Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIR876BDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIR878BDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 40W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIR880ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIR880DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIR882ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIR882BDP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIR882DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 83W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA00DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA01DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -20.8A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 112nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -150A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA02DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 45.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 117nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA04DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA06DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA10BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
SIRA10DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 26W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
SIRA12BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA12DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA14BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA14DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SIRA18ADP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SIRA18BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA18DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA20BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA20DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA24DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA28BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA32DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA36DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA50ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA50DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA52ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA52DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA54DP-T1-GE3 | VISHAY | SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA58ADP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA58DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA60DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA62DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA64DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SiRA72DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA74DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA80DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA84BDP-T1-GE3 | VISHAY | SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA84DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA88BDP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SiRA88DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA90DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SIRA90DP-T1-RE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SiRA96DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRA99DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRB40DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 29.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 93nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRC06DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRC10DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SiRC16DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRC18DP-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY | SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIS106DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIS108DN-T1-GE3 | VISHAY | SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIS110DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIS126DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 36.1A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 33.3W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIS128LDN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
SIS176LDN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SIR876BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR878BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR880ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR880DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR882ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR882BDP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIR882DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA00DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA01DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA02DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA04DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA06DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA10DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.34 грн |
10+ | 52.81 грн |
25+ | 43.59 грн |
68+ | 41.29 грн |
100+ | 40.83 грн |
250+ | 39.63 грн |
SIRA12BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA12DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA14BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA14DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.50 грн |
49+ | 22.07 грн |
134+ | 20.87 грн |
SIRA18ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.74 грн |
64+ | 17.01 грн |
174+ | 16.09 грн |
SIRA18BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA18BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA18BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA18DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA20BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA20BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA20DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA20DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA20DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA24DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA32DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA36DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA50ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA50DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA52DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA54DP-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA58DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA60DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA62DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA64DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiRA72DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA74DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA80DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA84BDP-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA84DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA88BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA88BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA88BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiRA88DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA88DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA88DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA90DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.57 грн |
17+ | 64.37 грн |
46+ | 60.69 грн |
SIRA90DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA90DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRA90DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiRA96DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRA99DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRB40DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 29.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 29.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRC06DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRC10DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiRC16DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRC18DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIRS700DP-T1-RE3 |
Виробник: VISHAY
SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIS106DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIS108DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIS110DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIS126DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIS128LDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIS176LDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.