Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SISS40DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS42DN-T1-GE3 | VISHAY | SISS42DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS42LDN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS46DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A Drain-source voltage: 100V Drain current: 36.2A On-state resistance: 14.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS50DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS5108DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Drain current: 55.9A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 6000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS54DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -12...16V Pulsed drain current: 300A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 148.5A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 72nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS5808DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 66.6A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Mounting: SMD кількість в упаковці: 6000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS588DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Drain-source voltage: 80V Drain current: 46.5A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 28.5nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS60DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS61DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 5924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
SISS63DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS64DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 100A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 2.86mΩ Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS65DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS66DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS67DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS70DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SiSS71DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS72DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS73DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W Type of transistor: P-MOSFET Technology: ThunderFET; TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -12.9A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 42.1W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS76LDN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 54A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 36W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS78LDN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS80DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS92DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SISS94DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SiSS98DN-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIUD401ED-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIUD402ED-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SiUD403ED-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIUD406ED-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SiUD412ED-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ200DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ240DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ250DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ256DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ260DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ270DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ300DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28/11A Pulsed drain current: 40...30A Power dissipation: 31/16.7W Case: PowerPAIR® 3x3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5/32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ320DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ322DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ340ADT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ340BDT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ340DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ342ADT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ342DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ346DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ348DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ350DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ704DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ710DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ902DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ904DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ918DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ926DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ980BDT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ980DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZ998DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZF300DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SIZF906ADT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
SiZF906DT-T1-GE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SISS40DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS42DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
SISS42DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS42DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS42LDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS42LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS42LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS46DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.2A
On-state resistance: 14.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.2A
On-state resistance: 14.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS50DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS50DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS5108DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 6000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 55.9A; Idm: 120A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55.9A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS54DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -12...16V
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 72nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS5808DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 6000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 66.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 66.6A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 6000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS588DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46.5A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS60DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS60DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS61DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.27 грн |
26+ | 42.73 грн |
72+ | 40.37 грн |
SISS63DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS63DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS63DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS64DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.86mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS65DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS65DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS65DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS66DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS66DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS67DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS67DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS70DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS70DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiSS71DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
SISS71DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS72DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS73DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: ThunderFET; TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -12.9A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 42.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: ThunderFET; TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -12.9A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 42.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS76LDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS78LDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS80DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS92DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SISS94DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiSS98DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIUD401ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIUD402ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiUD403ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIUD403ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
SIUD403ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIUD406ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiUD412ED-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ200DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ240DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ240DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ250DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ256DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ260DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ270DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28/11A
Pulsed drain current: 40...30A
Power dissipation: 31/16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5/32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28/11A
Pulsed drain current: 40...30A
Power dissipation: 31/16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5/32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ320DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ322DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ322DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ322DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ340ADT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ340ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ340ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ340BDT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ340DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ340DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ340DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ342ADT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ342DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ346DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ348DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ350DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ704DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ710DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ902DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ902DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ902DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ904DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ918DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ926DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ980BDT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ980DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZ998DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZF300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SiZF906DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors
SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.