Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (269672) > Сторінка 4107 з 4495

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4102 4103 4104 4105 4106 4107 4108 4109 4110 4111 4112 4490 4495  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.13 грн
10+115.13 грн
50+96.50 грн
100+88.04 грн
250+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.97 грн
5+158.30 грн
10+139.67 грн
50+104.97 грн
100+93.96 грн
250+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.97 грн
10+111.74 грн
25+97.35 грн
50+88.04 грн
100+80.42 грн
250+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.03 грн
10+80.42 грн
50+66.87 грн
100+62.64 грн
200+59.26 грн
500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-05-E3-08 VISHAY BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 5ns
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
57+7.53 грн
100+4.30 грн
500+3.12 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 1.5KE27CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
100+20.82 грн
500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 VISHAY 1n5820-22.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 1400pcs.
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.53 грн
20+22.18 грн
50+20.82 грн
100+20.15 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP BYV26C-TAP VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.81 грн
12+36.23 грн
100+29.04 грн
500+25.06 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY byv26.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; 10 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
18+24.55 грн
25+23.53 грн
100+22.26 грн
250+21.33 грн
500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 1.5KE400A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.43 грн
10+42.33 грн
100+37.50 грн
250+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.03 грн
10+90.58 грн
50+80.42 грн
100+73.65 грн
250+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.20 грн
5+143.06 грн
10+121.05 грн
25+97.35 грн
50+86.34 грн
100+77.88 грн
250+72.80 грн
1000+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+260.73 грн
10+124.44 грн
25+101.58 грн
50+89.73 грн
100+79.57 грн
250+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.42 грн
10+92.27 грн
40+79.57 грн
50+77.88 грн
100+71.11 грн
250+63.49 грн
500+59.26 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.14 грн
10+158.30 грн
25+133.75 грн
50+117.67 грн
100+106.66 грн
150+100.73 грн
250+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 1.5KE18CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.55 грн
9+49.10 грн
11+40.55 грн
25+30.64 грн
50+26.07 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 1.5KE180CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.52 грн
10+42.92 грн
100+29.80 грн
500+24.63 грн
1000+22.86 грн
1400+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 1.5KE18A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.26 грн
12+36.15 грн
50+28.36 грн
100+26.16 грн
250+23.70 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 P6KE200A-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
23+18.96 грн
33+13.21 грн
100+11.43 грн
250+10.41 грн
500+8.89 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
36+11.85 грн
100+9.48 грн
500+7.96 грн
1000+7.20 грн
3000+6.09 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.00 грн
22+19.98 грн
25+17.61 грн
100+12.87 грн
500+9.23 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1N5819-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.14 грн
33+13.12 грн
100+9.06 грн
500+7.20 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Leakage current: 50µA
Capacitance: 1.5pF
Max. forward impulse current: 4.5A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.3W
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 13585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.50 грн
53+8.04 грн
65+6.59 грн
100+4.82 грн
500+3.30 грн
1000+2.84 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 BAV99-HE3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Leakage current: 50µA
Capacitance: 1.5pF
Max. forward impulse current: 4.5A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.3W
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Application: automotive industry
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/54 VISHAY 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 8pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 5500pcs.
Reverse recovery time: 2µs
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.88 грн
50+17.01 грн
100+15.41 грн
250+12.95 грн
500+10.84 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC VJ1206A100KXAAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 50V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±10%
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.30 грн
100+6.86 грн
500+6.04 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 BAS85-GS08 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 2500pcs.
на замовлення 96186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
42+10.24 грн
100+7.61 грн
500+5.88 грн
1000+5.15 грн
2500+4.17 грн
5000+3.43 грн
10000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 BAS85-GS18 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
на замовлення 25452 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
76+5.59 грн
100+4.63 грн
500+4.04 грн
1000+3.85 грн
2500+3.50 грн
10000+2.90 грн
20000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 NTCLE100E3472JB0 VISHAY ntcle100.pdf Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: THT
Power: 0.5W
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
18+24.55 грн
19+22.60 грн
25+19.98 грн
50+18.20 грн
100+16.76 грн
200+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 1.5KE47CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.23 грн
12+36.06 грн
50+32.00 грн
100+30.39 грн
250+28.78 грн
500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 VISHAY siha25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 VISHAY sihb25n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISHAY sihg25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3/4W VISHAY MBR10100-E3-4W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
Max. forward voltage: 0.65V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.05 грн
10+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C12-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: Ammo Pack
Zener voltage: 12V
Tolerance: ±5%
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
49+8.80 грн
54+7.87 грн
100+6.33 грн
500+4.96 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C5V1-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 6527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
50+8.63 грн
56+7.62 грн
100+6.70 грн
500+5.27 грн
1000+4.81 грн
2500+4.34 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.07 грн
10+72.80 грн
50+71.11 грн
100+66.03 грн
250+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY irf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLR4400 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Wavelength: 612...625nm
Viewing angle: 50°
Type of diode: LED
Number of terminals: 2
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
LED colour: red
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED current: 2mA
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Mounting: THT
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.73 грн
26+16.51 грн
28+15.24 грн
50+14.22 грн
100+13.29 грн
250+12.19 грн
500+11.26 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z VISHAY TLLR4400-AS12Z.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Wavelength: 612...625nm
Viewing angle: 25°
Type of diode: LED
Number of terminals: 2
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
LED colour: red
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED current: 2mA
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLR4401 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Wavelength: 612...625nm
Viewing angle: 50°
Type of diode: LED
Number of terminals: 2
Luminosity: 1...2mcd
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
LED colour: red
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED current: 2mA
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Mounting: THT
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
22+20.15 грн
25+17.95 грн
50+16.42 грн
100+14.98 грн
250+13.21 грн
500+12.11 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C8V2-TAP BZX55C8V2-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 20469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.47 грн
136+3.13 грн
179+2.37 грн
250+2.01 грн
500+1.75 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206G107MXYTW1BC VJ1206G107MXYTW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100uF; 6.3V; X5R; ±20%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 100µF
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Operating voltage: 6.3V
Dielectric: X5R
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T B340A-E3/61T VISHAY b330la.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.55 грн
21+20.40 грн
100+12.78 грн
500+9.40 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS12-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.29 грн
84+5.08 грн
93+4.57 грн
106+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/52 SMBJ24A-E3/52 VISHAY smbjA-CA_ser.pdf description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
50+13.63 грн
100+11.34 грн
250+8.13 грн
500+6.01 грн
750+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/5B SMBJ24A-E3/5B VISHAY smbjA-CA_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/5AT US1M-E3/5AT VISHAY us1_test_dcicons.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 7500pcs.
Leakage current: 50µA
на замовлення 7954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
28+15.49 грн
50+12.70 грн
100+11.68 грн
500+9.06 грн
5000+5.42 грн
7500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/61T US1M-E3/61T VISHAY US1M-E3-61T.pdf description Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
21+20.32 грн
50+10.16 грн
100+7.70 грн
1800+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/H US1MHE3_A/H VISHAY us1_test_dcicons.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Application: automotive industry
Leakage current: 50µA
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.47 грн
27+16.00 грн
100+14.14 грн
500+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY IRFZ44.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.42 грн
5+111.74 грн
10+99.89 грн
25+87.19 грн
40+81.27 грн
50+77.88 грн
100+71.11 грн
500+58.41 грн
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1645-E3/45 MBR1645-E3/45 VISHAY MBR1645-E3-45.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.07 грн
10+57.22 грн
50+44.53 грн
100+39.62 грн
250+32.76 грн
500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF5408-E3/54 UF5408-E3/54 VISHAY uf5400-8.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 75ns
Manufacturer standard package: 1400pcs.
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.70 грн
11+41.65 грн
15+29.29 грн
100+27.43 грн
500+23.87 грн
1400+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C15-TAP BZX55C15-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO35
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 20849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
68+6.26 грн
10000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C15-TR BZX55C15-TR VISHAY bzx55.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; DO35; single diode; 14 inch reel
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±6%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 14 inch reel
Manufacturer standard package: 10000pcs.
на замовлення 8062 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
52+8.30 грн
68+6.26 грн
113+3.77 грн
250+2.86 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+143.13 грн
10+115.13 грн
50+96.50 грн
100+88.04 грн
250+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.97 грн
5+158.30 грн
10+139.67 грн
50+104.97 грн
100+93.96 грн
250+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF irf840as_IRF840al.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+185.97 грн
10+111.74 грн
25+97.35 грн
50+88.04 грн
100+80.42 грн
250+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.03 грн
10+80.42 грн
50+66.87 грн
100+62.64 грн
200+59.26 грн
500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840SPBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Reverse recovery time: 5ns
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Power dissipation: 0.2W
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.85 грн
57+7.53 грн
100+4.30 грн
500+3.12 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
100+20.82 грн
500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1n5820-22.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 1400pcs.
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.53 грн
20+22.18 грн
50+20.82 грн
100+20.15 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP byv26.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.1mA
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.81 грн
12+36.23 грн
100+29.04 грн
500+25.06 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description byv26.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ifsm: 30A; SOD57; 10 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Manufacturer standard package: 5000pcs.
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
18+24.55 грн
25+23.53 грн
100+22.26 грн
250+21.33 грн
500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 15ke_Ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.43 грн
10+42.33 грн
100+37.50 грн
250+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.03 грн
10+90.58 грн
50+80.42 грн
100+73.65 грн
250+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.20 грн
5+143.06 грн
10+121.05 грн
25+97.35 грн
50+86.34 грн
100+77.88 грн
250+72.80 грн
1000+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.73 грн
10+124.44 грн
25+101.58 грн
50+89.73 грн
100+79.57 грн
250+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+150.42 грн
10+92.27 грн
40+79.57 грн
50+77.88 грн
100+71.11 грн
250+63.49 грн
500+59.26 грн
1000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.14 грн
10+158.30 грн
25+133.75 грн
50+117.67 грн
100+106.66 грн
150+100.73 грн
250+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740SPBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.55 грн
9+49.10 грн
11+40.55 грн
25+30.64 грн
50+26.07 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+56.52 грн
10+42.92 грн
100+29.80 грн
500+24.63 грн
1000+22.86 грн
1400+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 15ke_Ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.26 грн
12+36.15 грн
50+28.36 грн
100+26.16 грн
250+23.70 грн
500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 p6ke.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 2.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: 13 inch reel
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1n5817-19.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
23+18.96 грн
33+13.21 грн
100+11.43 грн
250+10.41 грн
500+8.89 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817-19.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.23 грн
36+11.85 грн
100+9.48 грн
500+7.96 грн
1000+7.20 грн
3000+6.09 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1n5817-19.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: 13 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.00 грн
22+19.98 грн
25+17.61 грн
100+12.87 грн
500+9.23 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1n5817-19.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Max. forward voltage: 0.6V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 25A
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.14 грн
33+13.12 грн
100+9.06 грн
500+7.20 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08 bav99.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Leakage current: 50µA
Capacitance: 1.5pF
Max. forward impulse current: 4.5A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.3W
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 13585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.50 грн
53+8.04 грн
65+6.59 грн
100+4.82 грн
500+3.30 грн
1000+2.84 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 bav99.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Leakage current: 50µA
Capacitance: 1.5pF
Max. forward impulse current: 4.5A
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.3W
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Application: automotive industry
Kind of package: 7 inch reel
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1n4001gp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; 13 inch reel; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 8pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 5500pcs.
Reverse recovery time: 2µs
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.88 грн
50+17.01 грн
100+15.41 грн
250+12.95 грн
500+10.84 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC vjcommercialseries.pdf
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 50V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±10%
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+7.30 грн
100+6.86 грн
500+6.04 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 bas85.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 2500pcs.
на замовлення 96186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
42+10.24 грн
100+7.61 грн
500+5.88 грн
1000+5.15 грн
2500+4.17 грн
5000+3.43 грн
10000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 bas85.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Manufacturer standard package: 10000pcs.
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
на замовлення 25452 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.85 грн
76+5.59 грн
100+4.63 грн
500+4.04 грн
1000+3.85 грн
2500+3.50 грн
10000+2.90 грн
20000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 ntcle100.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: THT
Power: 0.5W
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.08 грн
18+24.55 грн
19+22.60 грн
25+19.98 грн
50+18.20 грн
100+16.76 грн
200+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.23 грн
12+36.06 грн
50+32.00 грн
100+30.39 грн
250+28.78 грн
500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3-4W.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
Max. forward voltage: 0.65V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.05 грн
10+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C10-TAP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: Ammo Pack
Zener voltage: 12V
Tolerance: ±5%
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
49+8.80 грн
54+7.87 грн
100+6.33 грн
500+4.96 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C10-TAP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; DO41; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 6527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
50+8.63 грн
56+7.62 грн
100+6.70 грн
500+5.27 грн
1000+4.81 грн
2500+4.34 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.07 грн
10+72.80 грн
50+71.11 грн
100+66.03 грн
250+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF irf540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLx440x-DTE.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Wavelength: 612...625nm
Viewing angle: 50°
Type of diode: LED
Number of terminals: 2
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
LED colour: red
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED current: 2mA
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Mounting: THT
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.73 грн
26+16.51 грн
28+15.24 грн
50+14.22 грн
100+13.29 грн
250+12.19 грн
500+11.26 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Wavelength: 612...625nm
Viewing angle: 25°
Type of diode: LED
Number of terminals: 2
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
LED colour: red
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED current: 2mA
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLx440x-DTE.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Wavelength: 612...625nm
Viewing angle: 50°
Type of diode: LED
Number of terminals: 2
Luminosity: 1...2mcd
LED diameter: 3mm
LED lens: diffused; red
LED colour: red
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
LED current: 2mA
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Mounting: THT
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
22+20.15 грн
25+17.95 грн
50+16.42 грн
100+14.98 грн
250+13.21 грн
500+12.11 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C8V2-TAP BZX55C10-TAP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 20469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.47 грн
136+3.13 грн
179+2.37 грн
250+2.01 грн
500+1.75 грн
1000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206G107MXYTW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100uF; 6.3V; X5R; ±20%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 100µF
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...85°C
Operating voltage: 6.3V
Dielectric: X5R
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/61T b330la.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.55V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 65A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.55 грн
21+20.40 грн
100+12.78 грн
500+9.40 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS12-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 40A
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Kind of package: 7 inch reel
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.29 грн
84+5.08 грн
93+4.57 грн
106+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/52 description smbjA-CA_ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
на замовлення 6831 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.23 грн
50+13.63 грн
100+11.34 грн
250+8.13 грн
500+6.01 грн
750+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ24A-E3/5B smbjA-CA_ser.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 26.7÷29.5V; 15.4A; unidirectional; ±5%; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7...29.5V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/5AT us1_test_dcicons.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 7500pcs.
Leakage current: 50µA
на замовлення 7954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
28+15.49 грн
50+12.70 грн
100+11.68 грн
500+9.06 грн
5000+5.42 грн
7500+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1M-E3/61T description US1M-E3-61T.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
21+20.32 грн
50+10.16 грн
100+7.70 грн
1800+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1MHE3_A/H us1_test_dcicons.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Manufacturer standard package: 1800pcs.
Application: automotive industry
Leakage current: 50µA
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.47 грн
27+16.00 грн
100+14.14 грн
500+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44PBF description IRFZ44.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+150.42 грн
5+111.74 грн
10+99.89 грн
25+87.19 грн
40+81.27 грн
50+77.88 грн
100+71.11 грн
500+58.41 грн
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1645-E3/45 MBR1645-E3-45.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.57V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.07 грн
10+57.22 грн
50+44.53 грн
100+39.62 грн
250+32.76 грн
500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF5408-E3/54 uf5400-8.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; 13 inch reel
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward voltage: 1V
Reverse recovery time: 75ns
Manufacturer standard package: 1400pcs.
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.70 грн
11+41.65 грн
15+29.29 грн
100+27.43 грн
500+23.87 грн
1400+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C15-TAP BZX55C10-TAP.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO35
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 20849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
68+6.26 грн
10000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C15-TR bzx55.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; DO35; single diode; 14 inch reel
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 15V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±6%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 14 inch reel
Manufacturer standard package: 10000pcs.
на замовлення 8062 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.85 грн
52+8.30 грн
68+6.26 грн
113+3.77 грн
250+2.86 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4102 4103 4104 4105 4106 4107 4108 4109 4110 4111 4112 4490 4495  Наступна Сторінка >> ]