Результат пошуку "irfp4110" : 27

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP4110PBF IRFP4110PBF
Код товару: 40699 		IR irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
1+145 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.11 грн
25+ 264.65 грн
100+ 226.84 грн
500+ 189.22 грн
1000+ 162.02 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+218.21 грн
59+ 209.9 грн
100+ 202.77 грн
250+ 189.6 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+231.82 грн
56+ 218.6 грн
100+ 187.08 грн
200+ 172.56 грн
800+ 158.87 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.51 грн
10+ 356.88 грн
25+ 218.15 грн
100+ 192.11 грн
250+ 189.29 грн
400+ 158.33 грн
2800+ 154.81 грн
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+371.56 грн
47+ 262.32 грн
100+ 226.28 грн
250+ 189.04 грн
400+ 150.11 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.81 грн
10+ 249.45 грн
100+ 226.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+348.65 грн
10+ 345.02 грн
25+ 243.58 грн
100+ 210.12 грн
250+ 175.54 грн
400+ 139.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+199.22 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.6 грн
10+ 276.29 грн
100+ 209.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf MOSFETs Y
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.55 грн
10+ 318.84 грн
25+ 254.03 грн
100+ 217.44 грн
250+ 210.4 грн
400+ 164.66 грн
1200+ 155.52 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+323.6 грн
42+ 290.63 грн
46+ 267.06 грн
100+ 226.28 грн
250+ 203.95 грн
400+ 161.46 грн
1200+ 153.32 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+402.63 грн
35+ 355.86 грн
50+ 270.46 грн
100+ 259.82 грн
200+ 226.95 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.75 грн
10+ 267.41 грн
25+ 245.73 грн
100+ 208.21 грн
250+ 187.66 грн
400+ 148.56 грн
1200+ 141.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.11 грн
25+ 264.65 грн
100+ 226.84 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe SP005732688
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110XKMA1 International Rectifier Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+244.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.81 грн
25+ 277.46 грн
100+ 257.08 грн
AUIRFP4110 AUIRFP4110 International Rectifier Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+308.78 грн
Мінімальне замовлення: 70
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+156.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4110 IRFP4110 Infineon / IR Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf MOSFETs
товар відсутній
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe IRFP4110PBFXKMA1
товар відсутній
AUIRFP4110 AUIRFP4110 Infineon Technologies Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN-1730884.pdf MOSFETs Y
товар відсутній
IRFP4110PBF
Код товару: 40699		 irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+145 грн
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+347.11 грн
25+ 264.65 грн
100+ 226.84 грн
500+ 189.22 грн
1000+ 162.02 грн
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+218.21 грн
59+ 209.9 грн
100+ 202.77 грн
250+ 189.6 грн
Мінімальне замовлення: 56
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+231.82 грн
56+ 218.6 грн
100+ 187.08 грн
200+ 172.56 грн
800+ 158.87 грн
Мінімальне замовлення: 53
IRFP4110PBF Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.51 грн
10+ 356.88 грн
25+ 218.15 грн
100+ 192.11 грн
250+ 189.29 грн
400+ 158.33 грн
2800+ 154.81 грн
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+371.56 грн
47+ 262.32 грн
100+ 226.28 грн
250+ 189.04 грн
400+ 150.11 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRFP4110PBF 3743176.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+386.81 грн
10+ 249.45 грн
100+ 226.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBF infineon-irfp4110-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+348.65 грн
10+ 345.02 грн
25+ 243.58 грн
100+ 210.12 грн
250+ 175.54 грн
400+ 139.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+199.22 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRFP4110PBFXKMA1 3743176.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+387.6 грн
10+ 276.29 грн
100+ 209.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.55 грн
10+ 318.84 грн
25+ 254.03 грн
100+ 217.44 грн
250+ 210.4 грн
400+ 164.66 грн
1200+ 155.52 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+323.6 грн
42+ 290.63 грн
46+ 267.06 грн
100+ 226.28 грн
250+ 203.95 грн
400+ 161.46 грн
1200+ 153.32 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+402.63 грн
35+ 355.86 грн
50+ 270.46 грн
100+ 259.82 грн
200+ 226.95 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+297.75 грн
10+ 267.41 грн
25+ 245.73 грн
100+ 208.21 грн
250+ 187.66 грн
400+ 148.56 грн
1200+ 141.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+347.11 грн
25+ 264.65 грн
100+ 226.84 грн
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
SP005732688
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4110XKMA1
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+244.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
AUIRFP4110 auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360.81 грн
25+ 277.46 грн
100+ 257.08 грн
AUIRFP4110 Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+308.78 грн
Мінімальне замовлення: 70
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4110 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN-3007052.pdf
IRFP4110
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товар відсутній
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
товар відсутній
AUIRFP4110 Infineon_AUIRFP4110_DS_v01_02_EN-1730884.pdf
AUIRFP4110
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
товар відсутній