Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (279575) > Сторінка 652 з 4660

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 466 647 648 649 650 651 652 653 654 655 656 657 932 1398 1864 2330 2796 3262 3728 4194 4660  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFR9220TRLPBF VISHAY sihfr922.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY IRFR9220TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9220TRRPBF VISHAY sihfr922.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.8 грн
6+ 46.75 грн
25+ 40.48 грн
32+ 30.67 грн
86+ 28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY IRFR9310TRPBF.pdf IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.36 грн
6+ 45.29 грн
25+ 38.59 грн
31+ 31.75 грн
83+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY IRFRC20PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.08 грн
6+ 43.5 грн
25+ 37.19 грн
31+ 32.16 грн
83+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF VISHAY irfrc20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFRC20TRPBF-BE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFRC20TRRPBF VISHAY sihfrc20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY IRFS11N50A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+181.14 грн
3+ 156.69 грн
9+ 113.78 грн
24+ 108.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+181.14 грн
3+ 156.69 грн
9+ 111.31 грн
24+ 104.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS9N60ATRRPBF VISHAY sihs9n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY IRFSL11N50APBF-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+165.16 грн
3+ 143.85 грн
10+ 101.41 грн
27+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL9N60APBF VISHAY sihsl9n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU014PBF VISHAY sihfr014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU024PBF VISHAY sihfr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY IRFU110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.92 грн
9+ 31.59 грн
25+ 26.3 грн
39+ 24.54 грн
75+ 24.08 грн
107+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY IRFR120.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.81 грн
6+ 50.17 грн
25+ 42.71 грн
28+ 35.13 грн
75+ 33.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU1N60APBF VISHAY sihfr1n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU210PBF VISHAY sihfr210.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU214PBF VISHAY sihfr214.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.32 грн
8+ 36.39 грн
25+ 31.17 грн
38+ 25.63 грн
103+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY IRFU310PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+88.79 грн
5+ 51.37 грн
25+ 33.06 грн
35+ 27.22 грн
97+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 929 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.16 грн
6+ 47.95 грн
25+ 42.87 грн
27+ 35.45 грн
74+ 33.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU420APBF IRFU420APBF VISHAY IRFR420A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Power dissipation: 83W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 3.3A
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFU420PBF IRFU420PBF VISHAY IRFR420PBF.pdf IRFU420PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 971 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.03 грн
7+ 36.82 грн
25+ 32.98 грн
35+ 27.21 грн
97+ 25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU430APBF VISHAY sihfr430.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY IRFx9014.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.7 грн
8+ 36.39 грн
25+ 31 грн
37+ 26.1 грн
101+ 24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU9020PBF VISHAY sihfr902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY IRFU9024PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.16 грн
25+ 33.91 грн
40+ 24.38 грн
108+ 23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY IRFx9120.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.16 грн
25+ 36.39 грн
38+ 25.51 грн
104+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU9210PBF VISHAY sihfr921.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9214PBF VISHAY sihfr921.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.7A; Idm: -11A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9220PBF VISHAY sihfr922.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+52.21 грн
25+ 45.38 грн
31+ 31.33 грн
83+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY IRFRC20TRPBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.37 грн
6+ 48.8 грн
25+ 41.23 грн
26+ 37.1 грн
72+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ10PBF VISHAY irfz10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY IRFZ14.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.16 грн
7+ 42.47 грн
10+ 36.77 грн
36+ 26.75 грн
99+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ20PBF VISHAY packaging.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY packaging.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+95.9 грн
10+ 85.45 грн
29+ 33.72 грн
78+ 31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ34PBF IRFZ34PBF VISHAY IRFZ34.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.37 грн
6+ 47.09 грн
10+ 39.58 грн
30+ 32.98 грн
80+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Drain current: 50A
Gate charge: 67nC
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY IRFZ44.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.67 грн
4+ 83.91 грн
10+ 70.91 грн
15+ 63.49 грн
42+ 60.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY IRFZ48RPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+152.72 грн
3+ 133.57 грн
10+ 112.96 грн
11+ 93.17 грн
29+ 88.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY IRL510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.55 грн
6+ 43.5 грн
10+ 37.68 грн
35+ 27.44 грн
96+ 25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL510STRLPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL520PBF IRL520PBF VISHAY IRL520.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.37 грн
6+ 50.52 грн
10+ 43.7 грн
31+ 32.16 грн
83+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530PBF VISHAY IRL530%2CSiHL530.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL530STRRPBF VISHAY sihl530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFR9220TRLPBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF.pdf
IRFR9220TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR9220TRRPBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310PBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.8 грн
6+ 46.75 грн
25+ 40.48 грн
32+ 30.67 грн
86+ 28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR9310TRLPBF IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -7.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF.pdf IRFR9310PBF.pdf
IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; DPAK,TO252
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.36 грн
6+ 45.29 грн
25+ 38.59 грн
31+ 31.75 грн
83+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFRC20PBF IRFRC20PBF.pdf
IRFRC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.08 грн
6+ 43.5 грн
25+ 37.19 грн
31+ 32.16 грн
83+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFRC20TRLPBF irfrc20.pdf
IRFRC20TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF.pdf
IRFRC20TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFRC20TRPBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFRC20TRRPBF sihfrc20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFS11N50APBF IRFS11N50A.pdf
IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.14 грн
3+ 156.69 грн
9+ 113.78 грн
24+ 108.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.14 грн
3+ 156.69 грн
9+ 111.31 грн
24+ 104.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF-dte.pdf
IRFSL11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.16 грн
3+ 143.85 грн
10+ 101.41 грн
27+ 95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFSL9N60APBF sihsl9n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; Idm: 37A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 170W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU014PBF sihfr014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU110PBF IRFU110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.92 грн
9+ 31.59 грн
25+ 26.3 грн
39+ 24.54 грн
75+ 24.08 грн
107+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU120PBF description IRFR120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.81 грн
6+ 50.17 грн
25+ 42.71 грн
28+ 35.13 грн
75+ 33.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU210PBF sihfr210.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 10A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU214PBF sihfr214.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.2A; Idm: 8.8A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Kind of package: tube
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.32 грн
8+ 36.39 грн
25+ 31.17 грн
38+ 25.63 грн
103+ 24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU310PBF IRFU310PBF.pdf
IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+88.79 грн
5+ 51.37 грн
25+ 33.06 грн
35+ 27.22 грн
97+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU320PBF IRFU320PBF.pdf
IRFU320PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 929 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.16 грн
6+ 47.95 грн
25+ 42.87 грн
27+ 35.45 грн
74+ 33.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU420APBF IRFR420A.pdf
IRFU420APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 10A; 83W
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Power dissipation: 83W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 10A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 3.3A
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFU420PBF IRFR420PBF.pdf IRFU420PBF.pdf
IRFU420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 971 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.03 грн
7+ 36.82 грн
25+ 32.98 грн
35+ 27.21 грн
97+ 25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU430APBF description sihfr430.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9014PBF IRFx9014.pdf
IRFU9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.7 грн
8+ 36.39 грн
25+ 31 грн
37+ 26.1 грн
101+ 24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU9020PBF sihfr902.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.9A; Idm: -40A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.9A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9024PBF IRFU9024PBF.pdf
IRFU9024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.16 грн
25+ 33.91 грн
40+ 24.38 грн
108+ 23.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9120PBF IRFx9120.pdf
IRFU9120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.16 грн
25+ 36.39 грн
38+ 25.51 грн
104+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU9210PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9214PBF sihfr921.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.7A; Idm: -11A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9220PBF sihfr922.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFU9310PBF IRFR9310PBF.pdf IRFR9310TRPBF.pdf
IRFU9310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.21 грн
25+ 45.38 грн
31+ 31.33 грн
83+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFUC20PBF description IRFRC20TRPBF.pdf
IRFUC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 367 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.37 грн
6+ 48.8 грн
25+ 41.23 грн
26+ 37.1 грн
72+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ10PBF irfz10.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ14PBF IRFZ14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.16 грн
7+ 42.47 грн
10+ 36.77 грн
36+ 26.75 грн
99+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFZ20PBF packaging.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ24PBF description packaging.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.9 грн
10+ 85.45 грн
29+ 33.72 грн
78+ 31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ34PBF IRFZ34.pdf
IRFZ34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.37 грн
6+ 47.09 грн
10+ 39.58 грн
30+ 32.98 грн
80+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFZ40PBF irfz40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 28mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Drain current: 50A
Gate charge: 67nC
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44PBF description IRFZ44.pdf
IRFZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.67 грн
4+ 83.91 грн
10+ 70.91 грн
15+ 63.49 грн
42+ 60.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFZ48PBF irfz48.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF.pdf
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.72 грн
3+ 133.57 грн
10+ 112.96 грн
11+ 93.17 грн
29+ 88.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRL510PBF IRL510.pdf
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.55 грн
6+ 43.5 грн
10+ 37.68 грн
35+ 27.44 грн
96+ 25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 18A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL520PBF IRL520.pdf
IRL520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.37 грн
6+ 50.52 грн
10+ 43.7 грн
31+ 32.16 грн
83+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL530STRRPBF sihl530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 466 647 648 649 650 651 652 653 654 655 656 657 932 1398 1864 2330 2796 3262 3728 4194 4660  Наступна Сторінка >> ]