Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (350267) > Сторінка 862 з 5838

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 583 857 858 859 860 861 862 863 864 865 866 867 1166 1749 2332 2915 3498 4081 4664 5247 5830 5838  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.52 грн
10+52.44 грн
32+33.64 грн
86+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFR320TRPBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBF VISHAY sihfr320.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY IRFR420A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.77 грн
25+66.97 грн
32+33.28 грн
87+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF IRFR420PBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.99 грн
10+65.86 грн
31+33.91 грн
85+32.11 грн
525+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3 VISHAY sihfr420.pdf IRFR420PBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.50 грн
10+74.24 грн
37+28.43 грн
102+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBF VISHAY sihfr420.pdf IRFR420TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY IRFR430A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.86 грн
10+46.67 грн
34+31.48 грн
92+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9010PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9010TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9010TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.48 грн
10+52.16 грн
36+29.51 грн
98+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 VISHAY sihfr901.pdf IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020PBF VISHAY sihfr902.pdf description IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRPBF VISHAY sihfr902.pdf IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY IRFR9024PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110PBF VISHAY IRFR9110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.82 грн
10+47.51 грн
40+26.37 грн
110+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBF VISHAY sihfr911.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF VISHAY IRFR9110.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF IRFR9120PBF VISHAY IRFx9120.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.31 грн
7+41.17 грн
25+35.79 грн
39+27.36 грн
106+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF VISHAY sihfr912.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRPBF IRFR9120TRPBF VISHAY IRFx9120.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRRPBF VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9210PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRLPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9210TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214PBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRLPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBF VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY IRFR9220PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.17 грн
10+60.64 грн
31+34.62 грн
84+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBF VISHAY sihfr922.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+97.57 грн
10+78.15 грн
33+31.84 грн
91+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF VISHAY sihfr922.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.55 грн
10+64.93 грн
32+33.37 грн
87+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.2A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.28 грн
10+52.91 грн
31+34.53 грн
84+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.87 грн
5+60.92 грн
10+53.19 грн
31+34.62 грн
84+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF VISHAY irfrc20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.06 грн
10+74.24 грн
34+31.04 грн
93+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3 VISHAY sihfrc20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBF VISHAY sihfrc20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY IRFS11N50A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.94 грн
8+138.79 грн
22+126.48 грн
250+123.79 грн
500+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+284.00 грн
9+126.68 грн
24+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBF VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY IRFSL11N50APBF-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.98 грн
3+149.04 грн
10+109.43 грн
27+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBF VISHAY sihfr014.pdf IRFU014PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRLPBF IRFU320PBF.pdf
IRFR320TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.52 грн
10+52.44 грн
32+33.64 грн
86+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRPBF IRFU320PBF.pdf
IRFR320TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR320TRRPBF sihfr320.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.1A; Idm: 12A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420APBF IRFR420A.pdf
IRFR420APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.77 грн
25+66.97 грн
32+33.28 грн
87+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRLPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420ATRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.99 грн
10+65.86 грн
31+33.91 грн
85+32.11 грн
525+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420PBF-BE3 sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF-BE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRPBF IRFR420PBF.pdf
IRFR420TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.50 грн
10+74.24 грн
37+28.43 грн
102+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBF sihfr420.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR420TRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF IRFR430A.pdf
IRFR430APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.86 грн
10+46.67 грн
34+31.48 грн
92+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430ATRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBF sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR430ATRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010PBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9010PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9010TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9010TRPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9010TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF IRFx9014.pdf
IRFR9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.48 грн
10+52.16 грн
36+29.51 грн
98+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRPBF-BE3 sihfr901.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9014TRPBF-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020PBF description sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9020TRPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9020TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024PBF IRFR9024PBF.pdf
IRFR9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRPBF sihfr902.pdf
IRFR9024TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110PBF IRFR9110.pdf
IRFR9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.82 грн
10+47.51 грн
40+26.37 грн
110+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRLPBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9110TRPBF IRFR9110.pdf
IRFR9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF IRFx9120.pdf
IRFR9120PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.31 грн
7+41.17 грн
25+35.79 грн
39+27.36 грн
106+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF sihfr912.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRPBF IRFx9120.pdf
IRFR9120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.6A; Idm: -22A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9210PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRLPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9210TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9210TRPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9214PBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRLPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9214TRLPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9214TRPBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFR9214TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220PBF IRFR9220PBF.pdf
IRFR9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.17 грн
10+60.64 грн
31+34.62 грн
84+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRLPBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+97.57 грн
10+78.15 грн
33+31.84 грн
91+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9220TRRPBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.55 грн
10+64.93 грн
32+33.37 грн
87+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -7.2A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRPBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.28 грн
10+52.91 грн
31+34.53 грн
84+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20PBF IRFRC20PBF.pdf
IRFRC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.87 грн
5+60.92 грн
10+53.19 грн
31+34.62 грн
84+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRLPBF irfrc20.pdf
IRFRC20TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.06 грн
10+74.24 грн
34+31.04 грн
93+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRPBF-BE3 sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFRC20TRRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS11N50APBF IRFS11N50A.pdf
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.94 грн
8+138.79 грн
22+126.48 грн
250+123.79 грн
500+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60APBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.00 грн
9+126.68 грн
24+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF-dte.pdf
IRFSL11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Mounting: THT
Case: I2PAK; TO262
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 51nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.98 грн
3+149.04 грн
10+109.43 грн
27+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 37A
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU014PBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
IRFU014PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 583 857 858 859 860 861 862 863 864 865 866 867 1166 1749 2332 2915 3498 4081 4664 5247 5830 5838  Наступна Сторінка >> ]