Результат пошуку "IRFP4568PBF" : 17
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 23
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 123
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 32
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4568PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.9mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 6721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFP4568PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFP4568PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBFXKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IRFP4568PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF Код товару: 40672
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247AC Uds,V: 150 V Idd,A: 121 A Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.9mΩ Power dissipation: 517W Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRFP4568PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRFP4568PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 536.36 грн |
50+ | 531.49 грн |
100+ | 346.48 грн |
200+ | 299.68 грн |
400+ | 271.69 грн |
800+ | 260.12 грн |
1600+ | 253.86 грн |
3200+ | 238.56 грн |
6400+ | 223.96 грн |
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
123+ | 247.49 грн |
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
29+ | 424.20 грн |
39+ | 316.99 грн |
100+ | 284.22 грн |
400+ | 199.84 грн |
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 582.04 грн |
10+ | 499.01 грн |
100+ | 415.98 грн |
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 391.93 грн |
38+ | 327.82 грн |
50+ | 316.46 грн |
200+ | 304.38 грн |
IRFP4568PBF Код товару: 40672
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 150 V
Idd,A: 121 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 150 V
Idd,A: 121 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10470/151
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 500.00 грн |
10+ | 430.00 грн |
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4568PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.