IRFP2907PBF
Код товару: 60422
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, V: 75 V
Струм стоку Idd, A: 209 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 165.00 грн |
| 10+ | 153.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP2907PBF за ціною від 148.88 грн до 453.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 10916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
на замовлення 5047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP2907PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 470W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP2907PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 285.23 грн |
| 500+ | 271.08 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 330.94 грн |
| 44+ | 327.62 грн |
| 100+ | 264.21 грн |
| 500+ | 252.19 грн |
| 1000+ | 228.44 грн |
| 2000+ | 193.33 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 331.69 грн |
| 25+ | 328.36 грн |
| 100+ | 264.81 грн |
| 500+ | 252.77 грн |
| 1000+ | 228.96 грн |
| 2000+ | 193.77 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 342.87 грн |
| 10+ | 224.69 грн |
| 25+ | 215.57 грн |
| 50+ | 205.62 грн |
| 100+ | 193.18 грн |
| 125+ | 189.04 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.90 грн |
| 25+ | 251.89 грн |
| 100+ | 208.98 грн |
| 500+ | 163.91 грн |
| 1000+ | 153.57 грн |
| 2000+ | 148.88 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 453.33 грн |
| 10+ | 312.99 грн |
| 25+ | 309.90 грн |
| 100+ | 255.87 грн |
| 400+ | 228.04 грн |
| 500+ | 216.77 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 453.33 грн |
| 46+ | 309.90 грн |
| 100+ | 255.87 грн |
| 400+ | 228.04 грн |
| 500+ | 216.77 грн |
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP2907PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| Касетниця 903-133S Код товару: 26271
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Pro'sKit
Системи зберігання та меблі > Касетниці та системи зберігання
Опис: Касетниця - бокс на 8 комірок
Габарити, мм: 76x61x21 мм
Системи зберігання та меблі > Касетниці та системи зберігання
Опис: Касетниця - бокс на 8 комірок
Габарити, мм: 76x61x21 мм
у наявності: 27 шт
- 3 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 49.00 грн |
| BZX84-C15 Код товару: 30904
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації Vz, V: 15 V
Струм стабілізації Izt, mA: 5 mA
Потужність Pd, W: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації Vz, V: 15 V
Струм стабілізації Izt, mA: 5 mA
Потужність Pd, W: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 449 шт
- 244 шт - склад
- 141 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 63 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| VS-150EBU04 Код товару: 48587
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Зворотна напруга Vrr, V: 400 V
Середній струм Iav, A: 150 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 60 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: PowIRtab
Зворотна напруга Vrr, V: 400 V
Середній струм Iav, A: 150 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 60 ns
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 550.00 грн |
| 2SK3878 Код товару: 56955
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 97 шт
- 73 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.50 грн |
| 10+ | 54.50 грн |
| Модуль «кільце з 16 світлодіодів» WS2812 Код товару: 181014
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Arduino та супутні модульні елементи
Опис: Модуль-кільце з 16 програмованих світлодіодів WS2812, живлення: 4,5...5В. Діаметр: 45мм
Категорія: Модуль індикації
Призначення: RGB-світлодіод
Опис: Модуль-кільце з 16 програмованих світлодіодів WS2812, живлення: 4,5...5В. Діаметр: 45мм
Категорія: Модуль індикації
Призначення: RGB-світлодіод
у наявності: 5 шт
- 1 шт - склад
- 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 66.00 грн |
| 10+ | 60.90 грн |











