Результат пошуку "c546b" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 46
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 85
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 46
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 34
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 27
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 28
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC546B (транзистор біполярний NPN) Код товару: 13100
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Philips |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 65 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,1 A h21: 450 Монтаж: THT |
у наявності: 459 шт
302 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ 52 шт - РАДІОМАГ-Львів 49 шт - РАДІОМАГ-Харків 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
BC546B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Current gain: 200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 300MHz |
на замовлення 27552 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC546B | LGE |
NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=200...450, 0.5Вт, 300МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 311 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BC546B | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546B | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 65V, 100mA, NPN |
на замовлення 6671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B | LGE |
Transistor NPN; 450; 625mW; 65V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC546B-LGE; BC182; BC546BTA; BC546BBK; BC546B A1; BC546B B1; BC546B BC546B TO92(bulk) LGE TBC546bкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 399 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B | DIOTEC |
Transistor NPN; Bipolar 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Substitute:BC546BBK-DIO; BC546BBK; BC546B-DIO; BC546B DIOTEC TBC546b f DIOTECкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B | SLKOR |
Transistor NPN; 420; 500mW; 65V; 80mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC546BBU; BC546B-DIO; BC546BBK; BC546B B1G; BC546B-LGE; BC546B-CDI; BC546B SLKOR TBC546b SLKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B | DIOTEC |
Transistor NPN; Bipolar 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Substitute:BC546BBK-DIO; BC546BBK; BC546B-DIO; BC546B DIOTEC TBC546b f DIOTECкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B | YFW |
Transistor NPN; 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC182; BC546B-BULK; BC546B TO92(bulk) YFW TBC546b YFWкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546B TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans |
на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC546B,116 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Одкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC546B,126 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Одкількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC546B-BULK BC546B | Semtech | NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=200...450, 0.5Вт, 300МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BC546BBK | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Current gain: 200 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 7194 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC546BBK | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92BK, 65V, 100mA, NPN |
на замовлення 7401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BBK | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 300MHz |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC546BTA | Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BC546BTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 65V 100mA HFE/450 |
на замовлення 12056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTF | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 7494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTF | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTF | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 15939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TBC546B | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Current gain: 200...450 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
на замовлення 4385 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TBC546B | CDIL |
NPN 100mA 65V 500mW 300MHz 200 < beta < 450 Replacement for BC182 BC546B CDIL TO92(ammo)formed) TBC546b fкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC546B-116 |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC546BA |
на замовлення 89000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC546BG | ON |
07+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546BRL1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Транзистор BC546B | SEMTECH | Транз. Бипол. ММ NPN 65V; 100mA; 500mW; TO92 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
BC846B | DIOTEC |
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-DIO; BC846 B; BC846B DIOTEC SEMICONDUCTOR TBC846b DIOкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC846B | DIOTEC |
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-DIO; BC846 B; BC846B DIOTEC SEMICONDUCTOR TBC846b DIOкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC546BTA Код товару: 171245
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BC546B | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 200...450 Mounting: THT Frequency: 150MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC546B | KEC |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 200/450 @ 2 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546B | Diotec Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200...450 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 10 мА, 0,5 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546B | CDIL |
Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC546B | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC546B | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC546B A1 | Taiwan Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC546B A1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC546B APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546B APM PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546B APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546B APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC546B B1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC546B PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
BC546B PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC546B TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SMPackaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC546B TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC546B TRE PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC546B TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC546B TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC546B,116 | NXP USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC546B,126 | NXP USA Inc. |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BC546B-AP | MCC (Micro Commercial Components) |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BC546B (транзистор біполярний NPN) Код товару: 13100
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Монтаж: THT
у наявності: 459 шт
302 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
52 шт - РАДІОМАГ-Львів
49 шт - РАДІОМАГ-Харків
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.30 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
на замовлення 27552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 9.87 грн |
| 60+ | 7.00 грн |
| 104+ | 4.03 грн |
| 500+ | 2.72 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 4000+ | 1.77 грн |
| 8000+ | 1.56 грн |
| 20000+ | 1.35 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: LGE
NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=200...450, 0.5Вт, 300МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=200...450, 0.5Вт, 300МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 3.71 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 10.90 грн |
| 45+ | 6.67 грн |
| 100+ | 4.12 грн |
| 500+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| 2000+ | 2.17 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 2.13 грн |
| 8000+ | 1.83 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 65V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 65V, 100mA, NPN
на замовлення 6671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.16 грн |
| 37+ | 8.68 грн |
| 100+ | 5.95 грн |
| 500+ | 4.22 грн |
| 1000+ | 3.67 грн |
| 4000+ | 2.77 грн |
| 8000+ | 1.52 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 450; 625mW; 65V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC546B-LGE; BC182; BC546BTA; BC546BBK; BC546B A1; BC546B B1; BC546B BC546B TO92(bulk) LGE TBC546b
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 450; 625mW; 65V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC546B-LGE; BC182; BC546BTA; BC546BBK; BC546B A1; BC546B B1; BC546B BC546B TO92(bulk) LGE TBC546b
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.96 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; Bipolar 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Substitute:BC546BBK-DIO; BC546BBK; BC546B-DIO; BC546B DIOTEC TBC546b f DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; Bipolar 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Substitute:BC546BBK-DIO; BC546BBK; BC546B-DIO; BC546B DIOTEC TBC546b f DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.38 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 420; 500mW; 65V; 80mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC546BBU; BC546B-DIO; BC546BBK; BC546B B1G; BC546B-LGE; BC546B-CDI; BC546B SLKOR TBC546b SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 420; 500mW; 65V; 80mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC546BBU; BC546B-DIO; BC546BBK; BC546B B1G; BC546B-LGE; BC546B-CDI; BC546B SLKOR TBC546b SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.96 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; Bipolar 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Substitute:BC546BBK-DIO; BC546BBK; BC546B-DIO; BC546B DIOTEC TBC546b f DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; Bipolar 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Substitute:BC546BBK-DIO; BC546BBK; BC546B-DIO; BC546B DIOTEC TBC546b f DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.38 грн |
| BC546B |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor NPN; 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC182; BC546B-BULK; BC546B TO92(bulk) YFW TBC546b YFW
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; 450; 500mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC182; BC546B-BULK; BC546B TO92(bulk) YFW TBC546b YFW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.15 грн |
| BC546B TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.07 грн |
| 10+ | 55.81 грн |
| 100+ | 31.98 грн |
| 500+ | 25.13 грн |
| 1000+ | 21.46 грн |
| 2000+ | 19.38 грн |
| 4000+ | 15.78 грн |
| BC546B,116 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.11 грн |
| BC546B,126 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од
кількість в упаковці: 2000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 1.20 грн |
| BC546B-BULK BC546B |
Виробник: Semtech
NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=200...450, 0.5Вт, 300МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=200...450, 0.5Вт, 300МГц, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.01 грн |
| BC546BBK |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 200
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 200
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 7194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 9.87 грн |
| 64+ | 6.58 грн |
| 113+ | 3.70 грн |
| 250+ | 2.96 грн |
| 500+ | 2.52 грн |
| 1000+ | 2.18 грн |
| 5000+ | 1.64 грн |
| BC546BBK |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92BK, 65V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92BK, 65V, 100mA, NPN
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.69 грн |
| 46+ | 6.93 грн |
| 100+ | 5.05 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.53 грн |
| 5000+ | 2.70 грн |
| 10000+ | 1.73 грн |
| BC546BBK |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 10.90 грн |
| 45+ | 6.67 грн |
| 100+ | 4.12 грн |
| 500+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| 2000+ | 2.17 грн |
| BC546BTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 300MHz
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 17.05 грн |
| 39+ | 10.92 грн |
| 57+ | 7.32 грн |
| 100+ | 6.12 грн |
| 500+ | 4.22 грн |
| 1000+ | 3.67 грн |
| 2000+ | 3.25 грн |
| BC546BTA |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 1.32 грн |
| BC546BTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 3.97 грн |
| 4000+ | 3.42 грн |
| BC546BTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.47 грн |
| 27+ | 11.25 грн |
| 100+ | 7.01 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
| BC546BTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 65V 100mA HFE/450
Bipolar Transistors - BJT NPN 65V 100mA HFE/450
на замовлення 12056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.11 грн |
| 27+ | 12.10 грн |
| 100+ | 6.58 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 4.29 грн |
| 2000+ | 3.25 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 16.15 грн |
| 39+ | 10.83 грн |
| 57+ | 7.42 грн |
| 100+ | 6.22 грн |
| 500+ | 4.26 грн |
| 1000+ | 3.67 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.78 грн |
| 20+ | 15.92 грн |
| 100+ | 8.45 грн |
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 5.33 грн |
| 2000+ | 4.64 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 3.81 грн |
| 4000+ | 3.28 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 15939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.69 грн |
| 28+ | 10.80 грн |
| 100+ | 6.76 грн |
| 500+ | 4.66 грн |
| 1000+ | 4.11 грн |
| TBC546B |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.90 грн |
| 25+ | 16.67 грн |
| 59+ | 7.08 грн |
| 84+ | 5.00 грн |
| 117+ | 3.57 грн |
| 250+ | 2.33 грн |
| 500+ | 2.10 грн |
| 1000+ | 1.86 грн |
| TBC546B |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 100mA 65V 500mW 300MHz 200 < beta < 450 Replacement for BC182 BC546B CDIL TO92(ammo)formed) TBC546b f
кількість в упаковці: 500 шт
NPN 100mA 65V 500mW 300MHz 200 < beta < 450 Replacement for BC182 BC546B CDIL TO92(ammo)formed) TBC546b f
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.55 грн |
| BC546BG |
![]() |
Виробник: ON
07+;
07+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC546BRL1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор BC546B |
Виробник: SEMTECH
Транз. Бипол. ММ NPN 65V; 100mA; 500mW; TO92
Транз. Бипол. ММ NPN 65V; 100mA; 500mW; TO92
на замовлення 237 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC846B |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-DIO; BC846 B; BC846B DIOTEC SEMICONDUCTOR TBC846b DIO
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-DIO; BC846 B; BC846B DIOTEC SEMICONDUCTOR TBC846b DIO
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.77 грн |
| BC846B |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-DIO; BC846 B; BC846B DIOTEC SEMICONDUCTOR TBC846b DIO
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC546B-DIO; BC846 B; BC846B DIOTEC SEMICONDUCTOR TBC846b DIO
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.77 грн |
| BC546BTA Код товару: 171245
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B |
![]() |
Виробник: KEC
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 200/450 @ 2 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 200/450 @ 2 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200...450 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 10 мА, 0,5 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 200...450 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 10 мА, 0,5 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B |
![]() |
Виробник: CDIL
Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B A1 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,5, Uceo, В = 80, Ic = 100 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 450 @ 2 мА, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B A1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B APM PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B APM PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B APM TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B APM TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B B1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B TRE PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B TRE PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B TRE TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Bipolar Transistors - BJT 65V,100mA,500mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B TRE TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B,116 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B,126 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC546B-AP |
![]() |
Виробник: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
















