Результат пошуку "irfp4110" : 23

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4110PBF IRFP4110PBF
Код товару: 40699
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 57 шт
7 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110 International Rectifier Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110-CN IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF International Rectifier/Infineon infineon-irfp4110-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 400 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
400+133.10 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.35 грн
40+361.14 грн
50+347.38 грн
100+323.62 грн
250+290.56 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.08 грн
10+158.30 грн
25+137.98 грн
100+115.97 грн
125+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.00 грн
10+234.82 грн
100+192.48 грн
400+149.18 грн
2800+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.53 грн
25+188.94 грн
100+154.38 грн
500+118.90 грн
1000+110.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.91 грн
62+229.49 грн
100+190.68 грн
400+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.96 грн
10+173.88 грн
100+123.07 грн
400+101.27 грн
1200+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.96 грн
10+176.40 грн
100+143.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.17 грн
60+236.07 грн
100+193.50 грн
400+149.97 грн
2800+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110XKMA1 International Rectifier Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 International Rectifier Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+332.85 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.54 грн
25+415.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+162.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF International Rectifier irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110XKMA1 Infineon Technologies MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF
Код товару: 40699
1 Додати до обраних Обраний товар
irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 57 шт
7 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110-CN TIRFP4110_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
IRFP4110-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 400 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
400+133.10 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+377.35 грн
40+361.14 грн
50+347.38 грн
100+323.62 грн
250+290.56 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.08 грн
10+158.30 грн
25+137.98 грн
100+115.97 грн
125+113.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+407.00 грн
10+234.82 грн
100+192.48 грн
400+149.18 грн
2800+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.53 грн
25+188.94 грн
100+154.38 грн
500+118.90 грн
1000+110.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+376.91 грн
62+229.49 грн
100+190.68 грн
400+149.61 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.96 грн
10+173.88 грн
100+123.07 грн
400+101.27 грн
1200+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+156.08 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 3743176.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+310.96 грн
10+176.40 грн
100+143.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+409.17 грн
60+236.07 грн
100+193.50 грн
400+149.97 грн
2800+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110XKMA1
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+332.85 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+721.54 грн
25+415.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+162.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: International Rectifier
TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN.pdf
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.