Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356680) > Сторінка 1191 з 5945

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR640ADP-T1-GE3 VISHAY sir640adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 VISHAY sir662dp.pdf SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 VISHAY sir664dp.pdf SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 VISHAY sir668dp.pdf SIR668DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 VISHAY sir670dp.pdf SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY sir680adp.pdf SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 VISHAY sir680dp.pdf SIR680DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY sir680ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 VISHAY sir681dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 VISHAY sir688dp.pdf SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 VISHAY sir692dp.pdf SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 VISHAY sir696dp.pdf SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3 VISHAY sir698dp.pdf SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 VISHAY sir770dp.pdf SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3 VISHAY sir800adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY sir800adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 VISHAY sir800dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3 VISHAY doc?65738 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 VISHAY sir804dp.pdf SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 VISHAY sir818dp.pdf SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3 VISHAY sir460bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY sir826bdp.pdf SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3 VISHAY sir826dp.pdf SIR826DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3 VISHAY sir836dp.pdf SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY sir846adp.pdf SIR846ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3 VISHAY sir846bdp.pdf SIR846BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3 VISHAY sir846dp.pdf SIR846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3 VISHAY sir862dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY sir870adp.pdf SIR870ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY sir870adp.pdf SIR870ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY sir870bdp.pdf SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 VISHAY sir870dp.pdf SIR870DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 VISHAY sir871dp.pdf SIR871DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY sir872adp.pdf SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-RE3 VISHAY SIR872ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 VISHAY sir872dp.pdf SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 VISHAY sir873dp.pdf SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 VISHAY sir876adp.pdf SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY sir876bdp.pdf SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 VISHAY sir878bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 VISHAY sir880adp.pdf SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 VISHAY sir880dp.pdf SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY sir882adp.pdf SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3 VISHAY sir882bdp.pdf SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 VISHAY sir882dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY sira00dp.pdf SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY sira01dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY sira02dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY sira04dp.pdf SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY sira10bdp.pdf SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.34 грн
10+52.81 грн
25+43.59 грн
68+41.29 грн
100+40.83 грн
250+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3 VISHAY sira12bdp.pdf SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 VISHAY SIRA12DP.pdf SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY sira14bdp.pdf SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 sir662dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 sir668dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR668DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 sir680adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 sir680dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR680DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 sir688dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 sir690dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 sir696dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3 sir698dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3 sir800adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 sir800adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 sir800dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3 doc?65738
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 sir804dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 sir818dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3 sir460bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 sir826bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3 sir826dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR826DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3 sir836dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 sir846adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR846ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3 sir846bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR846BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3 sir846dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3 sir862dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR870ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-RE3 sir870adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR870ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR870DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 sir871dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR871DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
SIR872ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872DP-T1-GE3 sir872dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 sir878bdp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 sir880adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3 sir882bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 sir882dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 sira00dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA01DP-T1-GE3 sira01dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA04DP-T1-GE3 sira04dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 sira10bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.34 грн
10+52.81 грн
25+43.59 грн
68+41.29 грн
100+40.83 грн
250+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3 sira12bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 sira14bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5945  [ Наступна Сторінка >> ]