Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR320TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFR320TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFR320TRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.1A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR420APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR420ATRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR420ATRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR420PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR420PBF-BE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR420TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR420TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR420TRRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR430APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR430ATRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR430ATRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9010PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9010TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9010TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9014PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR9014TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9014TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9014TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9020PBF | VISHAY |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9020TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9020TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9024PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFR9024TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; Idm: -35A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.8A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9024TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFR9110PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR9110TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.1A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9110TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFR9120PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 862 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR9120TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9120TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFR9120TRRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9210PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9210TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9210TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9214PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9214TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR9214TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9220PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR9220TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9220TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR9220TRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR9310PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFR9310TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -7.2A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFRC20PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFRC20TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFRC20TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFRC20TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFRC20TRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFS11N50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFS9N60APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFS9N60ATRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFS9N60ATRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFSL11N50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Mounting: THT Case: I2PAK; TO262 Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 51nC Gate-source voltage: ±30V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFSL9N60APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.2A Power dissipation: 170W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 37A Gate charge: 49nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFU014PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFU024PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFR320TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.52 грн |
10+ | 52.44 грн |
32+ | 33.64 грн |
86+ | 31.84 грн |
IRFR320TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR320TRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR420APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.77 грн |
25+ | 66.97 грн |
32+ | 33.28 грн |
87+ | 31.48 грн |
IRFR420ATRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420ATRLPBF SMD N channel transistors
IRFR420ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR420ATRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.99 грн |
10+ | 65.86 грн |
31+ | 33.91 грн |
85+ | 32.11 грн |
525+ | 30.95 грн |
IRFR420PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF-BE3 SMD N channel transistors
IRFR420PBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR420TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420TRLPBF SMD N channel transistors
IRFR420TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.50 грн |
10+ | 74.24 грн |
37+ | 28.43 грн |
102+ | 26.91 грн |
IRFR420TRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420TRRPBF SMD N channel transistors
IRFR420TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR430APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.86 грн |
10+ | 46.67 грн |
34+ | 31.48 грн |
92+ | 29.69 грн |
IRFR430ATRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR430ATRLPBF SMD N channel transistors
IRFR430ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR430ATRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR430ATRPBF SMD N channel transistors
IRFR430ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9010PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9010PBF SMD P channel transistors
IRFR9010PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9010TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9010TRLPBF SMD P channel transistors
IRFR9010TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9010TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9010TRPBF SMD P channel transistors
IRFR9010TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.48 грн |
10+ | 52.16 грн |
36+ | 29.51 грн |
98+ | 27.90 грн |
IRFR9014TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9020PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9020PBF SMD P channel transistors
IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9020TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9020TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9024TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9024TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.82 грн |
10+ | 47.51 грн |
40+ | 26.37 грн |
110+ | 24.94 грн |
IRFR9110TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.31 грн |
7+ | 41.17 грн |
25+ | 35.79 грн |
39+ | 27.36 грн |
106+ | 25.92 грн |
IRFR9120TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9120TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9120TRRPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9210PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9210PBF SMD P channel transistors
IRFR9210PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9210TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9210TRLPBF SMD P channel transistors
IRFR9210TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9210TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9214PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9214PBF SMD P channel transistors
IRFR9214PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9214TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9214TRLPBF SMD P channel transistors
IRFR9214TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9214TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9214TRPBF SMD P channel transistors
IRFR9214TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 137.17 грн |
10+ | 60.64 грн |
31+ | 34.62 грн |
84+ | 32.74 грн |
IRFR9220TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9220TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 97.57 грн |
10+ | 78.15 грн |
33+ | 31.84 грн |
91+ | 30.05 грн |
IRFR9220TRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.55 грн |
10+ | 64.93 грн |
32+ | 33.37 грн |
87+ | 31.57 грн |
IRFR9310TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.2A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.2A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9310TRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.28 грн |
10+ | 52.91 грн |
31+ | 34.53 грн |
84+ | 32.65 грн |
IRFRC20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.87 грн |
5+ | 60.92 грн |
10+ | 53.19 грн |
31+ | 34.62 грн |
84+ | 32.74 грн |
IRFRC20TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFRC20TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 112.06 грн |
10+ | 74.24 грн |
34+ | 31.04 грн |
93+ | 29.42 грн |
IRFRC20TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFRC20TRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.94 грн |
8+ | 138.79 грн |
22+ | 126.48 грн |
250+ | 123.79 грн |
500+ | 121.10 грн |
IRFS9N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.00 грн |
9+ | 126.68 грн |
24+ | 114.82 грн |
IRFS9N60ATRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS9N60ATRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 170.98 грн |
3+ | 149.04 грн |
10+ | 109.43 грн |
27+ | 104.05 грн |
IRFSL9N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU014PBF THT N channel transistors
IRFU014PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.