Результат пошуку "irfp4110" : 24

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4110PBF IRFP4110PBF
Код товару: 40699
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110 International Rectifier Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110-CN IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF International Rectifier/Infineon infineon-irfp4110-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 400 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
400+133.10 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.04 грн
40+362.76 грн
50+348.93 грн
100+325.06 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.32 грн
10+173.15 грн
25+150.45 грн
100+124.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.76 грн
65+220.93 грн
100+181.39 грн
400+151.13 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.75 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.51 грн
10+220.78 грн
100+181.27 грн
400+151.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.72 грн
10+215.18 грн
100+178.79 грн
400+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.57 грн
25+212.36 грн
50+192.08 грн
100+164.27 грн
500+136.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110XKMA1 International Rectifier Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 International Rectifier Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+340.02 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.51 грн
25+385.31 грн
50+351.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF International Rectifier irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110XKMA1 Infineon Technologies MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP4110PBF IR Транзистор польовий IRFP4110PBF IR IR MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF
Код товару: 40699
1 Додати до обраних Обраний товар
irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110-CN TIRFP4110_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
IRFP4110-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+84.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 400 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+133.10 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+379.04 грн
40+362.76 грн
50+348.93 грн
100+325.06 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.32 грн
10+173.15 грн
25+150.45 грн
100+124.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+229.16 грн
500+217.35 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+377.76 грн
65+220.93 грн
100+181.39 грн
400+151.13 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.75 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+377.51 грн
10+220.78 грн
100+181.27 грн
400+151.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 3743176.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+350.72 грн
10+215.18 грн
100+178.79 грн
400+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+382.57 грн
25+212.36 грн
50+192.08 грн
100+164.27 грн
500+136.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110XKMA1
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+340.02 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+668.51 грн
25+385.31 грн
50+351.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: International Rectifier
TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN.pdf
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP4110PBF IR
Транзистор польовий IRFP4110PBF IR
Виробник: IR
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg   Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.