Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (360238) > Сторінка 1258 з 6004

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6004  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ILQ621 VISHAY ild621.pdf ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+269.18 грн
17+68.88 грн
47+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621GB VISHAY ild621.pdf ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.55 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08 IMBD4148-E3-08 VISHAY imbd4148.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
37+8.80 грн
54+5.68 грн
100+3.76 грн
250+2.93 грн
500+2.40 грн
1000+1.92 грн
1500+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08 IMBD4148-HE3-08 VISHAY Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.66 грн
100+4.03 грн
500+3.42 грн
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.94 грн
10+44.25 грн
50+39.85 грн
500+35.92 грн
1250+34.44 грн
4000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.60 грн
10+60.19 грн
50+47.14 грн
100+43.10 грн
250+38.48 грн
500+35.33 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.23 грн
7+47.01 грн
10+40.05 грн
50+29.62 грн
100+27.65 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF IRF530PBF VISHAY IRF530PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
7+45.58 грн
10+40.45 грн
50+34.84 грн
100+33.46 грн
500+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY irf530s.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.72 грн
50+72.56 грн
100+65.93 грн
250+61.01 грн
500+58.06 грн
750+56.09 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.23 грн
50+42.92 грн
100+38.77 грн
500+32.97 грн
1000+30.51 грн
2000+27.85 грн
5000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF IRF620PBF VISHAY IRF620PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.38 грн
10+64.07 грн
50+53.53 грн
100+46.25 грн
250+41.53 грн
500+39.07 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
50+43.53 грн
500+38.58 грн
5000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.72 грн
50+58.66 грн
100+53.83 грн
250+50.58 грн
500+48.22 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF VISHAY irf634.pdf IRF634PBF THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.22 грн
27+44.28 грн
74+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.43 грн
10+127.74 грн
50+93.49 грн
100+82.66 грн
250+74.79 грн
500+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
10+100.15 грн
25+89.55 грн
50+84.63 грн
100+80.69 грн
250+74.79 грн
500+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
50+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.81 грн
10+94.02 грн
50+76.76 грн
100+71.84 грн
250+65.93 грн
500+61.01 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.64 грн
50+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.87 грн
50+36.18 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF VISHAY sihf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.22 грн
10+67.75 грн
100+51.66 грн
800+44.78 грн
1600+43.20 грн
2400+42.32 грн
4000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF IRF720PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.90 грн
10+67.65 грн
50+56.98 грн
100+53.73 грн
500+46.64 грн
1000+43.79 грн
2000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF VISHAY IRF730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.53 грн
50+51.30 грн
1000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
10+127.74 грн
50+108.25 грн
250+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.52 грн
10+134.89 грн
50+96.44 грн
100+87.58 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.97 грн
10+131.83 грн
25+107.26 грн
50+89.55 грн
100+75.77 грн
500+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
10+95.04 грн
40+82.66 грн
50+81.68 грн
100+75.77 грн
150+73.81 грн
200+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.68 грн
10+89.93 грн
25+82.66 грн
50+78.73 грн
100+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.49 грн
10+120.59 грн
50+107.26 грн
250+99.39 грн
1000+93.49 грн
2000+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF VISHAY 91057.pdf description IRF820APBF THT N channel transistors
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
30+39.36 грн
82+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF VISHAY sihf820a.pdf IRF820ASPBF SMD N channel transistors
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
23+51.57 грн
63+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF VISHAY 91059.pdf IRF820PBF THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.52 грн
32+37.59 грн
86+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.41 грн
5+114.45 грн
10+105.30 грн
50+93.49 грн
100+88.57 грн
250+82.66 грн
500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF IRF830APBF VISHAY irf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.93 грн
10+87.58 грн
50+72.13 грн
100+67.21 грн
250+61.01 грн
500+56.49 грн
1000+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF IRF830PBF VISHAY irf830.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
10+60.29 грн
50+49.40 грн
100+47.63 грн
500+44.18 грн
10000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.56 грн
50+96.06 грн
100+78.73 грн
500+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.28 грн
50+98.10 грн
100+90.53 грн
250+83.65 грн
500+78.73 грн
750+75.77 грн
1000+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.86 грн
10+110.37 грн
25+94.47 грн
50+87.58 грн
100+81.68 грн
250+75.77 грн
500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.22 грн
4+98.10 грн
5+90.53 грн
10+85.61 грн
50+75.77 грн
100+71.84 грн
150+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
5+100.15 грн
10+88.57 грн
50+72.82 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF IRF9510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.99 грн
10+42.72 грн
50+36.51 грн
100+34.64 грн
250+32.28 грн
500+30.60 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+87.88 грн
50+72.92 грн
100+68.00 грн
250+61.70 грн
500+56.78 грн
1000+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.29 грн
10+67.45 грн
25+56.29 грн
50+54.52 грн
100+51.07 грн
250+49.40 грн
500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.17 грн
10+86.86 грн
50+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.24 грн
10+116.50 грн
50+96.44 грн
100+90.53 грн
200+83.65 грн
250+81.68 грн
500+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF VISHAY 91080.pdf IRF9610PBF THT P channel transistors
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.47 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.32 грн
10+78.69 грн
50+68.88 грн
500+62.00 грн
1000+60.03 грн
2000+58.06 грн
5000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.17 грн
10+113.43 грн
50+92.50 грн
100+83.65 грн
250+71.84 грн
500+61.01 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.17 грн
10+113.43 грн
50+97.42 грн
100+90.53 грн
250+82.66 грн
500+75.77 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY IRF9Z24.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
50+78.89 грн
100+70.56 грн
250+62.59 грн
500+56.29 грн
750+52.45 грн
1000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.57 грн
5+82.78 грн
10+73.81 грн
50+65.93 грн
500+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.95 грн
10+79.20 грн
50+68.88 грн
100+65.93 грн
250+61.80 грн
500+58.85 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.10 грн
50+100.15 грн
500+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.43 грн
10+154.31 грн
50+99.39 грн
100+88.57 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.35 грн
10+280.01 грн
20+248.97 грн
50+221.42 грн
100+206.65 грн
1000+193.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.73 грн
50+122.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.62 грн
50+75.93 грн
100+65.34 грн
250+60.32 грн
500+51.86 грн
1000+47.53 грн
2000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.54 грн
10+101.36 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621 ild621.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.18 грн
17+68.88 грн
47+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ621GB ild621.pdf
Виробник: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.55 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08 imbd4148.pdf
IMBD4148-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.80 грн
54+5.68 грн
100+3.76 грн
250+2.93 грн
500+2.40 грн
1000+1.92 грн
1500+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08
IMBD4148-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.66 грн
100+4.03 грн
500+3.42 грн
3000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.94 грн
10+44.25 грн
50+39.85 грн
500+35.92 грн
1250+34.44 грн
4000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.60 грн
10+60.19 грн
50+47.14 грн
100+43.10 грн
250+38.48 грн
500+35.33 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.23 грн
7+47.01 грн
10+40.05 грн
50+29.62 грн
100+27.65 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530PBF description IRF530PBF.pdf
IRF530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
7+45.58 грн
10+40.45 грн
50+34.84 грн
100+33.46 грн
500+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF description irf530s.pdf
IRF530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.72 грн
50+72.56 грн
100+65.93 грн
250+61.01 грн
500+58.06 грн
750+56.09 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8960BF9F44C469&compId=IRF610PBF.pdf?ci_sign=a05183a00f967f353ce60928ddef5213fdd09ec3
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.23 грн
50+42.92 грн
100+38.77 грн
500+32.97 грн
1000+30.51 грн
2000+27.85 грн
5000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF620PBF IRF620PBF.pdf
IRF620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
10+64.07 грн
50+53.53 грн
100+46.25 грн
250+41.53 грн
500+39.07 грн
1000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
50+43.53 грн
500+38.58 грн
5000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.72 грн
50+58.66 грн
100+53.83 грн
250+50.58 грн
500+48.22 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBF irf634.pdf
Виробник: VISHAY
IRF634PBF THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.22 грн
27+44.28 грн
74+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.43 грн
10+127.74 грн
50+93.49 грн
100+82.66 грн
250+74.79 грн
500+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
10+100.15 грн
25+89.55 грн
50+84.63 грн
100+80.69 грн
250+74.79 грн
500+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
50+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89CC054AA72469&compId=IRF644PBF.pdf?ci_sign=eef51ab49aa85f1d986da9533b7adea2e6150d11
IRF644PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.81 грн
10+94.02 грн
50+76.76 грн
100+71.84 грн
250+65.93 грн
500+61.01 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4127B33F84143&compId=IRF644S.pdf?ci_sign=617bb4c524c766ed6ebee1d005e5d96bd6f3a19b
IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.64 грн
50+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D0F843616469&compId=IRF710PBF.pdf?ci_sign=869a59766b0c020f529d2b5260aa15182097df0a
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.87 грн
50+36.18 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.22 грн
10+67.75 грн
100+51.66 грн
800+44.78 грн
1600+43.20 грн
2400+42.32 грн
4000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89D44489CD2469&compId=IRF720PBF.pdf?ci_sign=7269d1a73dd53ce971382b41e70adbc14b8622af
IRF720PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.90 грн
10+67.65 грн
50+56.98 грн
100+53.73 грн
500+46.64 грн
1000+43.79 грн
2000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730PBF IRF730PBF.pdf
IRF730PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.53 грн
50+51.30 грн
1000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
10+127.74 грн
50+108.25 грн
250+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.52 грн
10+134.89 грн
50+96.44 грн
100+87.58 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.97 грн
10+131.83 грн
25+107.26 грн
50+89.55 грн
100+75.77 грн
500+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
10+95.04 грн
40+82.66 грн
50+81.68 грн
100+75.77 грн
150+73.81 грн
200+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.68 грн
10+89.93 грн
25+82.66 грн
50+78.73 грн
100+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.49 грн
10+120.59 грн
50+107.26 грн
250+99.39 грн
1000+93.49 грн
2000+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF description 91057.pdf
Виробник: VISHAY
IRF820APBF THT N channel transistors
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
30+39.36 грн
82+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820ASPBF sihf820a.pdf
Виробник: VISHAY
IRF820ASPBF SMD N channel transistors
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
23+51.57 грн
63+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820PBF 91059.pdf
Виробник: VISHAY
IRF820PBF THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.52 грн
32+37.59 грн
86+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
5+114.45 грн
10+105.30 грн
50+93.49 грн
100+88.57 грн
250+82.66 грн
500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830APBF irf830a.pdf
IRF830APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.93 грн
10+87.58 грн
50+72.13 грн
100+67.21 грн
250+61.01 грн
500+56.49 грн
1000+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830PBF irf830.pdf
IRF830PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
10+60.29 грн
50+49.40 грн
100+47.63 грн
500+44.18 грн
10000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.56 грн
50+96.06 грн
100+78.73 грн
500+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.28 грн
50+98.10 грн
100+90.53 грн
250+83.65 грн
500+78.73 грн
750+75.77 грн
1000+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.86 грн
10+110.37 грн
25+94.47 грн
50+87.58 грн
100+81.68 грн
250+75.77 грн
500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.22 грн
4+98.10 грн
5+90.53 грн
10+85.61 грн
50+75.77 грн
100+71.84 грн
150+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
5+100.15 грн
10+88.57 грн
50+72.82 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A16254EF56469&compId=IRF9510PBF.pdf?ci_sign=094ecfdf3c0a352c6462423756d424b809ffd5f6
IRF9510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.99 грн
10+42.72 грн
50+36.51 грн
100+34.64 грн
250+32.28 грн
500+30.60 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627
IRF9510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+87.88 грн
50+72.92 грн
100+68.00 грн
250+61.70 грн
500+56.78 грн
1000+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+67.45 грн
25+56.29 грн
50+54.52 грн
100+51.07 грн
250+49.40 грн
500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
10+86.86 грн
50+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.24 грн
10+116.50 грн
50+96.44 грн
100+90.53 грн
200+83.65 грн
250+81.68 грн
500+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF 91080.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9610PBF THT P channel transistors
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.47 грн
34+35.13 грн
92+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A406F43D5E469&compId=IRF9620PBF.pdf?ci_sign=fcd3363de03cfbadea885023fc6b2c089fdc8d61
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -14A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 22nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.32 грн
10+78.69 грн
50+68.88 грн
500+62.00 грн
1000+60.03 грн
2000+58.06 грн
5000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A45B068556469&compId=IRF9630PBF.pdf?ci_sign=e2cb1b3308e421be576b913d5f89ef44f64440d7
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
10+113.43 грн
50+92.50 грн
100+83.65 грн
250+71.84 грн
500+61.01 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AABD95160143&compId=IRF9630S.pdf?ci_sign=b0102a62d4142948f664c7b9568ff7dcac603c74
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.17 грн
10+113.43 грн
50+97.42 грн
100+90.53 грн
250+82.66 грн
500+75.77 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24.pdf
IRF9Z24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
50+78.89 грн
100+70.56 грн
250+62.59 грн
500+56.29 грн
750+52.45 грн
1000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24S.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.57 грн
5+82.78 грн
10+73.81 грн
50+65.93 грн
500+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.95 грн
10+79.20 грн
50+68.88 грн
100+65.93 грн
250+61.80 грн
500+58.85 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.10 грн
50+100.15 грн
500+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF.pdf
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.43 грн
10+154.31 грн
50+99.39 грн
100+88.57 грн
1000+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F396B97150143&compId=IRFB17N50L.pdf?ci_sign=cf2abb929dcd2c62d4d4c4ac9c6f35829b0ccd70
IRFB17N50LPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.35 грн
10+280.01 грн
20+248.97 грн
50+221.42 грн
100+206.65 грн
1000+193.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.73 грн
50+122.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.62 грн
50+75.93 грн
100+65.34 грн
250+60.32 грн
500+51.86 грн
1000+47.53 грн
2000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.54 грн
10+101.36 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 600 1200 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6004  [ Наступна Сторінка >> ]