Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (359548) > Сторінка 964 з 5993

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 959 960 961 962 963 964 965 966 967 968 969 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5993  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ34PBF VISHAY irl620.pdf IRFZ34PBF THT N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.71 грн
30+37.02 грн
81+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E915DBE7A8143&compId=IRFZ44.pdf?ci_sign=458528282ba83399954c12bf5082fc3043138130 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.45 грн
11+109.15 грн
29+99.53 грн
2000+98.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.21 грн
36+32.17 грн
97+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF IRL520PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EC94D27502143&compId=IRL520.pdf?ci_sign=b3e1b2350ece4a68a038346150ff1b1ea734ec95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.13 грн
10+66.26 грн
31+36.28 грн
84+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF IRL530PBF VISHAY IRL530%2CSiHL530.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.19 грн
10+81.91 грн
23+48.00 грн
63+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBF VISHAY sihl530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF VISHAY irl620.pdf IRL540PBF THT N channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.95 грн
21+52.65 грн
57+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF VISHAY irl620.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620STRLPBF VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF VISHAY irf520.pdf IRL630PBF THT N channel transistors
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.37 грн
21+52.09 грн
58+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630SPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRLPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF VISHAY sihl630s.pdf IRL630STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEF796BA7E469&compId=IRL640PBF.pdf?ci_sign=90f0df144af63495d804a38e54556a72be3b1e49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.33 грн
15+77.28 грн
40+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF VISHAY sihl640s.pdf IRL640SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.30 грн
12+91.16 грн
33+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF VISHAY sihl640s.pdf IRL640STRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.33 грн
15+76.27 грн
40+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF VISHAY sihl640s.pdf IRL640STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBF VISHAY sihld014.pdf IRLD014PBF THT N channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.65 грн
34+32.84 грн
92+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF IRLD024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Mounting: THT
Case: DIP4
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.31 грн
10+57.67 грн
28+39.90 грн
75+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF IRLD110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF6005784C469&compId=IRLD110PBF.pdf?ci_sign=e61980fbc5718753ddf52b24a20551457bbb0cdd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.28 грн
10+70.61 грн
38+29.21 грн
103+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF IRLD120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF8FCFDEF4469&compId=IRLD120PBF.pdf?ci_sign=3c98dafd7f31072e78a7f61495fed3dc9d006c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.25 грн
10+72.64 грн
36+30.60 грн
99+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBF VISHAY 90397.pdf IRLI520GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GPBF VISHAY sihli530.pdf IRLI530GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GPBF VISHAY 91313.pdf IRLI630GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF VISHAY 91314.pdf IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.21 грн
15+72.55 грн
42+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBF VISHAY sihliz14.pdf IRLIZ14GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GPBF VISHAY 91317.pdf IRLIZ34GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBF VISHAY 91318.pdf IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.47 грн
11+107.90 грн
28+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF IRLL014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4ED7881A0A143&compId=IRLL014.pdf?ci_sign=10e5f52cf85e0c2b2779fadfde12bf81a9876512 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.12 грн
10+34.29 грн
56+19.53 грн
154+18.51 грн
10000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3 VISHAY sihll014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.14 грн
5+62.79 грн
10+52.28 грн
50+45.11 грн
58+18.79 грн
159+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.11 грн
10+35.16 грн
44+24.93 грн
121+23.53 грн
3000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRLPBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024PBF VISHAY sihlr024.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024TRLPBF VISHAY sihlr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024TRPBF VISHAY sihlr024.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.18 грн
10+54.67 грн
43+25.39 грн
118+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBF VISHAY sihlr110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 760mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF IRLR110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLPBF VISHAY IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.38Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4E888667DC143&compId=IRLR120.pdf?ci_sign=0b476ece41be08e437a54214b8e37bbdb00bf14b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.13 грн
8+39.02 грн
25+33.21 грн
38+28.77 грн
105+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBF VISHAY IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.38Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.14 грн
7+42.31 грн
25+36.74 грн
39+28.21 грн
107+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E7A96634EC143&compId=IRLU024.pdf?ci_sign=064d31f5ea3e54a35cb9ec8790416ce3ea142884 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.14 грн
7+42.50 грн
25+36.18 грн
35+31.67 грн
95+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.16 грн
10+54.96 грн
34+32.85 грн
91+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF irl620.pdf
Виробник: VISHAY
IRFZ34PBF THT N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.71 грн
30+37.02 грн
81+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF irfz40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E915DBE7A8143&compId=IRFZ44.pdf?ci_sign=458528282ba83399954c12bf5082fc3043138130
IRFZ44PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF irfz48.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f
IRFZ48RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.45 грн
11+109.15 грн
29+99.53 грн
2000+98.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26
IRL510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.21 грн
36+32.17 грн
97+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510STRLPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EC94D27502143&compId=IRL520.pdf?ci_sign=b3e1b2350ece4a68a038346150ff1b1ea734ec95
IRL520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.13 грн
10+66.26 грн
31+36.28 грн
84+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF IRL530%2CSiHL530.pdf
IRL530PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.19 грн
10+81.91 грн
23+48.00 грн
63+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBF sihl530s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF irl620.pdf
Виробник: VISHAY
IRL540PBF THT N channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.95 грн
21+52.65 грн
57+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620PBF irl620.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620SPBF sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL620STRLPBF sihl620s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF irf520.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630PBF THT N channel transistors
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.37 грн
21+52.09 грн
58+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630SPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630SPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRLPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630STRRPBF sihl630s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL630STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEF796BA7E469&compId=IRL640PBF.pdf?ci_sign=90f0df144af63495d804a38e54556a72be3b1e49
IRL640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.33 грн
15+77.28 грн
40+70.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640SPBF sihl640s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL640SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.30 грн
12+91.16 грн
33+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF sihl640s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL640STRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.33 грн
15+76.27 грн
40+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRRPBF sihl640s.pdf
Виробник: VISHAY
IRL640STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD014PBF sihld014.pdf
Виробник: VISHAY
IRLD014PBF THT N channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.65 грн
34+32.84 грн
92+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd
IRLD024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Mounting: THT
Case: DIP4
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.31 грн
10+57.67 грн
28+39.90 грн
75+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF6005784C469&compId=IRLD110PBF.pdf?ci_sign=e61980fbc5718753ddf52b24a20551457bbb0cdd
IRLD110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.28 грн
10+70.61 грн
38+29.21 грн
103+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLD120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF8FCFDEF4469&compId=IRLD120PBF.pdf?ci_sign=3c98dafd7f31072e78a7f61495fed3dc9d006c33
IRLD120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.25 грн
10+72.64 грн
36+30.60 грн
99+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI520GPBF 90397.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI520GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI530GPBF sihli530.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI530GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI630GPBF 91313.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI630GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLI640GPBF 91314.pdf
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.21 грн
15+72.55 грн
42+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ14GPBF sihliz14.pdf
Виробник: VISHAY
IRLIZ14GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ34GPBF 91317.pdf
Виробник: VISHAY
IRLIZ34GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLIZ44GPBF 91318.pdf
Виробник: VISHAY
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.47 грн
11+107.90 грн
28+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4ED7881A0A143&compId=IRLL014.pdf?ci_sign=10e5f52cf85e0c2b2779fadfde12bf81a9876512
IRLL014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.12 грн
10+34.29 грн
56+19.53 грн
154+18.51 грн
10000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014TRPBF-BE3 sihll014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e
IRLL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.14 грн
5+62.79 грн
10+52.28 грн
50+45.11 грн
58+18.79 грн
159+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.11 грн
10+35.16 грн
44+24.93 грн
121+23.53 грн
3000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRLPBF sihlr014.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b
IRLR014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024PBF description sihlr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024TRLPBF sihlr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024TRPBF sihlr024.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLR110PBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.18 грн
10+54.67 грн
43+25.39 грн
118+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBF sihlr110.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 760mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLR110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.1nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.38Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4E888667DC143&compId=IRLR120.pdf?ci_sign=0b476ece41be08e437a54214b8e37bbdb00bf14b
IRLR120TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.13 грн
8+39.02 грн
25+33.21 грн
38+28.77 грн
105+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBF IRLR%28U%29120%2C%20SiHLR%28U%29120.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.38Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b
IRLU014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.14 грн
7+42.31 грн
25+36.74 грн
39+28.21 грн
107+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E7A96634EC143&compId=IRLU024.pdf?ci_sign=064d31f5ea3e54a35cb9ec8790416ce3ea142884
IRLU024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.14 грн
7+42.50 грн
25+36.18 грн
35+31.67 грн
95+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8
IRLZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.16 грн
10+54.96 грн
34+32.85 грн
91+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 599 959 960 961 962 963 964 965 966 967 968 969 1198 1797 2396 2995 3594 4193 4792 5391 5990 5993  [ Наступна Сторінка >> ]