Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (360180) > Сторінка 1260 з 6003

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6003  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFPE40PBF IRFPE40PBF VISHAY IRFPE40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+349.72 грн
10+240.15 грн
25+203.70 грн
100+170.24 грн
200+154.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.73 грн
10+202.34 грн
25+184.02 грн
50+176.15 грн
100+168.28 грн
125+166.31 грн
250+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBF IRFPF50PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.14 грн
5+316.79 грн
10+292.27 грн
25+277.51 грн
75+258.81 грн
100+254.87 грн
200+243.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY IRFPG30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
25+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+306.27 грн
10+223.80 грн
25+195.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF VISHAY IRFPG50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+270.24 грн
10+197.23 грн
25+172.21 грн
50+163.36 грн
100+155.48 грн
250+151.55 грн
500+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFR014PBF SMD N channel transistors
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.74 грн
47+25.00 грн
129+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBF IRFR024PBF VISHAY IRFR024PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.53 грн
10+53.45 грн
75+40.05 грн
150+36.61 грн
300+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF IRFR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.12 грн
10+53.04 грн
75+40.54 грн
150+37.00 грн
300+35.03 грн
375+33.95 грн
525+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF IRFR120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
20+39.96 грн
75+36.51 грн
525+33.56 грн
1050+32.47 грн
3000+30.80 грн
6000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF IRFR1N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
25+52.53 грн
75+41.82 грн
150+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF IRFR210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
10+40.16 грн
75+35.72 грн
525+33.46 грн
6000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
10+50.07 грн
75+35.52 грн
150+31.88 грн
300+29.33 грн
525+27.85 грн
1050+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF IRFR224PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.12 грн
7+44.15 грн
25+37.20 грн
75+34.64 грн
300+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF VISHAY sihfr310.pdf IRFR310PBF SMD N channel transistors
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.52 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFR320PBF SMD N channel transistors
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.53 грн
35+33.75 грн
96+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF VISHAY sihfr320.pdf IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.03 грн
33+36.02 грн
90+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.13 грн
5+103.62 грн
10+83.84 грн
25+67.51 грн
50+59.44 грн
75+55.99 грн
150+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.51 грн
32+37.30 грн
87+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.36 грн
37+31.69 грн
102+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.14 грн
34+35.03 грн
92+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.75 грн
50+42.31 грн
75+39.26 грн
150+36.12 грн
525+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY IRFR9024PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
5+78.28 грн
10+66.03 грн
25+55.70 грн
50+49.89 грн
75+47.14 грн
150+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
41+28.93 грн
111+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF VISHAY sihfr912.pdf IRFR9120PBF SMD P channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.08 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY IRFR9220PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.02 грн
10+78.99 грн
50+59.73 грн
75+55.01 грн
525+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.66 грн
250+69.29 грн
500+61.11 грн
1000+54.22 грн
2000+46.35 грн
4000+37.99 грн
6000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.23 грн
10+66.02 грн
75+56.19 грн
150+51.96 грн
525+45.76 грн
1050+42.91 грн
2025+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
5+87.68 грн
10+77.15 грн
50+62.39 грн
100+56.88 грн
500+45.66 грн
1000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF VISHAY sihfrc20.pdf IRFRC20PBF SMD N channel transistors
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.01 грн
31+37.99 грн
85+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY IRFS11N50A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.03 грн
5+182.92 грн
10+160.40 грн
50+132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
10+138.98 грн
50+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY IRFSL11N50APBF-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.80 грн
3+151.24 грн
10+129.90 грн
50+116.12 грн
250+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf IRFU024PBF THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.25 грн
32+36.61 грн
88+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF VISHAY sihfr120.pdf description IRFU120PBF THT N channel transistors
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.70 грн
28+41.92 грн
77+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.72 грн
10+56.41 грн
25+46.25 грн
75+40.64 грн
150+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.43 грн
36+32.67 грн
99+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF VISHAY sihfr420.pdf IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.32 грн
36+32.47 грн
100+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
10+56.00 грн
75+46.94 грн
150+45.07 грн
375+42.81 грн
1050+40.64 грн
5025+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+57.33 грн
75+49.99 грн
150+48.22 грн
300+46.55 грн
525+45.07 грн
750+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf IRFU9110PBF THT P channel transistors
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.84 грн
43+27.46 грн
118+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF VISHAY sihfr912.pdf IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.05 грн
38+31.49 грн
104+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF VISHAY sihfr931.pdf IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.19 грн
31+37.89 грн
85+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF VISHAY sihfrc20.pdf description IRFUC20PBF THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
26+45.37 грн
71+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY IRFZ14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
50+38.73 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.57 грн
10+67.86 грн
50+57.96 грн
100+54.91 грн
250+50.88 грн
500+47.83 грн
1000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY IRFZ44.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.71 грн
5+116.50 грн
25+84.63 грн
50+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.22 грн
50+141.02 грн
100+125.96 грн
250+114.15 грн
500+106.28 грн
1000+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.42 грн
10+65.91 грн
50+52.84 грн
100+48.91 грн
250+44.97 грн
500+42.71 грн
1000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY IRL640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.17 грн
10+90.95 грн
50+76.76 грн
100+73.81 грн
250+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY sihl640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY IRL640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.62 грн
10+122.63 грн
100+93.49 грн
250+86.60 грн
500+82.66 грн
800+80.69 грн
2400+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF VISHAY 91314.pdf IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.30 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBF VISHAY 91318.pdf IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.91 грн
11+114.15 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.59 грн
50+52.63 грн
100+47.43 грн
250+42.71 грн
500+38.97 грн
1000+35.03 грн
2500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.88 грн
10+44.76 грн
20+38.18 грн
50+34.05 грн
75+32.87 грн
300+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.99 грн
10+43.74 грн
75+38.67 грн
525+35.33 грн
2025+33.06 грн
5025+31.59 грн
11250+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY IRLR120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.30 грн
9+38.22 грн
25+32.57 грн
100+29.23 грн
500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF VISHAY sihlr014.pdf IRLU014PBF THT N channel transistors
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.17 грн
40+29.82 грн
108+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44PBF IRLZ44PBF VISHAY IRLZ44.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
10+109.35 грн
50+94.47 грн
100+90.53 грн
250+84.63 грн
500+81.68 грн
750+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBF IRFPE40PBF.pdf
IRFPE40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.72 грн
10+240.15 грн
25+203.70 грн
100+170.24 грн
200+154.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B6D4093E1C469&compId=IRFPE50PBF.pdf?ci_sign=a53fd1de270b406dc255fa0b10a1c4ff346573d9
IRFPE50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
10+202.34 грн
25+184.02 грн
50+176.15 грн
100+168.28 грн
125+166.31 грн
250+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPF50PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B7498A8A58469&compId=IRFPF50PBF.pdf?ci_sign=9ab5b0c810338a5b65aa21f514bc9e2d29affc7c
IRFPF50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.2A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.14 грн
5+316.79 грн
10+292.27 грн
25+277.51 грн
75+258.81 грн
100+254.87 грн
200+243.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG30PBF IRFPG30.pdf
IRFPG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
25+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG40PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD909CE1E4054143&compId=IRFPG40.pdf?ci_sign=065a5785508b5fbcd93384d2cd63143b8bd84dbd
IRFPG40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.27 грн
10+223.80 грн
25+195.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF.pdf
IRFPG50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.24 грн
10+197.23 грн
25+172.21 грн
50+163.36 грн
100+155.48 грн
250+151.55 грн
500+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR014PBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR014PBF SMD N channel transistors
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.74 грн
47+25.00 грн
129+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024PBF IRFR024PBF.pdf
IRFR024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.53 грн
10+53.45 грн
75+40.05 грн
150+36.61 грн
300+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B95A70AB34469&compId=IRFR110PBF.pdf?ci_sign=3b2e81de9e50c2844ed66b575818880f9a71d642
IRFR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.12 грн
10+53.04 грн
75+40.54 грн
150+37.00 грн
300+35.03 грн
375+33.95 грн
525+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFR120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
20+39.96 грн
75+36.51 грн
525+33.56 грн
1050+32.47 грн
3000+30.80 грн
6000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
IRFR1N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
25+52.53 грн
75+41.82 грн
150+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC45F2C81634143&compId=IRFR210.pdf?ci_sign=1df818316efe2c8a0a13ff77375c382048de8104
IRFR210PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
10+40.16 грн
75+35.72 грн
525+33.46 грн
6000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220PBF description irfr220_IRFU220.pdf
IRFR220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
10+50.07 грн
75+35.52 грн
150+31.88 грн
300+29.33 грн
525+27.85 грн
1050+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR224PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC47503E34F8143&compId=IRFR224.pdf?ci_sign=50ea11afa0dd4ab66a116a2b66eaf69a59bc4e08
IRFR224PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; Idm: 15A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.1Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.12 грн
7+44.15 грн
25+37.20 грн
75+34.64 грн
300+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310PBF sihfr310.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR310PBF SMD N channel transistors
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.52 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320PBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR320PBF SMD N channel transistors
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.53 грн
35+33.75 грн
96+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.03 грн
33+36.02 грн
90+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFR420APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.13 грн
5+103.62 грн
10+83.84 грн
25+67.51 грн
50+59.44 грн
75+55.99 грн
150+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.51 грн
32+37.30 грн
87+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.36 грн
37+31.69 грн
102+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.14 грн
34+35.03 грн
92+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.75 грн
50+42.31 грн
75+39.26 грн
150+36.12 грн
525+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF.pdf
IRFR9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
5+78.28 грн
10+66.03 грн
25+55.70 грн
50+49.89 грн
75+47.14 грн
150+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
41+28.93 грн
111+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF sihfr912.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9120PBF SMD P channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.08 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF.pdf
IRFR9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.02 грн
10+78.99 грн
50+59.73 грн
75+55.01 грн
525+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.66 грн
250+69.29 грн
500+61.11 грн
1000+54.22 грн
2000+46.35 грн
4000+37.99 грн
6000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.23 грн
10+66.02 грн
75+56.19 грн
150+51.96 грн
525+45.76 грн
1050+42.91 грн
2025+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
5+87.68 грн
10+77.15 грн
50+62.39 грн
100+56.88 грн
500+45.66 грн
1000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFRC20PBF SMD N channel transistors
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.01 грн
31+37.99 грн
85+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50A.pdf
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
5+182.92 грн
10+160.40 грн
50+132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
10+138.98 грн
50+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF-dte.pdf
IRFSL11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.80 грн
3+151.24 грн
10+129.90 грн
50+116.12 грн
250+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU024PBF THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.25 грн
32+36.61 грн
88+34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU120PBF THT N channel transistors
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.70 грн
28+41.92 грн
77+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.72 грн
10+56.41 грн
25+46.25 грн
75+40.64 грн
150+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.43 грн
36+32.67 грн
99+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU420PBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.32 грн
36+32.47 грн
100+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9014PBF IRFx9014.pdf
IRFU9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
10+56.00 грн
75+46.94 грн
150+45.07 грн
375+42.81 грн
1050+40.64 грн
5025+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024PBF IRFU9024PBF.pdf
IRFU9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
10+57.33 грн
75+49.99 грн
150+48.22 грн
300+46.55 грн
525+45.07 грн
750+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9110PBF THT P channel transistors
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.84 грн
43+27.46 грн
118+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBF sihfr912.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.05 грн
38+31.49 грн
104+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF sihfr931.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.19 грн
31+37.89 грн
85+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF description sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFUC20PBF THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
26+45.37 грн
71+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
50+38.73 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.57 грн
10+67.86 грн
50+57.96 грн
100+54.91 грн
250+50.88 грн
500+47.83 грн
1000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF description IRFZ44.pdf
IRFZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.71 грн
5+116.50 грн
25+84.63 грн
50+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF.pdf
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.22 грн
50+141.02 грн
100+125.96 грн
250+114.15 грн
500+106.28 грн
1000+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
10+65.91 грн
50+52.84 грн
100+48.91 грн
250+44.97 грн
500+42.71 грн
1000+40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF.pdf
IRL640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
10+90.95 грн
50+76.76 грн
100+73.81 грн
250+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF sihl640s.pdf
IRL640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640S.pdf
IRL640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.62 грн
10+122.63 грн
100+93.49 грн
250+86.60 грн
500+82.66 грн
800+80.69 грн
2400+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF 91314.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.30 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBF 91318.pdf
Виробник: VISHAY
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.91 грн
11+114.15 грн
29+107.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e
IRLL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
50+52.63 грн
100+47.43 грн
250+42.71 грн
500+38.97 грн
1000+35.03 грн
2500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.88 грн
10+44.76 грн
20+38.18 грн
50+34.05 грн
75+32.87 грн
300+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110.pdf
IRLR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.99 грн
10+43.74 грн
75+38.67 грн
525+35.33 грн
2025+33.06 грн
5025+31.59 грн
11250+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120.pdf
IRLR120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.30 грн
9+38.22 грн
25+32.57 грн
100+29.23 грн
500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF sihlr014.pdf
Виробник: VISHAY
IRLU014PBF THT N channel transistors
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.17 грн
40+29.82 грн
108+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44PBF IRLZ44.pdf
IRLZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
10+109.35 грн
50+94.47 грн
100+90.53 грн
250+84.63 грн
500+81.68 грн
750+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6003  [ Наступна Сторінка >> ]