IRFP2907PBF
Код товару: 60422
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 153.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP2907PBF за ціною від 146.58 грн до 485.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 8964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 8967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
на замовлення 6974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
на замовлення 2388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFP2907PBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRFP2907PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2206
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 9385 шт
1790 шт - склад
3100 шт - РАДІОМАГ-Київ
2900 шт - РАДІОМАГ-Львів
1595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3100 шт - РАДІОМАГ-Київ
2900 шт - РАДІОМАГ-Львів
1595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| BZX84-C15 Код товару: 30904
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 623 шт
364 шт - склад
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
113 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
113 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| VS-150EBU04 Код товару: 48587
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Vrr, V: 400 V
Iav, A: 150 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Vrr, V: 400 V
Iav, A: 150 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 550.00 грн |
| 2SK3878 Код товару: 56955
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 106 шт
78 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| IPP034NE7N3 G Код товару: 182613
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
19 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 124.00 грн |
| 10+ | 113.00 грн |







