Результат пошуку "IRLML6402" : 51

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
Додати до обраних Обраний товар

IR IRLML6402.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 312 шт
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Одеса
92 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 SLKOR UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 HXY MOSFET UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 HXY MOSFET TIRLML6402 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 MLCCBASE UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 MLCCBASE TIRLML6402 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 KEXIN UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 75mOhm; 3,2A; 1,7W; -55°C~150°C; IRLML6402 SOT23 KEXIN TIRLML6402 KEX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 HUASHUO UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 SLKOR UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 HUASHUO UMW%20IRLML6402.pdf Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR INTERNATIONAL RECTIFIER IRLML6402.pdf description P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR Infineon IRLML6402.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 TIRLML6402
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR; 3,7A; 20V; 1,3W; 0,065R; P-MOSFET; Корпус: SOT-23; Infineon
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
177+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.71 грн
24+16.55 грн
50+11.88 грн
100+10.35 грн
184+4.90 грн
504+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF Infineon irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
28+10.46 грн
32+8.63 грн
100+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF International Rectifier/Infineon irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 3,7 А; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10; Qg, нКл = 12 @ 250 мкА; Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
75+8.35 грн
81+7.78 грн
100+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.65 грн
14+20.63 грн
50+14.25 грн
100+12.41 грн
184+5.89 грн
504+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+10.25 грн
1294+9.44 грн
1389+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.14 грн
250+10.56 грн
1000+8.20 грн
3000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
на замовлення 85855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
18+17.17 грн
100+9.40 грн
500+7.67 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1340+9.11 грн
1979+6.17 грн
2090+5.84 грн
2236+5.26 грн
6000+4.58 грн
12000+4.03 грн
24000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 1340
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+20.27 грн
625+19.54 грн
1000+18.90 грн
2500+17.69 грн
5000+15.94 грн
10000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.87 грн
38+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.41 грн
50+20.14 грн
250+10.56 грн
1000+8.20 грн
3000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.43 грн
33+18.35 грн
37+16.37 грн
100+9.69 грн
250+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+5.38 грн
9000+4.81 грн
15000+4.44 грн
21000+4.26 грн
30000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 ir UMW%20IRLML6402.pdf 10+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 IR UMW%20IRLML6402.pdf
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 IR UMW%20IRLML6402.pdf 10+ SOT-23
на замовлення 110767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 IR UMW%20IRLML6402.pdf 07+ SOT-23
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 IR UMW%20IRLML6402.pdf 09+
на замовлення 34018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402PBF IR 09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR SOT23-E IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR SOT23-E IR
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR-CN CHIPNOBO Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402TR-CN CHIPNOBO TIRLML6402 CNB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c IRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF/IR IR 08+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRTBF IR 09+ TO-92
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6402TR kuu semiconductor Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6402TR; IRLML6402; KIRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6402TR kuu semiconductor Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6402TR; IRLML6402; KIRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6402 UMWIRLML6402 UMW UMW%20IRLML6402.pdf Description: 20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRLML6402TRPBF -3.7A -20V P-ch SOT-23
на замовлення 79 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
79+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BML6402 BORN Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; BML6402 BORN TIRLML6402 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
CDM2323DS CDIL MOSFET P-Channel 20V 3.7A SOT-23, аналог IRLML6402TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6402 SHIKUES Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 150mOhm; 3A; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 (SKML6402) SHIKUES TIRLML6402 SHK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402GTRPBF IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies irlml6402gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ccbf263a Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402GTRPBF IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies irlml6402gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ccbf263a Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR IRLML6402TR Infineon Technologies IRLML6402.pdf description Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Infineon Technologies infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1 Infineon Technologies IRLML6402PbF-1_10-28-14.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
Додати до обраних Обраний товар

IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 3,7 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 312 шт
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Одеса
92 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 HXY MOSFET TIRLML6402 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: MLCCBASE
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 MLCCBASE TIRLML6402 MLC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: KEXIN
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 75mOhm; 3,2A; 1,7W; -55°C~150°C; IRLML6402 SOT23 KEXIN TIRLML6402 KEX
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR description IRLML6402.pdf
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR description IRLML6402.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 TIRLML6402
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR; 3,7A; 20V; 1,3W; 0,065R; P-MOSFET; Корпус: SOT-23; Infineon
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
177+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.71 грн
24+16.55 грн
50+11.88 грн
100+10.35 грн
184+4.90 грн
504+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 8609 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
28+10.46 грн
32+8.63 грн
100+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 3,7 А; Ptot, Вт = 1,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10; Qg, нКл = 12 @ 250 мкА; Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
75+8.35 грн
81+7.78 грн
100+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.65 грн
14+20.63 грн
50+14.25 грн
100+12.41 грн
184+5.89 грн
504+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1191+10.25 грн
1294+9.44 грн
1389+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF INFN-S-A0012905684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.14 грн
250+10.56 грн
1000+8.20 грн
3000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
на замовлення 85855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
18+17.17 грн
100+9.40 грн
500+7.67 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1340+9.11 грн
1979+6.17 грн
2090+5.84 грн
2236+5.26 грн
6000+4.58 грн
12000+4.03 грн
24000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 1340
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
602+20.27 грн
625+19.54 грн
1000+18.90 грн
2500+17.69 грн
5000+15.94 грн
10000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+28.87 грн
38+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF INFN-S-A0012905684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.41 грн
50+20.14 грн
250+10.56 грн
1000+8.20 грн
3000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.43 грн
33+18.35 грн
37+16.37 грн
100+9.69 грн
250+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.32 грн
6000+5.38 грн
9000+4.81 грн
15000+4.44 грн
21000+4.26 грн
30000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: ir
10+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: IR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: IR
10+ SOT-23
на замовлення 110767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: IR
07+ SOT-23
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 34018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402PBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR SOT23-E
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR SOT23-E
Виробник: IR
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402TR-CN CHIPNOBO TIRLML6402 CNB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF irlml6402pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668d5c2263c
IRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRTBF
Виробник: IR
09+ TO-92
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6402TR
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6402TR; IRLML6402; KIRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
KIRLML6402TR
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6402TR; IRLML6402; KIRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
UMWIRLML6402 UMW%20IRLML6402.pdf
UMWIRLML6402
Виробник: UMW
Description: 20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.25 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRLML6402TRPBF -3.7A -20V P-ch SOT-23
на замовлення 79 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
79+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BML6402
Виробник: BORN
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; BML6402 BORN TIRLML6402 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
CDM2323DS
Виробник: CDIL
MOSFET P-Channel 20V 3.7A SOT-23, аналог IRLML6402TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKML6402
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 150mOhm; 3A; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 (SKML6402) SHIKUES TIRLML6402 SHK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402GTRPBF irlml6402gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ccbf263a
IRLML6402GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402GTRPBF irlml6402gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668ccbf263a
IRLML6402GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR description IRLML6402.pdf
IRLML6402TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF infineon-irlml6402-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1 IRLML6402PbF-1_10-28-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.