Результат пошуку "IRFP450" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 58
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 40
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 85
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 75
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
8542 39 90 00
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP450PBF Код товару: 165985
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT |
у наявності: 29 шт
9 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||
IRFP450 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP450 | HXY MOSFET |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP450A | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP450LC | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP450LC | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.6A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.6A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP450-E | IR | TO-247 |
на замовлення 5225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFP450-LF20(94-5598) |
на замовлення 5075 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFP450?94-5598? | IR | TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFP450NPBF |
![]() |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFP450Z?94-4057? | IR | TO-247 |
на замовлення 8940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
STW14NK50Z | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450 Код товару: 7939
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
![]() ![]() ![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450APBF Код товару: 23065
Додати до обраних
Обраний товар
|
FS |
![]() Корпус: TO-3P Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3250/157 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF Код товару: 66902
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() 8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF Код товару: 33859
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
![]() |
IRFP450 | onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450 | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450 | Vishay / Siliconix |
![]() ![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450 | IXYS |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450 | IXYS |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450A | Vishay Siliconix |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450B | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450LC | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | Vishay |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | Vishay |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450NPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFP450PBF Код товару: 165985
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
9 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 125.00 грн |
10+ | 112.00 грн |
IRFP450 | ![]() |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 88.35 грн |
IRFP450 | ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 64.02 грн |
IRFP450A | ![]() |
![]() |
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 95.55 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.44 грн |
8+ | 119.77 грн |
22+ | 112.67 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 319.73 грн |
8+ | 149.25 грн |
22+ | 135.21 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 334.28 грн |
62+ | 200.24 грн |
100+ | 189.95 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 358.16 грн |
10+ | 214.55 грн |
100+ | 203.51 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 307.99 грн |
10+ | 187.02 грн |
100+ | 159.60 грн |
500+ | 139.94 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 335.70 грн |
61+ | 202.12 грн |
100+ | 191.78 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 350.45 грн |
10+ | 210.44 грн |
100+ | 202.80 грн |
500+ | 168.62 грн |
1000+ | 152.01 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 360.22 грн |
10+ | 216.88 грн |
100+ | 205.79 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
58+ | 212.37 грн |
400+ | 195.00 грн |
600+ | 182.39 грн |
800+ | 166.77 грн |
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 298.66 грн |
25+ | 170.64 грн |
100+ | 168.90 грн |
IRFP450LC |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 113.84 грн |
IRFP450LC |
![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 113.84 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 473.49 грн |
9+ | 103.22 грн |
25+ | 96.92 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 568.19 грн |
9+ | 128.63 грн |
25+ | 116.30 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 519.58 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP450LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFP450LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 590.59 грн |
10+ | 319.05 грн |
100+ | 317.36 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 550.67 грн |
10+ | 280.97 грн |
100+ | 239.78 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 309.36 грн |
55+ | 224.38 грн |
100+ | 220.33 грн |
500+ | 204.90 грн |
1000+ | 184.85 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 331.96 грн |
10+ | 240.76 грн |
100+ | 236.43 грн |
500+ | 219.86 грн |
1000+ | 198.35 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 207.05 грн |
5+ | 158.38 грн |
10+ | 131.59 грн |
11+ | 92.19 грн |
28+ | 87.46 грн |
100+ | 84.31 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.45 грн |
5+ | 197.36 грн |
10+ | 157.90 грн |
11+ | 110.63 грн |
28+ | 104.95 грн |
100+ | 101.17 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.21 грн |
10+ | 151.36 грн |
100+ | 128.59 грн |
500+ | 121.03 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP450PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFP450PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 256.26 грн |
10+ | 235.90 грн |
100+ | 214.68 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 162.56 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
85+ | 145.76 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 176.28 грн |
10+ | 141.95 грн |
100+ | 139.50 грн |
500+ | 130.63 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
45+ | 273.13 грн |
62+ | 199.44 грн |
1000+ | 173.81 грн |
2500+ | 164.51 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 164.53 грн |
93+ | 132.49 грн |
100+ | 130.20 грн |
500+ | 119.17 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.29 грн |
25+ | 148.95 грн |
IRFP450-E |
Виробник: IR
TO-247
TO-247
на замовлення 5225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP450-LF20(94-5598) |
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP450?94-5598? |
Виробник: IR
TO-247
TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP450Z?94-4057? |
Виробник: IR
TO-247
TO-247
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
STW14NK50Z | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 169.44 грн |
10+ | 156.58 грн |
600+ | 135.40 грн |
IRFP450 Код товару: 7939
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 42.50 грн |
10+ | 37.70 грн |
IRFP450APBF Код товару: 23065
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3250/157
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3250/157
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 57.50 грн |
10+ | 51.50 грн |
IRFP450LCPBF Код товару: 66902
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450PBF Код товару: 33859
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 41.00 грн |
10+ | 38.60 грн |
IRFP450 | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450 | ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450 | ![]() |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450A | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450B |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450LC |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450NPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]