Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362577) > Сторінка 3676 з 6043

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1812 2416 3020 3624 3671 3672 3673 3674 3675 3676 3677 3678 3679 3680 3681 4228 4832 5436 6040 6043  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR586DP-T1-RE3 SIR586DP-T1-RE3 VISHAY sir586dp.pdf Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.26 грн
500+45.69 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR586DP-T1-RE3 SIR586DP-T1-RE3 VISHAY sir586dp.pdf Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.27 грн
10+91.46 грн
100+63.26 грн
500+45.69 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY 3689965.pdf Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.21 грн
500+117.95 грн
1000+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3 SIDR610EP-T1-RE3 VISHAY sidr610ep.pdf Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.58 грн
500+116.38 грн
1000+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3 SIDR610EP-T1-RE3 VISHAY sidr610ep.pdf Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.01 грн
10+210.02 грн
100+151.58 грн
500+116.38 грн
1000+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3 SIDR570EP-T1-RE3 VISHAY 3689965.pdf Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.57 грн
10+197.31 грн
100+159.21 грн
500+117.95 грн
1000+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW060315K0FKEAC CRCW060315K0FKEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+1.44 грн
1000+0.85 грн
1112+0.76 грн
1429+0.55 грн
2500+0.36 грн
5000+0.22 грн
25000+0.21 грн
50000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW060315K0FKEAC CRCW060315K0FKEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+1.44 грн
1000+0.85 грн
1112+0.76 грн
1429+0.55 грн
2500+0.36 грн
5000+0.22 грн
25000+0.21 грн
50000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.96 грн
9000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6.8A-E3/54 P6KE6.8A-E3/54 VISHAY VISH-S-A0013572203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - P6KE6.8A-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB P6KE Series, Unidirektional, 5.8 V, 10.5 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.45V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.14V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5.8V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB P6KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 10.5V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.76 грн
41+20.75 грн
100+17.70 грн
500+16.20 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MAL212518471E3 MAL212518471E3 VISHAY 125als.pdf Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm
Produktlänge: 30mm
euEccn: NLR
Kapazität: 470µF
Spannung (DC): 63V
Rippelstrom: 660mA
Produktpalette: 125 ALS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 12.5mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.50 грн
10+188.00 грн
25+177.84 грн
50+156.48 грн
100+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP2020CZER3R3M8A IHLP2020CZER3R3M8A VISHAY ihlp-2020cz-8a.pdf Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.047ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 5.5A
RMS-Strom Irms: 5.3A
Produktlänge: 5.49mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 5.18mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.23 грн
50+67.41 грн
250+55.47 грн
500+49.93 грн
1000+37.96 грн
2000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTF565K0000BZEK PTF565K0000BZEK VISHAY 4397265.pdf Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
Widerstand: 5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.52 грн
5+466.61 грн
10+403.94 грн
20+346.78 грн
40+293.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3 SISA12BDN-T1-GE3 VISHAY 3671332.pdf Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.38 грн
15+58.35 грн
100+40.48 грн
500+27.68 грн
1000+23.45 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY 2786201.pdf Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.31 грн
500+40.89 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.53 грн
500+72.89 грн
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 VISHAY si7212dn.pdf Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.33 грн
10+99.08 грн
100+85.53 грн
500+72.89 грн
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3 SISA12BDN-T1-GE3 VISHAY 3671332.pdf Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.48 грн
500+27.68 грн
1000+23.45 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 SIS888DN-T1-GE3 VISHAY 3672820.pdf Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.95 грн
500+53.63 грн
1000+45.37 грн
5000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 SISA18BDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.50 грн
500+21.23 грн
1000+17.78 грн
5000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSA34-E3/61T SSA34-E3/61T VISHAY VISH-S-A0010476739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 490mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.85 грн
500+18.16 грн
1000+15.46 грн
5000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0603220RFKEA RCS0603220RFKEA VISHAY 2869616.pdf Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+3.55 грн
390+2.18 грн
500+1.95 грн
1000+1.60 грн
2500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0603220RFKEA RCS0603220RFKEA VISHAY 2869616.pdf Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+3.55 грн
390+2.18 грн
500+1.95 грн
1000+1.60 грн
2500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
VOIH063AT VOIH063AT VISHAY 4000021.pdf Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.02 грн
10+146.50 грн
25+135.49 грн
50+114.81 грн
100+96.54 грн
500+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VOIH063AT VOIH063AT VISHAY 4000021.pdf Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.54 грн
500+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PEP0402Y1002WNTA PEP0402Y1002WNTA VISHAY VISH-S-A0017726495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+566.54 грн
20+483.61 грн
40+437.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEP0402Y1502WNTA PEP0402Y1502WNTA VISHAY 3669926.pdf Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+456.45 грн
20+417.55 грн
40+375.27 грн
100+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402464KFKED CRCW0402464KFKED VISHAY VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.33 грн
672+1.26 грн
834+1.02 грн
2500+0.78 грн
5000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
A104M15X7RF5UAA A104M15X7RF5UAA VISHAY 4461482.pdf Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+14.48 грн
102+8.32 грн
500+6.62 грн
1000+5.62 грн
2000+4.95 грн
4000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3 SQJ140ELP-T1_GE3 VISHAY sqj140elp.pdf Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.88 грн
10+92.31 грн
100+66.73 грн
500+45.14 грн
1000+37.67 грн
5000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IFDC5050JZER1R8N IFDC5050JZER1R8N VISHAY 4420466.pdf Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.72 грн
13+65.38 грн
50+63.68 грн
100+43.09 грн
200+37.24 грн
400+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IFSC2020DZER1R8M01 IFSC2020DZER1R8M01 VISHAY 4420455.pdf Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.57 грн
50+21.26 грн
100+16.94 грн
250+13.37 грн
500+10.16 грн
1500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
VDMG10C0 VDMG10C0 VISHAY VISH-S-A0001108912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW2010301RFKEF CRCW2010301RFKEF VISHAY 2111203.pdf Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402301RFKED RCS0402301RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+2.15 грн
650+1.30 грн
834+1.02 грн
2500+0.74 грн
5000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402301RFKED RCS0402301RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+2.15 грн
650+1.30 грн
834+1.02 грн
2500+0.74 грн
5000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470CEJW-T1_GE3 SQA470CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa470cejw.pdf Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.75 грн
29+30.23 грн
100+21.00 грн
500+13.84 грн
1000+11.11 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.70 грн
500+83.35 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY sia817edj.pdf Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.66 грн
500+15.65 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470CEJW-T1_GE3 SQA470CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa470cejw.pdf Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.00 грн
500+13.84 грн
1000+11.11 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY 3747846.pdf Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.61 грн
10+133.80 грн
100+100.77 грн
500+69.51 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 SIZF5300DT-T1-GE3 VISHAY 3747846.pdf Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.77 грн
500+69.51 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 SQM30010EL_GE3 VISHAY 2786216.pdf Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.58 грн
500+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3 SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY sis415dnt.pdf Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.48 грн
500+28.23 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 VISHAY sish410dn.pdf Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3 SIHG075N65E-GE3 VISHAY 4473509.pdf Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.38 грн
10+397.17 грн
100+334.50 грн
500+280.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB075N65E-GE3 SIHB075N65E-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.28 грн
10+364.99 грн
100+307.40 грн
500+258.71 грн
1000+218.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW6R8M5A IHLE4040DDEW6R8M5A VISHAY 3797105.pdf Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.00 грн
13+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW6R8M5A IHLE4040DDEW6R8M5A VISHAY 3797105.pdf Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.00 грн
13+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBGTW1HV VJ1812Y102KBGTW1HV VISHAY doc?28580 Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.79 грн
50+19.90 грн
100+13.80 грн
250+11.80 грн
500+9.87 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBLTW1HV VJ1812Y102KBLTW1HV VISHAY doc?28580 Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.98 грн
50+17.02 грн
100+12.45 грн
250+10.62 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBETW1HV VJ1812Y102KBETW1HV VISHAY doc?28580 Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.98 грн
50+17.02 грн
100+12.45 грн
250+10.62 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
293D156X9016B2TE3 293D156X9016B2TE3 VISHAY 293d.pdf Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: 210mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.8mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.87 грн
250+12.62 грн
500+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C8259FCT00 MRS25000C8259FCT00 VISHAY VISH-S-A0002281164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 82.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+9.48 грн
133+6.39 грн
500+5.74 грн
1000+4.58 грн
2500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 SQJQ144AE-T1_GE3 VISHAY sqjq144ae.pdf Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.87 грн
500+96.72 грн
1000+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DG447DV-T1-E3 DG447DV-T1-E3 VISHAY 2047434.pdf Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V
Einschaltwiderstand, max.: 45ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.04 грн
250+47.69 грн
500+45.73 грн
1000+37.82 грн
2500+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ES1PC-M3/84A ES1PC-M3/84A VISHAY VISH-S-A0014899863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1PC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.87 грн
500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMU01020C5609FB300 MMU01020C5609FB300 VISHAY 2278511.pdf Description: VISHAY - MMU01020C5609FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+10.16 грн
99+8.64 грн
250+6.95 грн
500+4.51 грн
1500+3.81 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW060356R0FKEAHP CRCW060356R0FKEAHP VISHAY 2884023.pdf Description: VISHAY - CRCW060356R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, ± 1%, 333.3 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 333.3mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.55 грн
1000+2.03 грн
2500+1.57 грн
5000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018843462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.77 грн
10+291.31 грн
100+210.02 грн
500+176.14 грн
1000+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR586DP-T1-RE3 sir586dp.pdf
SIR586DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.26 грн
500+45.69 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR586DP-T1-RE3 sir586dp.pdf
SIR586DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.27 грн
10+91.46 грн
100+63.26 грн
500+45.69 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3 3689965.pdf
SIDR570EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+159.21 грн
500+117.95 грн
1000+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3 sidr610ep.pdf
SIDR610EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.58 грн
500+116.38 грн
1000+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR610EP-T1-RE3 sidr610ep.pdf
SIDR610EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.01 грн
10+210.02 грн
100+151.58 грн
500+116.38 грн
1000+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR570EP-T1-RE3 3689965.pdf
SIDR570EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.57 грн
10+197.31 грн
100+159.21 грн
500+117.95 грн
1000+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW060315K0FKEAC 3937398.pdf
CRCW060315K0FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+1.44 грн
1000+0.85 грн
1112+0.76 грн
1429+0.55 грн
2500+0.36 грн
5000+0.22 грн
25000+0.21 грн
50000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW060315K0FKEAC 3937398.pdf
CRCW060315K0FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+1.44 грн
1000+0.85 грн
1112+0.76 грн
1429+0.55 грн
2500+0.36 грн
5000+0.22 грн
25000+0.21 грн
50000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.96 грн
9000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6.8A-E3/54 VISH-S-A0013572203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
P6KE6.8A-E3/54
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - P6KE6.8A-E3/54 - TVS-Diode, TRANSZORB P6KE Series, Unidirektional, 5.8 V, 10.5 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.45V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.14V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5.8V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB P6KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 10.5V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.76 грн
41+20.75 грн
100+17.70 грн
500+16.20 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MAL212518471E3 125als.pdf
MAL212518471E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm
Produktlänge: 30mm
euEccn: NLR
Kapazität: 470µF
Spannung (DC): 63V
Rippelstrom: 660mA
Produktpalette: 125 ALS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 12.5mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.50 грн
10+188.00 грн
25+177.84 грн
50+156.48 грн
100+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP2020CZER3R3M8A ihlp-2020cz-8a.pdf
IHLP2020CZER3R3M8A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.047ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 5.5A
RMS-Strom Irms: 5.3A
Produktlänge: 5.49mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 5.18mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.23 грн
50+67.41 грн
250+55.47 грн
500+49.93 грн
1000+37.96 грн
2000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTF565K0000BZEK 4397265.pdf
PTF565K0000BZEK
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
Widerstand: 5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.52 грн
5+466.61 грн
10+403.94 грн
20+346.78 грн
40+293.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3 3671332.pdf
SISA12BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.38 грн
15+58.35 грн
100+40.48 грн
500+27.68 грн
1000+23.45 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 2786201.pdf
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.31 грн
500+40.89 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.53 грн
500+72.89 грн
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.33 грн
10+99.08 грн
100+85.53 грн
500+72.89 грн
1000+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12BDN-T1-GE3 3671332.pdf
SISA12BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.48 грн
500+27.68 грн
1000+23.45 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 3672820.pdf
SIS888DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.95 грн
500+53.63 грн
1000+45.37 грн
5000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.50 грн
500+21.23 грн
1000+17.78 грн
5000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SSA34-E3/61T VISH-S-A0010476739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SSA34-E3/61T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 490mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.85 грн
500+18.16 грн
1000+15.46 грн
5000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0603220RFKEA 2869616.pdf
RCS0603220RFKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+3.55 грн
390+2.18 грн
500+1.95 грн
1000+1.60 грн
2500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0603220RFKEA 2869616.pdf
RCS0603220RFKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+3.55 грн
390+2.18 грн
500+1.95 грн
1000+1.60 грн
2500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
VOIH063AT 4000021.pdf
VOIH063AT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.02 грн
10+146.50 грн
25+135.49 грн
50+114.81 грн
100+96.54 грн
500+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VOIH063AT 4000021.pdf
VOIH063AT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.54 грн
500+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PEP0402Y1002WNTA VISH-S-A0017726495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PEP0402Y1002WNTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+566.54 грн
20+483.61 грн
40+437.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PEP0402Y1502WNTA 3669926.pdf
PEP0402Y1502WNTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+456.45 грн
20+417.55 грн
40+375.27 грн
100+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402464KFKED VISH-S-A0025774688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW0402464KFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.33 грн
672+1.26 грн
834+1.02 грн
2500+0.78 грн
5000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
A104M15X7RF5UAA 4461482.pdf
A104M15X7RF5UAA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.48 грн
102+8.32 грн
500+6.62 грн
1000+5.62 грн
2000+4.95 грн
4000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3 sqj140elp.pdf
SQJ140ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.88 грн
10+92.31 грн
100+66.73 грн
500+45.14 грн
1000+37.67 грн
5000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IFDC5050JZER1R8N 4420466.pdf
IFDC5050JZER1R8N
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.72 грн
13+65.38 грн
50+63.68 грн
100+43.09 грн
200+37.24 грн
400+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IFSC2020DZER1R8M01 4420455.pdf
IFSC2020DZER1R8M01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.57 грн
50+21.26 грн
100+16.94 грн
250+13.37 грн
500+10.16 грн
1500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
VDMG10C0 VISH-S-A0001108912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VDMG10C0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW2010301RFKEF 2111203.pdf
CRCW2010301RFKEF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402301RFKED 2848043.pdf
RCS0402301RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+2.15 грн
650+1.30 грн
834+1.02 грн
2500+0.74 грн
5000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402301RFKED 2848043.pdf
RCS0402301RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+2.15 грн
650+1.30 грн
834+1.02 грн
2500+0.74 грн
5000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470CEJW-T1_GE3 sqa470cejw.pdf
SQA470CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.75 грн
29+30.23 грн
100+21.00 грн
500+13.84 грн
1000+11.11 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.70 грн
500+83.35 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA817EDJ-T1-GE3 sia817edj.pdf
SIA817EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.66 грн
500+15.65 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQA470CEJW-T1_GE3 sqa470cejw.pdf
SQA470CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.00 грн
500+13.84 грн
1000+11.11 грн
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 3747846.pdf
SIZF5300DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.61 грн
10+133.80 грн
100+100.77 грн
500+69.51 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF5300DT-T1-GE3 3747846.pdf
SIZF5300DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.77 грн
500+69.51 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM30010EL_GE3 2786216.pdf
SQM30010EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.58 грн
500+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS415DNT-T1-GE3 sis415dnt.pdf
SIS415DNT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.48 грн
500+28.23 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 sish410dn.pdf
SISH410DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG075N65E-GE3 4473509.pdf
SIHG075N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+473.38 грн
10+397.17 грн
100+334.50 грн
500+280.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB075N65E-GE3
SIHB075N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+435.28 грн
10+364.99 грн
100+307.40 грн
500+258.71 грн
1000+218.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW6R8M5A 3797105.pdf
IHLE4040DDEW6R8M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.00 грн
13+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHLE4040DDEW6R8M5A 3797105.pdf
IHLE4040DDEW6R8M5A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.00 грн
13+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBGTW1HV doc?28580
VJ1812Y102KBGTW1HV
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.79 грн
50+19.90 грн
100+13.80 грн
250+11.80 грн
500+9.87 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBLTW1HV doc?28580
VJ1812Y102KBLTW1HV
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.98 грн
50+17.02 грн
100+12.45 грн
250+10.62 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y102KBETW1HV doc?28580
VJ1812Y102KBETW1HV
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.98 грн
50+17.02 грн
100+12.45 грн
250+10.62 грн
500+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
293D156X9016B2TE3 293d.pdf
293D156X9016B2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: 210mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.8mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.87 грн
250+12.62 грн
500+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C8259FCT00 VISH-S-A0002281164-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MRS25000C8259FCT00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 82.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+9.48 грн
133+6.39 грн
500+5.74 грн
1000+4.58 грн
2500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 sqjq144ae.pdf
SQJQ144AE-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.87 грн
500+96.72 грн
1000+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DG447DV-T1-E3 2047434.pdf
DG447DV-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V
Einschaltwiderstand, max.: 45ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.04 грн
250+47.69 грн
500+45.73 грн
1000+37.82 грн
2500+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ES1PC-M3/84A VISH-S-A0014899863-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ES1PC-M3/84A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1PC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.87 грн
500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMU01020C5609FB300 2278511.pdf
MMU01020C5609FB300
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MMU01020C5609FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+10.16 грн
99+8.64 грн
250+6.95 грн
500+4.51 грн
1500+3.81 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW060356R0FKEAHP 2884023.pdf
CRCW060356R0FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060356R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, ± 1%, 333.3 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 333.3mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.55 грн
1000+2.03 грн
2500+1.57 грн
5000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 VISH-S-A0018843462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHH080N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.77 грн
10+291.31 грн
100+210.02 грн
500+176.14 грн
1000+152.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1812 2416 3020 3624 3671 3672 3673 3674 3675 3676 3677 3678 3679 3680 3681 4228 4832 5436 6040 6043  [ Наступна Сторінка >> ]