Результат пошуку "irfp4110" : 24

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP4110PBF IRFP4110PBF
Код товару: 40699
IR irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
очікується: 10 шт
1+145 грн
10+ 133 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+204.18 грн
58+ 196.4 грн
100+ 189.74 грн
250+ 177.41 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.58 грн
10+ 286.33 грн
25+ 258.1 грн
100+ 194.16 грн
250+ 177.96 грн
400+ 135.86 грн
1200+ 134.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.25 грн
10+ 301.02 грн
25+ 227.24 грн
100+ 194.69 грн
400+ 147.81 грн
1200+ 139.34 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.18 грн
10+ 270.26 грн
100+ 235.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+348.47 грн
37+ 308.36 грн
41+ 277.95 грн
100+ 209.09 грн
250+ 191.65 грн
400+ 146.31 грн
1200+ 144.89 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+380.96 грн
34+ 333.95 грн
50+ 301.32 грн
100+ 261.87 грн
200+ 240.76 грн
800+ 204.81 грн
1600+ 176.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.28 грн
25+ 232.4 грн
100+ 199.21 грн
500+ 166.17 грн
1000+ 142.29 грн
2000+ 133.98 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+184.83 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf MOSFET
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.25 грн
10+ 277.06 грн
25+ 227.24 грн
100+ 194.69 грн
250+ 184.27 грн
400+ 172.55 грн
1200+ 147.81 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+276.34 грн
47+ 241.92 грн
50+ 226.81 грн
100+ 191.99 грн
250+ 171.91 грн
400+ 139.68 грн
1200+ 129.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.28 грн
25+ 232.4 грн
100+ 199.21 грн
500+ 166.17 грн
1000+ 142.29 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.98 грн
10+ 242.53 грн
25+ 227.37 грн
100+ 192.44 грн
250+ 172.37 грн
400+ 140.06 грн
1200+ 129.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe SP005732688
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110XKMA1 International Rectifier Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.57 грн
25+ 357.96 грн
100+ 320.27 грн
AUIRFP4110 AUIRFP4110 International Rectifier Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+280.04 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRFP4110 IRFP4110 Infineon / IR Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf MOSFET
товар відсутній
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
товар відсутній
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
товар відсутній
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN-1730884.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
товар відсутній
IRFP4110PBF
Код товару: 40699
irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+145 грн
10+ 133 грн
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+204.18 грн
58+ 196.4 грн
100+ 189.74 грн
250+ 177.41 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+323.58 грн
10+ 286.33 грн
25+ 258.1 грн
100+ 194.16 грн
250+ 177.96 грн
400+ 135.86 грн
1200+ 134.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4110PBF Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.25 грн
10+ 301.02 грн
25+ 227.24 грн
100+ 194.69 грн
400+ 147.81 грн
1200+ 139.34 грн
IRFP4110PBF 3743176.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+357.18 грн
10+ 270.26 грн
100+ 235.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+348.47 грн
37+ 308.36 грн
41+ 277.95 грн
100+ 209.09 грн
250+ 191.65 грн
400+ 146.31 грн
1200+ 144.89 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+380.96 грн
34+ 333.95 грн
50+ 301.32 грн
100+ 261.87 грн
200+ 240.76 грн
800+ 204.81 грн
1600+ 176.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.28 грн
25+ 232.4 грн
100+ 199.21 грн
500+ 166.17 грн
1000+ 142.29 грн
2000+ 133.98 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+184.83 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.25 грн
10+ 277.06 грн
25+ 227.24 грн
100+ 194.69 грн
250+ 184.27 грн
400+ 172.55 грн
1200+ 147.81 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+276.34 грн
47+ 241.92 грн
50+ 226.81 грн
100+ 191.99 грн
250+ 171.91 грн
400+ 139.68 грн
1200+ 129.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.28 грн
25+ 232.4 грн
100+ 199.21 грн
500+ 166.17 грн
1000+ 142.29 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+276.98 грн
10+ 242.53 грн
25+ 227.37 грн
100+ 192.44 грн
250+ 172.37 грн
400+ 140.06 грн
1200+ 129.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
SP005732688
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110XKMA1
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
AUIRFP4110 auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+465.57 грн
25+ 357.96 грн
100+ 320.27 грн
AUIRFP4110 Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+280.04 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRFP4110 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf
IRFP4110
Виробник: Infineon / IR
MOSFET
товар відсутній
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
товар відсутній
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
товар відсутній
AUIRFP4110 Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN-1730884.pdf
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
товар відсутній