Результат пошуку "IRFP2907" : 23

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP2907PBF IRFP2907PBF
Код товару: 60422
IR irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
очікується: 10 шт
1+165 грн
10+ 153 грн
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF
Код товару: 48264
IR irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
1+160 грн
10+ 146.3 грн
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.93 грн
5+ 185.86 грн
12+ 175.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+365.91 грн
5+ 231.61 грн
12+ 210.95 грн
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.34 грн
10+ 283.58 грн
25+ 266.44 грн
100+ 167.7 грн
250+ 153.75 грн
400+ 146.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.02 грн
10+ 232.31 грн
25+ 223.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+530.66 грн
24+ 474.05 грн
50+ 409.76 грн
100+ 374.77 грн
200+ 332.44 грн
800+ 292.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies irfp2907pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8 Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.5 грн
25+ 279.39 грн
100+ 239.48 грн
500+ 199.77 грн
1000+ 171.05 грн
2000+ 161.06 грн
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+322.44 грн
40+ 282.82 грн
43+ 265.79 грн
100+ 167.32 грн
250+ 153.33 грн
400+ 145.73 грн
Мінімальне замовлення: 36
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+335.43 грн
36+ 321.02 грн
50+ 308.79 грн
100+ 287.65 грн
250+ 258.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP2907_DataSheet_v01_01_EN-3363139.pdf MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 117-126 дні (днів)
1+399.04 грн
10+ 329.63 грн
25+ 270.53 грн
100+ 232.53 грн
250+ 219 грн
400+ 206.12 грн
1200+ 176.49 грн
AUIRFP2907 AUIRFP2907 International Rectifier IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+299.96 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRFP2907 IRFP2907
Код товару: 28880
IR irfp2907-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFP2907 IRFP2907 Infineon Technologies irfp2907.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Infineon Technologies irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea description Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Infineon Technologies infineon-irfp2907z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Infineon Technologies AUIRFP2907.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z Infineon Technologies AUIRFP2907Z.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP2907PBF
Код товару: 60422
irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8
IRFP2907PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+165 грн
10+ 153 грн
IRFP2907ZPBF
Код товару: 48264
description irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
IRFP2907ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 52 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+160 грн
10+ 146.3 грн
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.93 грн
5+ 185.86 грн
12+ 175.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.91 грн
5+ 231.61 грн
12+ 210.95 грн
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+323.34 грн
10+ 283.58 грн
25+ 266.44 грн
100+ 167.7 грн
250+ 153.75 грн
400+ 146.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+252.02 грн
10+ 232.31 грн
25+ 223.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+530.66 грн
24+ 474.05 грн
50+ 409.76 грн
100+ 374.77 грн
200+ 332.44 грн
800+ 292.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
IRFP2907PBF irfp2907pbf.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP2907PBF irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.5 грн
25+ 279.39 грн
100+ 239.48 грн
500+ 199.77 грн
1000+ 171.05 грн
2000+ 161.06 грн
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+322.44 грн
40+ 282.82 грн
43+ 265.79 грн
100+ 167.32 грн
250+ 153.33 грн
400+ 145.73 грн
Мінімальне замовлення: 36
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+335.43 грн
36+ 321.02 грн
50+ 308.79 грн
100+ 287.65 грн
250+ 258.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRFP2907PBF 2043011.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+423.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP2907PBF Infineon_IRFP2907_DataSheet_v01_01_EN-3363139.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 117-126 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.04 грн
10+ 329.63 грн
25+ 270.53 грн
100+ 232.53 грн
250+ 219 грн
400+ 206.12 грн
1200+ 176.49 грн
AUIRFP2907 IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP2907
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+299.96 грн
Мінімальне замовлення: 64
IRFP2907
Код товару: 28880
description irfp2907-datasheet.pdf
IRFP2907
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFP2907 description irfp2907.pdf
IRFP2907
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP2907ZPBF description irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
IRFP2907ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP2907ZPBF description infineon-irfp2907z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP2907ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
AUIRFP2907 AUIRFP2907.pdf
AUIRFP2907
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товар відсутній
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z.pdf
AUIRFP2907Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній