IRFP2907PBF

IRFP2907PBF


infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
Код товару: 60422
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності 79 шт:

57 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+165.00 грн
10+153.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFP2907PBF за ціною від 146.58 грн до 485.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+260.88 грн
500+247.94 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+284.29 грн
100+233.54 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.73 грн
10+192.88 грн
25+182.91 грн
50+175.42 грн
100+167.94 грн
125+166.28 грн
375+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+301.88 грн
44+298.85 грн
100+240.95 грн
500+215.21 грн
1000+187.36 грн
2000+176.23 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 8967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.96 грн
25+317.74 грн
100+256.19 грн
500+228.81 грн
1000+199.20 грн
2000+187.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.36 грн
25+248.00 грн
100+205.76 грн
500+161.38 грн
1000+151.20 грн
2000+146.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+442.39 грн
10+272.37 грн
100+242.55 грн
500+220.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP2907-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.10 грн
10+279.59 грн
100+191.32 грн
400+173.37 грн
1200+165.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF Виробник : International Rectifier infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfp2907pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2206
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 9385 шт
1790 шт - склад
3100 шт - РАДІОМАГ-Київ
2900 шт - РАДІОМАГ-Львів
1595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C15
Код товару: 30904
2 Додати до обраних Обраний товар
BZX84.pdf
BZX84-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 623 шт
364 шт - склад
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
113 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-150EBU04
Код товару: 48587
1 Додати до обраних Обраний товар
vs-150ebu04-datasheet.pdf
VS-150EBU04
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Vrr, V: 400 V
Iav, A: 150 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+550.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878
Код товару: 56955
2 Додати до обраних Обраний товар
2sk3878-datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 106 шт
78 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613
1 Додати до обраних Обраний товар
Infineon-IPP034NE7N3.pdf
IPP034NE7N3 G
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
19 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+124.00 грн
10+113.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.