Ifsm: 200A; Ø9,4x6,35mm; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Max. forward impulse current: 200A Case: Ø9,4x6,35mm Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 70ns |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
UF5408 | MIC |
![]() кількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
UF5408 | LGE |
![]() кількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
UF5408 | LGE |
![]() кількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
UF5408 | MIC |
![]() кількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HER308-AP Код товару: 15448 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
HER308G Код товару: 186358 |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
HER308 | DC COMPONENTS |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 100ns |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308 | DC COMPONENTS |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 100ns |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308 | DC COMPONENTS |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308 | EIC |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308 | Rectron |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308 | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
HER308 A0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
HER308 A0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
HER308 B0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
HER308 B0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
HER308 R0 | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308 R0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A,1000V, HIGH EFFICIENT RECTIFIER |
товар відсутній |
|||||||||||||||
HER308 R0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
HER308 X0 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
HER308 X0G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
HER308-AP | Micro Commercial Co |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308-T | Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308-T | Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308-T | Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308-TP | Micro Commercial Components |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
HER308-TP | Micro Commercial Co |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G | SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
HER308G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
HER308G | SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G A0 | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G A0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G A0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G A0G | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G B0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G R0 | Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
HER308 Код товару: 31476 |
![]() |
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 190 шт
очікується:
300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 4 грн |
14+ | 3.6 грн |
100+ | 3.2 грн |
HER308 Код товару: 172115 |
![]() |
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 0,125
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 0,125
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 657 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 3 грн |
20+ | 2.6 грн |
100+ | 2.1 грн |
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 12.47 грн |
60+ | 6.23 грн |
70+ | 5.57 грн |
180+ | 4.84 грн |
490+ | 4.54 грн |
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 12.47 грн |
55+ | 6.89 грн |
100+ | 6.16 грн |
165+ | 5.28 грн |
450+ | 4.98 грн |
HER308 | ![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
85+ | 7.35 грн |
100+ | 6.24 грн |
HER308 | ![]() |
Виробник: DC Components
Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; trr, нс = 75 мс; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; DO-27
Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; trr, нс = 75 мс; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; DO-27
на замовлення 368 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
89+ | 7.05 грн |
99+ | 6.35 грн |
111+ | 5.65 грн |
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.97 грн |
40+ | 7.76 грн |
50+ | 6.69 грн |
180+ | 5.81 грн |
490+ | 5.45 грн |
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.97 грн |
35+ | 8.59 грн |
100+ | 7.39 грн |
165+ | 6.33 грн |
450+ | 5.98 грн |
1250+ | 5.89 грн |
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: Rectron
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3600+ | 12.27 грн |
HER308-B |
![]() |
Виробник: Rectron
Rectifiers 3A 1000V 70ns
Rectifiers 3A 1000V 70ns
на замовлення 8667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 39 грн |
10+ | 33.02 грн |
100+ | 19.98 грн |
500+ | 15.55 грн |
1000+ | 9.5 грн |
50000+ | 9.29 грн |
HER308; (3A 1000V); 75ns YANGJIE на ленте; корпус: DO-201AD |
на замовлення 7110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
180+ | 3.89 грн |
HER308G |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 20.21 грн |
45+ | 8.21 грн |
100+ | 7.48 грн |
155+ | 5.66 грн |
420+ | 5.35 грн |
HER308G |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 24.25 грн |
30+ | 10.23 грн |
100+ | 8.97 грн |
155+ | 6.79 грн |
420+ | 6.42 грн |
HER308G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.58 грн |
10+ | 32.47 грн |
100+ | 22.58 грн |
500+ | 16.55 грн |
HER308G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 48.15 грн |
20+ | 40.26 грн |
100+ | 25.18 грн |
500+ | 18.25 грн |
1000+ | 12.25 грн |
5000+ | 11.98 грн |
HER308G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 14.88 грн |
2500+ | 12.81 грн |
HER308G |
![]() |
Виробник: HY Electronic (Cayman) Limited
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 19.03 грн |
HER308G |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 130-139 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.03 грн |
10+ | 35.69 грн |
100+ | 21.6 грн |
500+ | 16.82 грн |
1250+ | 13.65 грн |
2500+ | 12.24 грн |
10000+ | 10.77 грн |
HER308G A0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.03 грн |
10+ | 38.76 грн |
500+ | 28.57 грн |
2500+ | 22.8 грн |
10000+ | 12.6 грн |
25000+ | 12.31 грн |
50000+ | 12.03 грн |
HER308GH |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 14.88 грн |
2500+ | 12.81 грн |
HER308GH |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.58 грн |
10+ | 32.47 грн |
100+ | 22.58 грн |
500+ | 16.55 грн |
NTE577 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 5A; Ifsm: 200A; Ø9,4x6,35mm; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: Ø9,4x6,35mm
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 70ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 5A; Ifsm: 200A; Ø9,4x6,35mm; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 200A
Case: Ø9,4x6,35mm
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.35 грн |
3+ | 202.31 грн |
6+ | 170.06 грн |
14+ | 160.53 грн |
UF5408 |
![]() |
Виробник: MIC
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 3.13 грн |
UF5408 |
![]() |
Виробник: LGE
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 3.49 грн |
UF5408 |
![]() |
Виробник: LGE
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 3.49 грн |
UF5408 |
![]() |
Виробник: MIC
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 3.13 грн |
HER308G Код товару: 186358 |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
HER308 | ![]() |
![]() |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
HER308 R0 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 3A,1000V, HIGH EFFICIENT RECTIFIER
Rectifiers 3A,1000V, HIGH EFFICIENT RECTIFIER
товар відсутній
HER308-AP |
![]() |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308-TP |
![]() |
Виробник: Micro Commercial Components
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308-TP |
![]() |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G |
![]() |
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G |
![]() |
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS D
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS D
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G A0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G B0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]