SPP20N60C3 Infineon
Код товару: 25463
5
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 20,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,19 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/11
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 125.00 грн |
| 10+ | 114.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SPP20N60C3 за ціною від 107.79 грн до 245.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPP20N60C3 | Infineon |
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 863 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SPP20N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 20.7A 600V 208W 0.19Ω Qg=114nC SPP20N60C3 TSPP20n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 160.43 грн |
| SPP20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.55 грн |
| 10+ | 131.00 грн |
| 50+ | 110.27 грн |
| 100+ | 107.79 грн |
З цим товаром купують
| Прокладка силіконова TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm)) Код товару: 123772
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Розміри: 13x18x0.3mm з отвором Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Розмір: 13х18х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: Білий
у наявності: 1401 шт
- 816 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 585 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| UC3842BD1013TR Код товару: 40721
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 кА
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40…+150°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 кА
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40…+150°С
у наявності: 407 шт
- 321 шт - склад
- 57 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| TW-38 втулка ізоляційна для TO-220, 6,1мм Код товару: 180121
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KangYang
Ізоляційні матеріали
Група: Інші ізоляційні матеріали
Опис: Шайба для встановлення на транзистор для запобігання короткому замиканню між кришкою транзистора та радіатором.
Колір: Білий
Ізоляційні матеріали
Група: Інші ізоляційні матеріали
Опис: Шайба для встановлення на транзистор для запобігання короткому замиканню між кришкою транзистора та радіатором.
Колір: Білий
у наявності: 10944 шт
- 10944 шт - склад
очікується: 20000 шт
- 20000 шт - очікується 15.09.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 13+ | 1.60 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| UC3842BN Код товару: 17968
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST/UTC
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 11...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 11...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 125 шт
- 104 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 12.10 грн |
| Імпульсний знижувальний регульований стабілізатор напруги MP2307 Код товару: 104815
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: China
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Напруга вх., В: 4,75...20 VDC
Напруга вих., VDC: 1,0...17 VDC
Макс. вих. струм: 3 А
Корпус, габарити, мм: 17x11x3,8 мм
Температура, °С: -40...+85°С
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Напруга вх., В: 4,75...20 VDC
Напруга вих., VDC: 1,0...17 VDC
Макс. вих. струм: 3 А
Корпус, габарити, мм: 17x11x3,8 мм
Температура, °С: -40...+85°С
товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 01.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 25.70 грн |
| 100+ | 23.75 грн |
| 1000+ | 21.83 грн |









