Результат пошуку "IRFP2907" : 25
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 51
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 64
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFP2907PBF Код товару: 60422 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247AC Uds,V: 75 V Idd,A: 209 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410 Монтаж: THT |
у наявності: 50 шт
|
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907ZPBF Код товару: 48264 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 75 V Idd,A: 90 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180 Монтаж: THT |
у наявності: 44 шт
|
|
||||||||||||||
| IRFP2907 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
на замовлення 3509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFP2907 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
на замовлення 10868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP2907 Код товару: 28880 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 209 A Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFP2907 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFP2907Z | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
| IRFP2907PBF Код товару: 60422 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 165 грн |
| 10+ | 153 грн |
| IRFP2907ZPBF Код товару: 48264 |
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 160 грн |
| 10+ | 146.3 грн |
| IRFP2907 | |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 192.89 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 322.08 грн |
| 5+ | 203.05 грн |
| 12+ | 192.05 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 386.49 грн |
| 5+ | 253.03 грн |
| 12+ | 230.46 грн |
| 400+ | 220.78 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 3509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 377.65 грн |
| 10+ | 370.64 грн |
| 25+ | 262.48 грн |
| 100+ | 233.63 грн |
| 250+ | 232.92 грн |
| 400+ | 182.26 грн |
| 1200+ | 173.81 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.5 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 291.99 грн |
| 10+ | 289.6 грн |
| 25+ | 249.51 грн |
| 100+ | 215.64 грн |
| 250+ | 180.98 грн |
| 400+ | 148.53 грн |
| 1200+ | 138.1 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 244.26 грн |
| 10+ | 243.13 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 239.88 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 357.38 грн |
| 36+ | 342.03 грн |
| 50+ | 329 грн |
| 100+ | 306.48 грн |
| 250+ | 275.18 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 391.45 грн |
| 51+ | 239.95 грн |
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 387.46 грн |
| 25+ | 295.76 грн |
| 100+ | 253.51 грн |
| 500+ | 211.47 грн |
| 1000+ | 181.07 грн |
| 2000+ | 170.5 грн |
| IRFP2907ZPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| IRFP2907ZPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.18 грн |
| 10+ | 258.24 грн |
| AUIRFP2907 |
|
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 334.33 грн |
| IRFP2907 Код товару: 28880 |
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRFP2907 | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
| IRFP2907PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
| IRFP2907ZPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
| IRFP2907ZPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
| AUIRFP2907 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товар відсутній
| AUIRFP2907Z |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній