Результат пошуку "IRFP2907" : 30

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP2907PBF IRFP2907PBF
Код товару: 60422
2 Додати до обраних Обраний товар
IR infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 209 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
  • 47 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+165.00 грн
10+153.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF
Код товару: 48264
Додати до обраних Обраний товар
IR infineon-irfp2907z-datasheet-en.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 90 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+160.00 грн
10+146.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 IRFP2907 International Rectifier info-tirfp2907.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 IRFP2907 International Rectifier info-tirfp2907.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 410nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 4.5mΩ
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+343.64 грн
10+225.19 грн
25+216.05 грн
50+206.08 грн
100+193.62 грн
125+189.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.30 грн
25+321.05 грн
100+256.80 грн
500+212.50 грн
1000+185.63 грн
2000+169.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.93 грн
46+311.47 грн
100+253.27 грн
500+211.46 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.72 грн
25+309.60 грн
100+251.75 грн
500+210.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 9072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.51 грн
25+228.04 грн
100+188.53 грн
500+147.26 грн
1000+137.74 грн
2000+131.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+225.62 грн
500+213.81 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.27 грн
45+321.86 грн
100+257.45 грн
500+213.04 грн
1000+186.10 грн
2000+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies Infineon-IRFP2907-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Infineon Technologies irfr2407pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+244.52 грн
500+231.52 грн
1000+218.53 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Infineon Technologies IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRFP2907 - 75V-100V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+408.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907 International Rectifier IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+364.19 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 IRFP2907
Код товару: 28880
Додати до обраних Обраний товар
IR irfp2907-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 209 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF International Rectifier/Infineon irfp2907pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFP2907PBFXKMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Infineon Technologies infineon-irfp2907z-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 International Rectifier irfp2907.pdf description Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF International Rectifier infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF International Rectifier infineon-irfp2907z-datasheet-en.pdf description IRFP2907ZPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Infineon Technologies AUIRFP2907.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z Infineon Technologies AUIRFP2907Z.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP2907PBF Infineon Транзистор польовий IRFP2907PBF Infineon Infineon MOSFET, N-Channel 75V 209A (Tc) 470W (Tc) Through Hole TO-247AC   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75 STM STW220NF75.pdf (Близкий к IRFP2907) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF
Код товару: 60422
2 Додати до обраних Обраний товар
infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 209 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
  • 47 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+165.00 грн
10+153.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF
Код товару: 48264
Додати до обраних Обраний товар
description infineon-irfp2907z-datasheet-en.pdf
IRFP2907ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 90 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+160.00 грн
10+146.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 description info-tirfp2907.pdf
IRFP2907
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 description info-tirfp2907.pdf
IRFP2907
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 410nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 4.5mΩ
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+343.64 грн
10+225.19 грн
25+216.05 грн
50+206.08 грн
100+193.62 грн
125+189.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF 2043011.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+385.30 грн
25+321.05 грн
100+256.80 грн
500+212.50 грн
1000+185.63 грн
2000+169.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+367.93 грн
46+311.47 грн
100+253.27 грн
500+211.46 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+365.72 грн
25+309.60 грн
100+251.75 грн
500+210.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 9072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+408.51 грн
25+228.04 грн
100+188.53 грн
500+147.26 грн
1000+137.74 грн
2000+131.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+225.62 грн
500+213.81 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+386.27 грн
45+321.86 грн
100+257.45 грн
500+213.04 грн
1000+186.10 грн
2000+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF Infineon-IRFP2907-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF description irfr2407pbf.pdf
IRFP2907ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+244.52 грн
500+231.52 грн
1000+218.53 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP2907
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRFP2907 - 75V-100V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+408.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP2907
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+364.19 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907
Код товару: 28880
Додати до обраних Обраний товар
description irfp2907-datasheet.pdf
IRFP2907
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 209 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0045 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
IRFP2907PBFXKMA1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF description infineon-irfp2907z-datasheet-en.pdf
IRFP2907ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 description irfp2907.pdf
Виробник: International Rectifier
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF description infineon-irfp2907z-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier
IRFP2907ZPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907.pdf
AUIRFP2907
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z.pdf
AUIRFP2907Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP2907PBF Infineon
Транзистор польовий IRFP2907PBF Infineon
Виробник: Infineon
MOSFET, N-Channel 75V 209A (Tc) 470W (Tc) Through Hole TO-247AC   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW220NF75 STW220NF75.pdf
Виробник: STM
(Близкий к IRFP2907) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.