Результат пошуку "IRFP2907" : 22

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP2907PBF IRFP2907PBF
Код товару: 60422
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
19 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+165.00 грн
10+153.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF
Код товару: 48264
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+160.00 грн
10+146.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.39 грн
6+160.06 грн
16+151.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.02 грн
10+325.51 грн
100+209.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+390.74 грн
35+349.99 грн
37+336.40 грн
50+308.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+273.15 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+242.80 грн
25+194.06 грн
100+180.14 грн
500+169.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8 Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.29 грн
25+201.96 грн
100+180.47 грн
500+154.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+255.21 грн
64+193.24 грн
100+154.92 грн
200+144.67 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.64 грн
25+203.67 грн
100+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+222.49 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP2907_DataSheet_v01_01_EN-3363139.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.03 грн
10+309.67 грн
25+194.69 грн
100+174.55 грн
400+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907 International Rectifier IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+314.48 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Infineon Technologies IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUIRFP2907 - 75V-100V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+314.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 IRFP2907
Код товару: 28880
Додати до обраних Обраний товар

IR irfp2907-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+403.66 грн
6+199.46 грн
16+181.82 грн
2800+177.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Infineon Technologies irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea description Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Infineon Technologies AUIRFP2907.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z Infineon Technologies AUIRFP2907Z.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF
Код товару: 60422
Додати до обраних Обраний товар

irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8
IRFP2907PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
19 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+165.00 грн
10+153.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF
Код товару: 48264
Додати до обраних Обраний товар

description irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
IRFP2907ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+160.00 грн
10+146.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+146.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.39 грн
6+160.06 грн
16+151.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF 2043011.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.02 грн
10+325.51 грн
100+209.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+390.74 грн
35+349.99 грн
37+336.40 грн
50+308.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+273.15 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+242.80 грн
25+194.06 грн
100+180.14 грн
500+169.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.29 грн
25+201.96 грн
100+180.47 грн
500+154.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+255.21 грн
64+193.24 грн
100+154.92 грн
200+144.67 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+253.64 грн
25+203.67 грн
100+180.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+222.49 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF Infineon_IRFP2907_DataSheet_v01_01_EN-3363139.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.03 грн
10+309.67 грн
25+194.69 грн
100+174.55 грн
400+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP2907
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+314.48 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP2907
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUIRFP2907 - 75V-100V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+314.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907
Код товару: 28880
Додати до обраних Обраний товар

description irfp2907-datasheet.pdf
IRFP2907
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.66 грн
6+199.46 грн
16+181.82 грн
2800+177.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907ZPBF description irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
IRFP2907ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907 AUIRFP2907.pdf
AUIRFP2907
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z.pdf
AUIRFP2907Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.