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CRCW06035K10FKEA CRCW06035K10FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 995000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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CRCW06035K10FKEA CRCW06035K10FKEA VISHAY VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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CRCW06035K10FKEAHP CRCW06035K10FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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CRCW06035K10FKEAHP CRCW06035K10FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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VJ1206Y473JXAAC VJ1206Y473JXAAC VISHAY VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y473JXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 18687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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VJ1206Y103JXAMC VJ1206Y103JXAMC VISHAY VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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VJ1206Y104JXAAT VJ1206Y104JXAAT VISHAY VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y104JXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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VJ1206Y103JXAMC VJ1206Y103JXAMC VISHAY VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: To Be Advised
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 16085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MAL209637152E3 MAL209637152E3 VISHAY VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 45mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6l.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY 3006503.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY 3006503.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
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SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6l.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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MKT1817210404 MKT1817210404 VISHAY mkt1817.pdf Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 6.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.2mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 200V
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 400V
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 590 шт
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VY1220K31U2JQ6TV0 VY1220K31U2JQ6TV0 VISHAY VISH-S-A0014510894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 70282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AY1681M35Y5UC63L0 AY1681M35Y5UC63L0 VISHAY VISH-S-A0025729355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F340X153348MPP2T0 F340X153348MPP2T0 VISHAY VISH-S-A0020332144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: To Be Advised
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MMU01020C3302FB300 MMU01020C3302FB300 VISHAY VISH-S-A0017382395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
isCanonical: Y
Widerstand: 33kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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IMC0805ER100J01 IMC0805ER100J01 VISHAY VISH-S-A0001785452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
isCanonical: N
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IMC-0805-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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CRCW080540K0FKEA CRCW080540K0FKEA VISHAY VISH-S-A0023700354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 250 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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WSLP0603R0500FEA WSLP0603R0500FEA VISHAY VISH-S-A0023700413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP Series, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0.05ohm
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 7579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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T55V336M025C0050 T55V336M025C0050 VISHAY t55.pdf Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLP5050CEER100M01 IHLP5050CEER100M01 VISHAY VISH-S-A0025625206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 12.9mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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V10PM45HM3/H V10PM45HM3/H VISHAY v10pm45.pdf Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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VS-18TQ045S-M3 VS-18TQ045S-M3 VISHAY vs-18tq035s-m3.pdf Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY sqd40061el.pdf Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY sqd40061el.pdf Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY sidr402dp.pdf Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
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SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQM50034E_GE3 SQM50034E_GE3 VISHAY 2795476.pdf Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
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SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 VISHAY sqm40n10-30.pdf Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD100N04-3M6_GE3 SQD100N04-3M6_GE3 VISHAY VISH-S-A0001781112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD100N04-3M6L_GE3 SQD100N04-3M6L_GE3 VISHAY sqd100n04-3m6l.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISS46DN-T1-GE3 SISS46DN-T1-GE3 VISHAY siss46dn.pdf Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013145014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50034EL_GE3 SQD50034EL_GE3 VISHAY 2838128.pdf Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY sidr680dp.pdf Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 VISHAY sijh112e.pdf Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SQD70140EL_GE3 SQD70140EL_GE3 VISHAY sqd70140el.pdf Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CRCW06035K10FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW06035K10FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 995000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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CRCW06035K10FKEA VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW06035K10FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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CRCW06035K10FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW06035K10FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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CRCW06035K10FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW06035K10FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 5.1kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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VJ1206Y473JXAAC VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y473JXAAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y473JXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 18687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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VJ1206Y103JXAMC VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y103JXAMC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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VJ1206Y104JXAAT VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y104JXAAT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y104JXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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VJ1206Y103JXAMC VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y103JXAMC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: To Be Advised
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
на замовлення 16085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MAL209637152E3 VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MAL209637152E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: 45mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-5M6L_GE3 sqd50n04-5m6l.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-5M6_GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-4M5L_GE3 3006503.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50N04-4M5L_GE3 3006503.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 7939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 71W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 sqd50n04-5m6l.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 71W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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MKT1817210404 mkt1817.pdf
MKT1817210404
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 6.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.2mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 200V
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 400V
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 590 шт
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VY1220K31U2JQ6TV0 VISH-S-A0014510894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VY1220K31U2JQ6TV0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 70282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AY1681M35Y5UC63L0 VISH-S-A0025729355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AY1681M35Y5UC63L0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F340X153348MPP2T0 VISH-S-A0020332144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F340X153348MPP2T0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: To Be Advised
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MMU01020C3302FB300 VISH-S-A0017382395-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMU01020C3302FB300
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
isCanonical: Y
Widerstand: 33kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 34142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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IMC0805ER100J01 VISH-S-A0001785452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IMC0805ER100J01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
isCanonical: N
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: IMC-0805-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CRCW080540K0FKEA VISH-S-A0023700354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW080540K0FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 250 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 41795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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WFMB2512R0500FEA VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WFMB2512R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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WSLP0603R0500FEA VISH-S-A0023700413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSLP0603R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP Series, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0.05ohm
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
на замовлення 7579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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WFMB2512R0500FEA VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WFMB2512R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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T55V336M025C0050 t55.pdf
T55V336M025C0050
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHLP5050CEER100M01 VISH-S-A0025625206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLP5050CEER100M01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 12.9mm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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V10PM45HM3/H v10pm45.pdf
V10PM45HM3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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VS-18TQ045S-M3 vs-18tq035s-m3.pdf
VS-18TQ045S-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SUM70042E-GE3 VISH-S-A0024174244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM70042E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR402DP-T1-GE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
SI4056ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SI7456DDP-T1-GE3 VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40020EL_GE3 2838127.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
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SQJQ410EL-T1_GE3 VISH-S-A0004852742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SQM50034E_GE3 2795476.pdf
SQM50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI2324DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
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SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQM40N10-30_GE3 sqm40n10-30.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD100N04-3M6_GE3 VISH-S-A0001781112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD100N04-3M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD100N04-3M6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
SQD100N04-3M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQJQ900E-T1_GE3 VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
SIA416DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.083 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SISS46DN-T1-GE3 siss46dn.pdf
SISS46DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SISH892BDN-T1-GE3 VISH-S-A0013145014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH892BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4058DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SQD50034EL_GE3 2838128.pdf
SQD50034EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI2328DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4058DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
SIJH112E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 sqd70140el.pdf
SQD70140EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
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