IRFP2907PBF
Код товару: 60422
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 209 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 153.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP2907PBF за ціною від 126.72 грн до 397.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 13016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 13017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Mounting: THT Power dissipation: 330W Gate charge: 410nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 209A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 75V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247AC On-state resistance: 4.5mΩ |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
на замовлення 7102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 470W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
на замовлення 6978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 259.94 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 284.59 грн |
| 500+ | 270.48 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 319.06 грн |
| 25+ | 310.05 грн |
| 100+ | 252.09 грн |
| 500+ | 210.56 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 319.06 грн |
| 46+ | 310.05 грн |
| 100+ | 252.09 грн |
| 500+ | 210.56 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 329.90 грн |
| 25+ | 319.90 грн |
| 100+ | 255.86 грн |
| 500+ | 211.70 грн |
| 1000+ | 184.98 грн |
| 2000+ | 169.01 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 410nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 4.5mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 410nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 4.5mΩ
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 342.11 грн |
| 10+ | 224.19 грн |
| 25+ | 215.09 грн |
| 50+ | 205.16 грн |
| 100+ | 192.75 грн |
| 125+ | 188.62 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 7102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 397.42 грн |
| 25+ | 221.22 грн |
| 100+ | 182.73 грн |
| 500+ | 142.56 грн |
| 1000+ | 133.27 грн |
| 2000+ | 126.72 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 6978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| Касетниця 903-133S Код товару: 26271
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Pro'sKit
Системи зберігання та меблі > Касетниці та системи зберігання
Опис: Касетниця - бокс на 8 комірок
Габарити, мм: 76x61x21 мм
Системи зберігання та меблі > Касетниці та системи зберігання
Опис: Касетниця - бокс на 8 комірок
Габарити, мм: 76x61x21 мм
у наявності: 25 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 95 шт
- 95 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 49.00 грн |
| BZX84-C15 Код товару: 30904
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11,4 мВ/K
у наявності: 394 шт
- 189 шт - склад
- 141 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 11 шт
- 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| VS-150EBU04 Код товару: 48587
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Зворотна напруга Vrr, В: 400 В
Середній струм Iav, А: 150 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 60 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Зворотна напруга Vrr, В: 400 В
Середній струм Iav, А: 150 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 60 ns
Монтаж: THT
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується 13.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 550.00 грн |
| 2SK3878 Код товару: 56955
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
- 67 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| Модуль «кільце з 16 світлодіодів» WS2812 Код товару: 181014
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Модуль-кільце з 16 програмованих світлодіодів WS2812, живлення: 4,5...5В. Діаметр: 45мм
Категорія: Модуль індикації
Призначення: RGB-світлодіод
Опис: Модуль-кільце з 16 програмованих світлодіодів WS2812, живлення: 4,5...5В. Діаметр: 45мм
Категорія: Модуль індикації
Призначення: RGB-світлодіод
у наявності: 2 шт
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 66.00 грн |
| 10+ | 60.90 грн |











