Результат пошуку "SPP20N60C3" : 18

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Код товару: 25463
Додати до обраних Обраний товар

Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
193 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.83 грн
3+182.39 грн
6+164.76 грн
10+164.00 грн
15+155.57 грн
50+153.27 грн
100+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.39 грн
3+227.28 грн
6+197.71 грн
10+196.79 грн
15+186.68 грн
50+183.92 грн
100+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+142.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx20N60C3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.51 грн
50+155.32 грн
100+147.24 грн
500+110.89 грн
1000+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 INFINEON INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.36 грн
10+259.96 грн
100+179.91 грн
500+140.24 грн
1000+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 84400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+161.86 грн
10+155.59 грн
25+125.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий SPP20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-220
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
INF-SPP20N60C3
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3HKSA1 SPP20N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPP_I_A20N60C3_Rev.3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304318f3fe290119090054e32a20 Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3
Код товару: 25463
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
193 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+125.00 грн
10+114.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.83 грн
3+182.39 грн
6+164.76 грн
10+164.00 грн
15+155.57 грн
50+153.27 грн
100+149.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
3+227.28 грн
6+197.71 грн
10+196.79 грн
15+186.68 грн
50+183.92 грн
100+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+142.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 SPx20N60C3.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.51 грн
50+155.32 грн
100+147.24 грн
500+110.89 грн
1000+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.36 грн
10+259.96 грн
100+179.91 грн
500+140.24 грн
1000+123.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 84400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+161.86 грн
10+155.59 грн
25+125.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+175.90 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий SPP20N60C3 20.7A 600V N-ch TO-220
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
INF-SPP20N60C3
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор SPP20N60C3/INFIN, TO-220AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3HKSA1 SPP_I_A20N60C3_Rev.3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304318f3fe290119090054e32a20
SPP20N60C3HKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.