Продукція > ANALOG POWER INC. > Всі товари виробника ANALOG POWER INC. (204) > Сторінка 1 з 4

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7002-CT 2N7002-CT Analog Power Inc. 2N7002-5318.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
13+25.39 грн
100+15.26 грн
500+13.25 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ADC3D10065I ADC3D10065I Analog Power Inc. ADC3D10065I.pdf Description: DIODE SIL SIC 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 200V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.36 грн
50+391.34 грн
100+350.14 грн
500+289.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120A ADC4D10120A Analog Power Inc. ADC4D10120A.pdf Description: DIODE SIL SIC 1200V 33A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120D ADC4D10120D Analog Power Inc. ADC4D10120D.pdf Description: DIODE SIL SIC 1200V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.78 грн
10+806.80 грн
100+697.80 грн
500+593.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120E ADC4D10120E Analog Power Inc. ADC4D10120E.pdf Description: DIODE SIL SIC 1200V 33A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120H ADC4D10120H Analog Power Inc. ADC4D10120H.pdf Description: DIODE SIL SIC 1200V 31.5A TO247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 31.5A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D20120H ADC4D20120H Analog Power Inc. ADC4D20120H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1772.96 грн
10+1517.07 грн
100+1326.93 грн
500+1062.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADC6D10065A ADC6D10065A Analog Power Inc. ADC6D10065A.pdf Description: DIODE SIL SIC 650V 37A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADC6D10065E ADC6D10065E Analog Power Inc. ADC6D10065E.pdf Description: DIODE SIL SIC 650V 35A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADC6D10065G ADC6D10065G Analog Power Inc. ADC6D10065G.pdf Description: DIODE SIL SIC 650V 36A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADE4D20120D ADE4D20120D Analog Power Inc. ADE4D20120D.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1943.56 грн
10+1662.80 грн
100+1454.35 грн
500+1164.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADE4D20120G ADE4D20120G Analog Power Inc. ADE4D20120G.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1694.60 грн
10+1450.57 грн
100+1268.70 грн
500+1016.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AM10N20-400D AM10N20-400D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM10N20-400D_1C_1 Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 15 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+37.42 грн
100+33.68 грн
500+24.59 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM10N50-380D AM10N50-380D Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM10N50-380D Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
12+26.25 грн
100+23.64 грн
500+17.25 грн
1000+14.17 грн
2500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM12N65P AM12N65P Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM12N65P Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2691 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM12N70P AM12N70P Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM12N70P Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM140N03-03D AM140N03-03D Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM140N03-03D Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 15 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.04 грн
10+40.09 грн
100+36.07 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM14N65P AM14N65P Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM14N65P_1A_1 Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3469 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-115D AM20N10-115D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM20N10-115D_1A_1 Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1622 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.26 грн
12+27.59 грн
100+24.80 грн
500+18.10 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-130D AM20N10-130D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM20N10-130D_1A_1 Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.61 грн
10+58.01 грн
100+52.20 грн
500+38.10 грн
1000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-160D AM20N10-160D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM20N10-160D_1A_1 Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-250D AM20N10-250D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM20N10-250D_1A_1 Description: MOSFET N-CH 100V 11.6A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.90 грн
11+29.01 грн
100+26.10 грн
500+19.05 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-52PF AM20N10-52PF Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM20N10-52PF_1A_1 Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO-220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
50+92.60 грн
100+73.39 грн
500+58.38 грн
1000+47.55 грн
2000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AM2301P AM2301P Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM2301P_1A_1 Description: MOSFET P-CH -20V 2.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.77 грн
27+12.03 грн
100+10.79 грн
500+7.88 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
AM2304N AM2304N Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2304N Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
17+18.87 грн
100+16.96 грн
500+12.38 грн
1000+10.17 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AM2305PE AM2305PE Analog Power Inc. AM2305PE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.61 грн
47+6.76 грн
100+6.11 грн
500+4.46 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
AM2306N AM2306N Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2306N Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.98 грн
56+5.66 грн
100+5.10 грн
500+3.72 грн
1000+3.06 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
AM2306NE AM2306NE Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2306NE Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.59 грн
26+12.42 грн
100+11.19 грн
500+8.17 грн
1000+6.71 грн
3000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
AM2329P AM2329P Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2329P Description: MOSFET P-CH -30V 2.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.06 грн
38+8.33 грн
100+7.47 грн
500+5.45 грн
1000+4.47 грн
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AM2336N AM2336N Analog Power Inc. AM2336N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-59, SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AM2336N-CT AM2336N-CT Analog Power Inc. AM2336N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 15 V
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.61 грн
46+6.84 грн
100+6.13 грн
500+4.48 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
AM2340NE AM2340NE Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2340NE Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
25+13.05 грн
100+11.74 грн
500+8.57 грн
1000+7.04 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AM2343P AM2343P Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM2343P_1A_2 Description: MOSFET P-CH -30V 3.9A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
30+10.53 грн
100+9.50 грн
500+6.94 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AM2358NE AM2358NE Analog Power Inc. Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.96 грн
28+11.32 грн
100+10.16 грн
500+7.42 грн
1000+6.10 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AM2362N AM2362N Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2362N Description: MOSFET N-CH 60V 5.7A SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.39 грн
17+18.87 грн
100+16.96 грн
500+12.38 грн
1000+10.17 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AM2370N AM2370N Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2370N Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A DFN5X6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
22+14.46 грн
100+13.05 грн
500+9.53 грн
1000+7.83 грн
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AM2374N AM2374N Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2374N Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 15 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
13+24.92 грн
100+22.39 грн
500+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AM2N60B AM2N60B Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM2N60B Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-263
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM30N06-39D AM30N06-39D Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM30N06-39D Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 15 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.79 грн
10+31.91 грн
100+28.71 грн
500+20.96 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AM320N06-02P AM320N06-02P Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM320N06-02P_1A_1 Description: MOSFET N-CH 60V 230A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 230A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13147 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.26 грн
50+94.31 грн
100+75.97 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AM3457P AM3457P Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM3457P_C Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSOP-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM3467P AM3467P Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM3467P_1A_1 Description: MOSFET P-CH 60V 5A TSOP-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 15 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.77 грн
27+12.03 грн
100+10.79 грн
500+7.88 грн
1000+6.47 грн
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N04-30D AM40N04-30D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM40N04-30D_1A_1 Description: MOSFET N-CH 40V 33A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 15 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.00 грн
13+25.47 грн
100+22.93 грн
500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N08-30D AM40N08-30D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM40N08-30D_1Arev1 Description: MOSFET N-CH 80V 36A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1216 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.90 грн
11+28.69 грн
100+25.79 грн
500+18.83 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N10-30D AM40N10-30D Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM40N10-30D Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1216 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.40 грн
10+38.52 грн
100+34.70 грн
500+25.33 грн
1000+20.80 грн
2500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N20-180P AM40N20-180P Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM40N20-180P Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.20 грн
50+84.59 грн
100+68.14 грн
500+55.13 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AM40P04-20D AM40P04-20D Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM40P04-20D_1A_1 Description: MOSFET P-CH 40V 34A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): -40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1583 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.30 грн
10+42.13 грн
100+37.93 грн
500+27.68 грн
1000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AM4300N AM4300N Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM4300N_1A_1 Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.73 грн
10+49.36 грн
100+44.44 грн
500+32.44 грн
1000+26.65 грн
2500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AM4356N AM4356N Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM4356N_1A_1 Description: MOSFET N-CH 150V 5.7A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 6.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 968 pF @ 15 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.65 грн
10+46.38 грн
100+41.75 грн
500+30.47 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AM4362N AM4362N Analog Power Inc. AM4362N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2042 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
12+26.33 грн
100+23.70 грн
500+17.30 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM4392N AM4392N Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM4392N_1A_1 Description: MOSFET N-CH 150V 2.9A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 15 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.85 грн
10+40.40 грн
100+36.36 грн
500+26.54 грн
1000+21.80 грн
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM4394N AM4394N Analog Power Inc. AM4394N.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 6.5A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4388 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+34.43 грн
100+30.97 грн
500+22.61 грн
1000+18.57 грн
2500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AM4400N AM4400N Analog Power Inc. Description: MOSFET N-CH 60V 5.1A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM4402N AM4402N Analog Power Inc. datasheet.php?data1=DS_AM4402N_1A_1 Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.67 грн
22+14.93 грн
100+13.46 грн
500+9.83 грн
1000+8.07 грн
2500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AM4407P AM4407P Analog Power Inc. AM4407P.pdf Description: MOSFET P-CH -30V 15A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441 pF @ 15 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
AM4407P-CT AM4407P-CT Analog Power Inc. AM4407P.pdf Description: MOSFET P-CH -30V 15A SOIC-8
Packaging: Strip
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441 pF @ 15 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.90 грн
11+29.01 грн
100+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM4407PE AM4407PE Analog Power Inc. datasheet.php?part=AM4407PE Description: MOSFET P-CH 30V 16A SO-8
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM4417P AM4417P Analog Power Inc. AM4417P.pdf Description: MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9258 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AM4417P-CT AM4417P-CT Analog Power Inc. AM4417P.pdf Description: MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8
Packaging: Strip
Package / Case: SOIC-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9258 pF @ 15 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+34.82 грн
100+31.32 грн
500+22.86 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AM4431P-CT AM4431P-CT Analog Power Inc. AM4431P.pdf Description: MOSFET P-CH -30V 21A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: SOIC-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.71 грн
10+55.10 грн
100+49.59 грн
500+36.20 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002-CT 2N7002-5318.pdf
2N7002-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.28 грн
13+25.39 грн
100+15.26 грн
500+13.25 грн
1000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ADC3D10065I ADC3D10065I.pdf
ADC3D10065I
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 200V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.36 грн
50+391.34 грн
100+350.14 грн
500+289.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120A ADC4D10120A.pdf
ADC4D10120A
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 1200V 33A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120D ADC4D10120D.pdf
ADC4D10120D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 1200V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+951.78 грн
10+806.80 грн
100+697.80 грн
500+593.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120E ADC4D10120E.pdf
ADC4D10120E
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 1200V 33A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D10120H ADC4D10120H.pdf
ADC4D10120H
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 1200V 31.5A TO247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 31.5A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADC4D20120H ADC4D20120H.pdf
ADC4D20120H
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1772.96 грн
10+1517.07 грн
100+1326.93 грн
500+1062.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADC6D10065A ADC6D10065A.pdf
ADC6D10065A
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 650V 37A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADC6D10065E ADC6D10065E.pdf
ADC6D10065E
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 650V 35A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADC6D10065G ADC6D10065G.pdf
ADC6D10065G
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL SIC 650V 36A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6.3pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADE4D20120D ADE4D20120D.pdf
ADE4D20120D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1943.56 грн
10+1662.80 грн
100+1454.35 грн
500+1164.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ADE4D20120G ADE4D20120G.pdf
ADE4D20120G
Виробник: Analog Power Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 0V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1694.60 грн
10+1450.57 грн
100+1268.70 грн
500+1016.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AM10N20-400D datasheet.php?data1=DS_AM10N20-400D_1C_1
AM10N20-400D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 15 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.96 грн
10+37.42 грн
100+33.68 грн
500+24.59 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM10N50-380D datasheet.php?part=AM10N50-380D
AM10N50-380D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.81 грн
12+26.25 грн
100+23.64 грн
500+17.25 грн
1000+14.17 грн
2500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM12N65P datasheet.php?part=AM12N65P
AM12N65P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2691 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM12N70P datasheet.php?part=AM12N70P
AM12N70P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2748 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM140N03-03D datasheet.php?part=AM140N03-03D
AM140N03-03D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 15 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.04 грн
10+40.09 грн
100+36.07 грн
500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM14N65P datasheet.php?data1=DS_AM14N65P_1A_1
AM14N65P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3469 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-115D datasheet.php?data1=DS_AM20N10-115D_1A_1
AM20N10-115D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1622 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.26 грн
12+27.59 грн
100+24.80 грн
500+18.10 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-130D datasheet.php?data1=DS_AM20N10-130D_1A_1
AM20N10-130D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.61 грн
10+58.01 грн
100+52.20 грн
500+38.10 грн
1000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-160D datasheet.php?data1=DS_AM20N10-160D_1A_1
AM20N10-160D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-250D datasheet.php?data1=DS_AM20N10-250D_1A_1
AM20N10-250D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 11.6A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.90 грн
11+29.01 грн
100+26.10 грн
500+19.05 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM20N10-52PF datasheet.php?data1=DS_AM20N10-52PF_1A_1
AM20N10-52PF
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO-220CFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.99 грн
50+92.60 грн
100+73.39 грн
500+58.38 грн
1000+47.55 грн
2000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AM2301P datasheet.php?data1=DS_AM2301P_1A_1
AM2301P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -20V 2.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.77 грн
27+12.03 грн
100+10.79 грн
500+7.88 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
AM2304N datasheet.php?part=AM2304N
AM2304N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
17+18.87 грн
100+16.96 грн
500+12.38 грн
1000+10.17 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AM2305PE AM2305PE.pdf
AM2305PE
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.61 грн
47+6.76 грн
100+6.11 грн
500+4.46 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
AM2306N datasheet.php?part=AM2306N
AM2306N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.98 грн
56+5.66 грн
100+5.10 грн
500+3.72 грн
1000+3.06 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
AM2306NE datasheet.php?part=AM2306NE
AM2306NE
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.59 грн
26+12.42 грн
100+11.19 грн
500+8.17 грн
1000+6.71 грн
3000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
AM2329P datasheet.php?part=AM2329P
AM2329P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -30V 2.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.06 грн
38+8.33 грн
100+7.47 грн
500+5.45 грн
1000+4.47 грн
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AM2336N AM2336N.pdf
AM2336N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-59, SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.54 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AM2336N-CT AM2336N.pdf
AM2336N-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 15 V
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.61 грн
46+6.84 грн
100+6.13 грн
500+4.48 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
AM2340NE datasheet.php?part=AM2340NE
AM2340NE
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
25+13.05 грн
100+11.74 грн
500+8.57 грн
1000+7.04 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AM2343P datasheet.php?data1=DS_AM2343P_1A_2
AM2343P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -30V 3.9A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
30+10.53 грн
100+9.50 грн
500+6.94 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AM2358NE
AM2358NE
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.96 грн
28+11.32 грн
100+10.16 грн
500+7.42 грн
1000+6.10 грн
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AM2362N datasheet.php?part=AM2362N
AM2362N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 5.7A SOT-23
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
17+18.87 грн
100+16.96 грн
500+12.38 грн
1000+10.17 грн
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AM2370N datasheet.php?part=AM2370N
AM2370N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A DFN5X6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 332 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.86 грн
22+14.46 грн
100+13.05 грн
500+9.53 грн
1000+7.83 грн
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AM2374N datasheet.php?part=AM2374N
AM2374N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1573 pF @ 15 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
13+24.92 грн
100+22.39 грн
500+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AM2N60B datasheet.php?part=AM2N60B
AM2N60B
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-263
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM30N06-39D datasheet.php?part=AM30N06-39D
AM30N06-39D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 15 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.79 грн
10+31.91 грн
100+28.71 грн
500+20.96 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AM320N06-02P datasheet.php?data1=DS_AM320N06-02P_1A_1
AM320N06-02P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 230A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 230A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13147 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.26 грн
50+94.31 грн
100+75.97 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AM3457P datasheet.php?data1=DS_AM3457P_C
AM3457P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSOP-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM3467P datasheet.php?data1=DS_AM3467P_1A_1
AM3467P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 5A TSOP-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 15 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.77 грн
27+12.03 грн
100+10.79 грн
500+7.88 грн
1000+6.47 грн
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N04-30D datasheet.php?data1=DS_AM40N04-30D_1A_1
AM40N04-30D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 33A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 15 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.00 грн
13+25.47 грн
100+22.93 грн
500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N08-30D datasheet.php?data1=DS_AM40N08-30D_1Arev1
AM40N08-30D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 36A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1216 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.90 грн
11+28.69 грн
100+25.79 грн
500+18.83 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N10-30D datasheet.php?part=AM40N10-30D
AM40N10-30D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1216 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.40 грн
10+38.52 грн
100+34.70 грн
500+25.33 грн
1000+20.80 грн
2500+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM40N20-180P datasheet.php?part=AM40N20-180P
AM40N20-180P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 15 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.20 грн
50+84.59 грн
100+68.14 грн
500+55.13 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AM40P04-20D datasheet.php?data1=DS_AM40P04-20D_1A_1
AM40P04-20D
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 34A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): -40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1583 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.30 грн
10+42.13 грн
100+37.93 грн
500+27.68 грн
1000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AM4300N datasheet.php?data1=DS_AM4300N_1A_1
AM4300N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.73 грн
10+49.36 грн
100+44.44 грн
500+32.44 грн
1000+26.65 грн
2500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AM4356N datasheet.php?data1=DS_AM4356N_1A_1
AM4356N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 5.7A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 6.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 968 pF @ 15 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.65 грн
10+46.38 грн
100+41.75 грн
500+30.47 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AM4362N AM4362N.pdf
AM4362N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 19A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2042 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.81 грн
12+26.33 грн
100+23.70 грн
500+17.30 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM4392N datasheet.php?data1=DS_AM4392N_1A_1
AM4392N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 2.9A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 15 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.85 грн
10+40.40 грн
100+36.36 грн
500+26.54 грн
1000+21.80 грн
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AM4394N AM4394N.pdf
AM4394N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 6.5A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4388 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.87 грн
10+34.43 грн
100+30.97 грн
500+22.61 грн
1000+18.57 грн
2500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AM4400N
AM4400N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 5.1A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 15 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM4402N datasheet.php?data1=DS_AM4402N_1A_1
AM4402N
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 7.4A SO-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.67 грн
22+14.93 грн
100+13.46 грн
500+9.83 грн
1000+8.07 грн
2500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AM4407P AM4407P.pdf
AM4407P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -30V 15A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441 pF @ 15 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
AM4407P-CT AM4407P.pdf
AM4407P-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -30V 15A SOIC-8
Packaging: Strip
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441 pF @ 15 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.90 грн
11+29.01 грн
100+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AM4407PE datasheet.php?part=AM4407PE
AM4407PE
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 16A SO-8
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AM4417P AM4417P.pdf
AM4417P
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9258 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AM4417P-CT AM4417P.pdf
AM4417P-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8
Packaging: Strip
Package / Case: SOIC-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9258 pF @ 15 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.87 грн
10+34.82 грн
100+31.32 грн
500+22.86 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AM4431P-CT AM4431P.pdf
AM4431P-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -30V 21A SOIC-8
Packaging: Bulk
Package / Case: SOIC-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.71 грн
10+55.10 грн
100+49.59 грн
500+36.20 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]