Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41090) > Сторінка 629 з 685

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 476 544 612 624 625 626 627 628 629 630 631 632 633 634 680 685  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TZX27A-TAP TZX27A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 21 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36A-TAP TZX36A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.35 грн
28+10.72 грн
100+5.24 грн
500+4.10 грн
1000+2.85 грн
2000+2.47 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36A-TAP TZX36A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36B-TR TZX36B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36B-TR TZX36B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.35 грн
28+10.72 грн
100+5.23 грн
500+4.10 грн
1000+2.85 грн
2000+2.47 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4689-HE3_A-18 MMSZ4689-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4681_to_MMSZ4717_Rev2.0_2-18-20.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4689-HE3_A-08 MMSZ4689-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4681_to_MMSZ4717_Rev2.0_2-18-20.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKC56/04 VS-VSKC56/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-vsk56.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 30A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 400 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2472.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKC236/04PBF VS-VSKC236/04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-vskd166.pdf Description: DIODE MOD GP 400V 115A INTAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 400 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4594.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ27A-GS08 TLZ27A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tlz.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 23 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+2.95 грн
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ27A-GS08 TLZ27A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tlz.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 23 V
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.91 грн
26+11.55 грн
100+5.67 грн
500+4.44 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F30A-M3/H SMA6F30A-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: 600W,30V 5%,UNIDIR,SLIM SMA TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+6.63 грн
7000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F30A-M3/H SMA6F30A-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: 600W,30V 5%,UNIDIR,SLIM SMA TVS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.14 грн
17+18.37 грн
100+11.02 грн
500+9.58 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
6DFN30A-M3/I 6DFN30A-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6dfn12athru6dfn51a.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DFN3820A
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6DFN30A-M3/I 6DFN30A-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6dfn12athru6dfn51a.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DFN3820A
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 13952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.48 грн
18+17.10 грн
100+11.55 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMP30A-M3/85A SMP30A-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smp3v3.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMP30A-M3/85A SMP30A-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smp3v3.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 9521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.59 грн
20+15.00 грн
100+6.26 грн
500+5.54 грн
1000+5.20 грн
2000+5.10 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ51AHM3_A/I SMCJ51AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54AHE3_A/H SMCJ54AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54AHE3_A/H SMCJ54AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.74 грн
10+41.40 грн
100+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TZMB62-GS08 TZMB62-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 62V 500MW SOD80
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 47 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMB62-GS08 TZMB62-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzm.pdf Description: DIODE ZENER 62V 500MW SOD80
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 47 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.81 грн
21+14.32 грн
100+6.99 грн
500+5.47 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40CTQ045STRL-M3 VS-40CTQ045STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40ctq045s-m3.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.75 грн
1600+59.66 грн
2400+57.31 грн
4000+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40CTQ045STRL-M3 VS-40CTQ045STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40ctq045s-m3.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.48 грн
10+121.87 грн
100+84.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54AHM3_A/I SMCJ54AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE13CAHE3_B/C 1.5KE13CAHE3_B/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: 1.5KW,13V 5%,BIDIR,AXIAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 86A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD6050-HE3-08 MMBD6050-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD6050-HE3-08 MMBD6050-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.02 грн
37+8.17 грн
100+5.05 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
5KP130AHE3_A/C 5KP130AHE3_A/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 130VWM 209VC P600
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 130V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 144V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 209V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CAHM3_A/H SMCJ15CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 61.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CAHM3_A/I SMCJ15CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 61.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V9-HE3_A-18 BZT52C3V9-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V9-HE3_A-08 BZT52C3V9-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54CAHM3/I SMAJ54CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ26CAHE3_A/I SMAJ26CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103HM3/I V2NM103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103HM3/I V2NM103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.29 грн
11+28.80 грн
100+18.47 грн
500+13.15 грн
1000+11.80 грн
2000+10.67 грн
5000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103-M3/I V2NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103-M3/I V2NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.06 грн
13+24.67 грн
100+15.73 грн
500+11.14 грн
1000+9.97 грн
2000+8.98 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103HM3/I V3NM103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103HM3/I V3NM103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.85 грн
10+33.90 грн
100+21.91 грн
500+15.70 грн
1000+14.13 грн
2000+12.81 грн
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103-M3/I V5NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v5nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103-M3/I V5NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v5nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+33.67 грн
100+21.73 грн
500+15.57 грн
1000+14.01 грн
2000+12.70 грн
5000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103-M3/I V3NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103-M3/I V3NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.06 грн
11+29.02 грн
100+18.62 грн
500+13.26 грн
1000+11.90 грн
2000+10.76 грн
5000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103HM3/I V5NM103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v5nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103HM3/I V5NM103HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v5nm103.pdf Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.42 грн
10+39.30 грн
100+25.57 грн
500+18.43 грн
1000+16.63 грн
2000+15.12 грн
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12-M3/I SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12-M3/I SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.00 грн
10+110.84 грн
100+79.35 грн
500+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12HM3/I SE30DT12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12HM3/I SE30DT12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.78 грн
10+111.74 грн
100+88.91 грн
500+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-150HE3_A/P BYWB29-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-50HE3_A/P BYWB29-50HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-100HE3_A/P BYWF29-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-150HE3_A/P BYWF29-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-200HE3_A/P BYWF29-200HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-50HE3_A/P BYWF29-50HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-150HE3_A/I BYWB29-150HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-50HE3_A/I BYWB29-50HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw29200.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244B-E3-18 MMSZ5244B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX27A-TAP tzxserie.pdf
TZX27A-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 21 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36A-TAP tzxserie.pdf
TZX36A-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.35 грн
28+10.72 грн
100+5.24 грн
500+4.10 грн
1000+2.85 грн
2000+2.47 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36A-TAP tzxserie.pdf
TZX36A-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36B-TR tzxserie.pdf
TZX36B-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX36B-TR tzxserie.pdf
TZX36B-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 36V 500MW DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 140 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.35 грн
28+10.72 грн
100+5.23 грн
500+4.10 грн
1000+2.85 грн
2000+2.47 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4689-HE3_A-18 MMSZ4681_to_MMSZ4717_Rev2.0_2-18-20.pdf
MMSZ4689-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4689-HE3_A-08 MMSZ4681_to_MMSZ4717_Rev2.0_2-18-20.pdf
MMSZ4689-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKC56/04 vs-vsk56.pdf
VS-VSKC56/04
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 400V 30A ADDAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: ADD-A-PAK (3)
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: ADD-A-PAK®
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 400 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2472.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-VSKC236/04PBF vs-vskd166.pdf
VS-VSKC236/04PBF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD GP 400V 115A INTAPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 400 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4594.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ27A-GS08 tlz.pdf
TLZ27A-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 23 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+2.95 грн
5000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ27A-GS08 tlz.pdf
TLZ27A-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 nA @ 23 V
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.91 грн
26+11.55 грн
100+5.67 грн
500+4.44 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F30A-M3/H sma6f5.pdf
SMA6F30A-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 600W,30V 5%,UNIDIR,SLIM SMA TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+6.63 грн
7000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F30A-M3/H sma6f5.pdf
SMA6F30A-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 600W,30V 5%,UNIDIR,SLIM SMA TVS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.14 грн
17+18.37 грн
100+11.02 грн
500+9.58 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
6DFN30A-M3/I 6dfn12athru6dfn51a.pdf
6DFN30A-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DFN3820A
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6DFN30A-M3/I 6dfn12athru6dfn51a.pdf
6DFN30A-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4V DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: DFN3820A
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 13952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.48 грн
18+17.10 грн
100+11.55 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMP30A-M3/85A smp3v3.pdf
SMP30A-M3/85A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMP30A-M3/85A smp3v3.pdf
SMP30A-M3/85A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 9521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.59 грн
20+15.00 грн
100+6.26 грн
500+5.54 грн
1000+5.20 грн
2000+5.10 грн
5000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ51AHM3_A/I smcj.pdf
SMCJ51AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ54AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54AHE3_A/H smcj.pdf
SMCJ54AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.74 грн
10+41.40 грн
100+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TZMB62-GS08 tzm.pdf
TZMB62-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 500MW SOD80
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 47 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TZMB62-GS08 tzm.pdf
TZMB62-GS08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 500MW SOD80
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 47 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.81 грн
21+14.32 грн
100+6.99 грн
500+5.47 грн
1000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40CTQ045STRL-M3 vs-40ctq045s-m3.pdf
VS-40CTQ045STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.75 грн
1600+59.66 грн
2400+57.31 грн
4000+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40CTQ045STRL-M3 vs-40ctq045s-m3.pdf
VS-40CTQ045STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.48 грн
10+121.87 грн
100+84.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54AHM3_A/I smcj.pdf
SMCJ54AHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE13CAHE3_B/C 15ke.pdf
1.5KE13CAHE3_B/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 1.5KW,13V 5%,BIDIR,AXIAL TVS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 86A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD6050-HE3-08
MMBD6050-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD6050-HE3-08
MMBD6050-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.02 грн
37+8.17 грн
100+5.05 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
5KP130AHE3_A/C 5kp8_5a.pdf
5KP130AHE3_A/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 130VWM 209VC P600
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 130V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 144V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 209V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CAHM3_A/H smcj.pdf
SMCJ15CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 61.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CAHM3_A/I smcj.pdf
SMCJ15CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 61.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V9-HE3_A-18 bzt52.pdf
BZT52C3V9-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V9-HE3_A-08 bzt52.pdf
BZT52C3V9-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54CAHM3/I smaj50a.pdf
SMAJ54CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 54V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 60V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 87.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ26CAHE3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ26CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103HM3/I v2nm103.pdf
V2NM103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103HM3/I v2nm103.pdf
V2NM103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.29 грн
11+28.80 грн
100+18.47 грн
500+13.15 грн
1000+11.80 грн
2000+10.67 грн
5000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103-M3/I v2nm103.pdf
V2NM103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V2NM103-M3/I v2nm103.pdf
V2NM103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 1.8A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 220pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.8A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.06 грн
13+24.67 грн
100+15.73 грн
500+11.14 грн
1000+9.97 грн
2000+8.98 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103HM3/I v3nm103.pdf
V3NM103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103HM3/I v3nm103.pdf
V3NM103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.85 грн
10+33.90 грн
100+21.91 грн
500+15.70 грн
1000+14.13 грн
2000+12.81 грн
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103-M3/I v5nm103.pdf
V5NM103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103-M3/I v5nm103.pdf
V5NM103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.07 грн
10+33.67 грн
100+21.73 грн
500+15.57 грн
1000+14.01 грн
2000+12.70 грн
5000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103-M3/I v3nm103.pdf
V3NM103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V3NM103-M3/I v3nm103.pdf
V3NM103-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.06 грн
11+29.02 грн
100+18.62 грн
500+13.26 грн
1000+11.90 грн
2000+10.76 грн
5000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103HM3/I v5nm103.pdf
V5NM103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V5NM103HM3/I v5nm103.pdf
V5NM103HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 100V 2.1A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 580pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.42 грн
10+39.30 грн
100+25.57 грн
500+18.43 грн
1000+16.63 грн
2000+15.12 грн
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12-M3/I se30dt12.pdf
SE30DT12-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12-M3/I se30dt12.pdf
SE30DT12-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.00 грн
10+110.84 грн
100+79.35 грн
500+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12HM3/I se30dt12.pdf
SE30DT12HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SE30DT12HM3/I se30dt12.pdf
SE30DT12HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.78 грн
10+111.74 грн
100+88.91 грн
500+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-150HE3_A/P byw29200.pdf
BYWB29-150HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-50HE3_A/P byw29200.pdf
BYWB29-50HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-100HE3_A/P byw29200.pdf
BYWF29-100HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-150HE3_A/P byw29200.pdf
BYWF29-150HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-200HE3_A/P byw29200.pdf
BYWF29-200HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWF29-50HE3_A/P byw29200.pdf
BYWF29-50HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-150HE3_A/I byw29200.pdf
BYWB29-150HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYWB29-50HE3_A/I byw29200.pdf
BYWB29-50HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5244B-E3-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5244B-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 14V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 408 476 544 612 624 625 626 627 628 629 630 631 632 633 634 680 685  [ Наступна Сторінка >> ]