Результат пошуку "IRFP2907" : 17
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 53
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 64
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 33
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP2907PBF Код товару: 60422
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247AC Uds,V: 75 V Idd,A: 209 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410 Монтаж: THT |
у наявності: 65 шт
46 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907ZPBF Код товару: 48264
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247AC Uds,V: 75 V Idd,A: 90 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180 Монтаж: THT |
у наявності: 13 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||
IRFP2907 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907 Код товару: 28880
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 209 A Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
IRFP2907PBFXKMA1 | Infineon Technologies | PLANAR 40<-<100V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFP2907PBF Код товару: 60422
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 65 шт
46 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 165.00 грн |
10+ | 153.00 грн |
IRFP2907ZPBF Код товару: 48264
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 160.00 грн |
10+ | 146.30 грн |
IRFP2907 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 140.50 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 289.10 грн |
6+ | 162.65 грн |
16+ | 153.96 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
53+ | 233.31 грн |
55+ | 224.12 грн |
100+ | 198.09 грн |
500+ | 176.59 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 333.38 грн |
10+ | 214.43 грн |
100+ | 172.06 грн |
400+ | 164.48 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 241.37 грн |
25+ | 232.44 грн |
100+ | 206.68 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
64+ | 190.23 грн |
68+ | 179.70 грн |
100+ | 174.04 грн |
200+ | 148.31 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0045 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0045 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 334.17 грн |
10+ | 233.83 грн |
100+ | 215.12 грн |
500+ | 182.39 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 368.88 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 225.28 грн |
56+ | 216.94 грн |
100+ | 192.90 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 253.47 грн |
25+ | 243.49 грн |
100+ | 215.20 грн |
500+ | 191.84 грн |
IRFP2907 Код товару: 28880
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 125.00 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.92 грн |
6+ | 202.69 грн |
16+ | 184.76 грн |
IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP2907PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
PLANAR 40<-<100V
PLANAR 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.