Результат пошуку "irfp4110" : 21
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 36
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 41
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 43
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 52
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 40
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4110PBF Код товару: 40699
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247AC Uds,V: 100 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 Монтаж: THT |
у наявності: 116 шт
90 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
10 шт
10 шт - очікується
|
|
||||||||||||
IRFP4110-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 370W Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 47200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP4110XKMA1 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP4110 | Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AUIRFP4110 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFP4110PBF Код товару: 40699
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
90 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10 шт
10 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 145.00 грн |
10+ | 133.00 грн |
IRFP4110-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 75.73 грн |
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 348.46 грн |
50+ | 286.63 грн |
100+ | 269.77 грн |
250+ | 257.04 грн |
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 266.47 грн |
10+ | 238.42 грн |
25+ | 177.07 грн |
100+ | 152.90 грн |
250+ | 125.15 грн |
400+ | 94.29 грн |
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 303.95 грн |
50+ | 257.25 грн |
100+ | 245.78 грн |
200+ | 207.78 грн |
400+ | 179.95 грн |
800+ | 171.35 грн |
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
43+ | 285.95 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 223.52 грн |
25+ | 157.69 грн |
100+ | 140.42 грн |
400+ | 102.78 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 321.19 грн |
10+ | 244.67 грн |
100+ | 167.32 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 314.80 грн |
25+ | 175.84 грн |
100+ | 140.16 грн |
400+ | 98.19 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
52+ | 239.86 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
400+ | 140.51 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 314.60 грн |
50+ | 266.27 грн |
100+ | 177.78 грн |
200+ | 168.45 грн |
IRFP4110XKMA1 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 139.50 грн |
IRFP4110PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRFP4110 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.