Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (287880) > Сторінка 657 з 4798

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 479 652 653 654 655 656 657 658 659 660 661 662 958 1437 1916 2395 2874 3353 3832 4311 4790 4798  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.66 грн
5+ 62.02 грн
10+ 53.15 грн
21+ 46 грн
58+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9520STRRPBF VISHAY sihf9520.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530PBF IRF9530PBF VISHAY irf9530.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+60.16 грн
7+ 39.84 грн
10+ 35.08 грн
30+ 32.04 грн
83+ 29.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+63.98 грн
10+ 55.04 грн
20+ 47.65 грн
55+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530STRLPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 88W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9530STRRPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 88W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+63.98 грн
10+ 55.04 грн
20+ 49.29 грн
53+ 46.82 грн
250+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.81 грн
10+ 60.79 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9540STRRPBF VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -19A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY IRF9610PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.01 грн
6+ 42.91 грн
10+ 36.64 грн
33+ 29.57 грн
90+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9610SPBF VISHAY sihf9610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9610STRRPBF VISHAY sihf9610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9620PBF IRF9620PBF VISHAY IRF9620PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.66 грн
6+ 47.77 грн
10+ 42.14 грн
26+ 37.79 грн
50+ 37.46 грн
70+ 35.32 грн
250+ 35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9620SPBF VISHAY sihf9620.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.5A; Idm: -14A; 40W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9630PBF IRF9630PBF VISHAY IRF9630PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+95.55 грн
4+ 64.83 грн
10+ 55.04 грн
19+ 50.11 грн
50+ 49.29 грн
52+ 47.65 грн
250+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630SPBF IRF9630SPBF VISHAY IRF9630S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+64.83 грн
10+ 55.04 грн
20+ 47.65 грн
55+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9630STRLPBF VISHAY IRF9630S_SiHF9630S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.5A; Idm: -26A; 74W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -26A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9640LPBF VISHAY IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -11A; Idm: -44A; 125W
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: I2PAK; TO262
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9640PBF IRF9640PBF VISHAY IRF9640PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.12 грн
5+ 61.42 грн
10+ 55.29 грн
21+ 47.07 грн
56+ 44.44 грн
250+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9640SPBF IRF9640SPBF VISHAY IRF9640SPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.1 грн
10+ 59.97 грн
44+ 57.5 грн
50+ 56.68 грн
250+ 55.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF VISHAY IRF9640SPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9640STRRPBF IRF9640STRRPBF VISHAY IRF9640SPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z10PBF VISHAY irf9z10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z14PBF VISHAY 91088.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z14SPBF VISHAY sihf9z14.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z14STRLPBF VISHAY sihf9z14.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z20PBF VISHAY sihf9z20.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.7A
Pulsed drain current: -39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY IRF9Z24.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.04 грн
7+ 41.2 грн
10+ 35.16 грн
30+ 31.7 грн
50+ 31.63 грн
83+ 29.98 грн
250+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.93 грн
6+ 49.48 грн
10+ 41.32 грн
26+ 36.97 грн
71+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z24STRLPBF VISHAY sihf9z24.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z30PBF VISHAY packaging.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.01 грн
5+ 54 грн
10+ 45.67 грн
25+ 39.43 грн
68+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.34 грн
10+ 46 грн
23+ 42.72 грн
50+ 42.14 грн
63+ 40.25 грн
250+ 39.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z34STRLPBF VISHAY sihf9z34.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9Z34STRRPBF VISHAY sihf9z34.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.28 грн
10+ 78.04 грн
13+ 74.76 грн
35+ 70.65 грн
250+ 68.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB13N50APBF VISHAY irfb13n50a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF VISHAY IRFB17N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+183.13 грн
3+ 159.53 грн
8+ 125.69 грн
21+ 119.12 грн
250+ 114.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF VISHAY IRFB18N50K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+199.05 грн
3+ 173.18 грн
8+ 132.26 грн
20+ 124.87 грн
250+ 123.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF VISHAY IRFB20N50K.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+193.75 грн
3+ 168.91 грн
8+ 124.87 грн
21+ 117.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+133.59 грн
3+ 121.14 грн
10+ 96.11 грн
28+ 90.36 грн
250+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF VISHAY irfb9n65apbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.24 грн
5+ 58.01 грн
10+ 49.29 грн
24+ 41.07 грн
65+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20SPBF IRFBC20SPBF VISHAY IRFBC20SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 50W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+64.83 грн
10+ 55.04 грн
21+ 46.82 грн
56+ 44.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC30ALPBF VISHAY Hexfet%20TO262_1.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30APBF VISHAY 91108.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ASPBF VISHAY 91108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC30PBF IRFBC30PBF VISHAY IRFBC30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+51.78 грн
10+ 44.44 грн
25+ 40.25 грн
50+ 39.76 грн
67+ 37.79 грн
250+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC30SPBF VISHAY IRF9Z34S_1.jpg Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY iRfbc40A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 15000 шт
товар відсутній
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+106.64 грн
10+ 91.19 грн
12+ 84.61 грн
32+ 79.68 грн
250+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40ASTRLPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC40ASTRRPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY IRFBC40LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.99 грн
10+ 79.68 грн
14+ 69.01 грн
39+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.1 грн
10+ 59.97 грн
19+ 52.58 грн
50+ 50.11 грн
250+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9520SPBF IRF9520S.pdf
IRF9520SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.66 грн
5+ 62.02 грн
10+ 53.15 грн
21+ 46 грн
58+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9520STRLPBF IRF9520S.pdf
IRF9520STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9520STRRPBF sihf9520.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9530PBF irf9530.pdf
IRF9530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.16 грн
7+ 39.84 грн
10+ 35.08 грн
30+ 32.04 грн
83+ 29.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+63.98 грн
10+ 55.04 грн
20+ 47.65 грн
55+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 88W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9530STRRPBF sihf9530.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 88W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+63.98 грн
10+ 55.04 грн
20+ 49.29 грн
53+ 46.82 грн
250+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.81 грн
10+ 60.79 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540STRLPBF IRF9540S.pdf
IRF9540STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9540STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -19A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9610PBF IRF9610PBF.pdf
IRF9610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.01 грн
6+ 42.91 грн
10+ 36.64 грн
33+ 29.57 грн
90+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9610SPBF sihf9610.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9610STRRPBF sihf9610.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.8A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9620PBF IRF9620PBF.pdf
IRF9620PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.66 грн
6+ 47.77 грн
10+ 42.14 грн
26+ 37.79 грн
50+ 37.46 грн
70+ 35.32 грн
250+ 35 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9620SPBF sihf9620.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.5A; Idm: -14A; 40W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 40W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9630PBF IRF9630PBF.pdf
IRF9630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.55 грн
4+ 64.83 грн
10+ 55.04 грн
19+ 50.11 грн
50+ 49.29 грн
52+ 47.65 грн
250+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9630SPBF IRF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+64.83 грн
10+ 55.04 грн
20+ 47.65 грн
55+ 45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9630STRLPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.5A; Idm: -26A; 74W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -26A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9640LPBF IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -11A; Idm: -44A; 125W
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: I2PAK; TO262
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -11A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9640PBF IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.12 грн
5+ 61.42 грн
10+ 55.29 грн
21+ 47.07 грн
56+ 44.44 грн
250+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9640SPBF IRF9640SPBF.pdf
IRF9640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; 125W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.1 грн
10+ 59.97 грн
44+ 57.5 грн
50+ 56.68 грн
250+ 55.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9640STRLPBF description IRF9640SPBF.pdf
IRF9640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9640STRRPBF IRF9640SPBF.pdf
IRF9640STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -44A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z10PBF irf9z10.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z14PBF 91088.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z14SPBF sihf9z14.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z14STRLPBF sihf9z14.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z20PBF sihf9z20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -9.7A
Pulsed drain current: -39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z24PBF IRF9Z24.pdf
IRF9Z24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.04 грн
7+ 41.2 грн
10+ 35.16 грн
30+ 31.7 грн
50+ 31.63 грн
83+ 29.98 грн
250+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z24SPBF IRF9Z24S.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.93 грн
6+ 49.48 грн
10+ 41.32 грн
26+ 36.97 грн
71+ 35.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z24STRLPBF sihf9z24.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z30PBF description packaging.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.01 грн
5+ 54 грн
10+ 45.67 грн
25+ 39.43 грн
68+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; 88W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+54.34 грн
10+ 46 грн
23+ 42.72 грн
50+ 42.14 грн
63+ 40.25 грн
250+ 39.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z34STRLPBF sihf9z34.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF9Z34STRRPBF sihf9z34.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF.pdf
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.28 грн
10+ 78.04 грн
13+ 74.76 грн
35+ 70.65 грн
250+ 68.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB13N50APBF irfb13n50a.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB17N50LPBF IRFB17N50L.pdf
IRFB17N50LPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.13 грн
3+ 159.53 грн
8+ 125.69 грн
21+ 119.12 грн
250+ 114.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB18N50KPBF IRFB18N50K.pdf
IRFB18N50KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.05 грн
3+ 173.18 грн
8+ 132.26 грн
20+ 124.87 грн
250+ 123.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB20N50KPBF description IRFB20N50K.pdf
IRFB20N50KPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.75 грн
3+ 168.91 грн
8+ 124.87 грн
21+ 117.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+133.59 грн
3+ 121.14 грн
10+ 96.11 грн
28+ 90.36 грн
250+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N65APBF irfb9n65apbf.pdf
IRFB9N65APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.4A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC20PBF IRFBC20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.24 грн
5+ 58.01 грн
10+ 49.29 грн
24+ 41.07 грн
65+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20SPBF IRFBC20SPBF.pdf
IRFBC20SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; 50W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+64.83 грн
10+ 55.04 грн
21+ 46.82 грн
56+ 44.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC20STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 8A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC30ALPBF Hexfet%20TO262_1.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30APBF 91108.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ASPBF 91108.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC30PBF IRFBC30PBF.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+51.78 грн
10+ 44.44 грн
25+ 40.25 грн
50+ 39.76 грн
67+ 37.79 грн
250+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC30SPBF IRF9Z34S_1.jpg
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14A
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC40APBF iRfbc40A.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 15000 шт
товар відсутній
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.64 грн
10+ 91.19 грн
12+ 84.61 грн
32+ 79.68 грн
250+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40ASTRLPBF sihfbc40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC40ASTRRPBF sihfbc40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.99 грн
10+ 79.68 грн
14+ 69.01 грн
39+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40PBF IRFBC40PBF.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.1 грн
10+ 59.97 грн
19+ 52.58 грн
50+ 50.11 грн
250+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 479 652 653 654 655 656 657 658 659 660 661 662 958 1437 1916 2395 2874 3353 3832 4311 4790 4798  [ Наступна Сторінка >> ]