Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFP2907PBF
IRFP2907PBF

IRFP2907PBF

infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
Код товару: 60422
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності 80 шт:
58 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+165.00 грн
10+153.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFP2907PBF за ціною від 145.58 грн до 464.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+233.35 грн
500+203.59 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+259.10 грн
500+246.25 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.78 грн
10+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+300.19 грн
44+296.93 грн
100+218.71 грн
500+202.11 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.23 грн
25+316.74 грн
100+233.31 грн
500+215.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.34 грн
10+193.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 7314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.44 грн
25+223.27 грн
100+185.25 грн
500+145.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+450.75 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.19 грн
10+301.72 грн
100+250.50 грн
500+223.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP2907-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2206
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 9985 шт
2390 шт - склад
3100 шт - РАДІОМАГ-Київ
2900 шт - РАДІОМАГ-Львів
1595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
100+0.20 грн
1000+0.15 грн
10000+0.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C15
Код товару: 30904
Додати до обраних Обраний товар

BZX84.pdf
BZX84-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 733 шт
474 шт - склад
145 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
113 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-150EBU04
Код товару: 48587
Додати до обраних Обраний товар

vs-150ebu04-datasheet.pdf
VS-150EBU04
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Vrr, V: 400 V
Iav, A: 150 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 60 ns
у наявності: 10 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+363.00 грн
10+339.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878
Код товару: 56955
Додати до обраних Обраний товар

2sk3878-datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 109 шт
81 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP034NE7N3.pdf
IPP034NE7N3 G
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT
у наявності: 57 шт
32 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+124.00 грн
10+113.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.