Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > Всі товари виробника CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP (7817) > Сторінка 33 з 131
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CMPZ5244B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5245B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5246B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5247B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5251B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5252B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5253B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5254B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5255B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5256B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CMPZ5257B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5258B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5259B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5260B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5261B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5262B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5264B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5265B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5266B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMPZ5267B TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMRDM3575 TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMSD2836 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMSD2838 TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMST5089 TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMXD2004TO TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-26 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMXD4448 TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CMXDM7002A TR | Central Semiconductor Corp |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP127-2N6301-CT5 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CP191V-2N2222A-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP206-2N4393-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: Die Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 1.8 W Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP210-2N4416-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP305-2N3019-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CP310-MPSA42-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP336V-2N5551-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP396V-2N2369A-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CP527-2N6299-CT5 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CP591X-2N2907A-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CP710V-MPSA92-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CP736V-2N5401-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CP788X-2N5087-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CPD16-CMR1U06M-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CPD24-CMR1F06M-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CPD69-CMR1-06M-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CPD76X-1N5817-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
CPD83V-1N4148-CT20 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CBR1-D010 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1-D020 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1-D040 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1-D060 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1-D080 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1-D080S | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1-D100 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CBR1F-D020 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
3SMC13A TR13 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
1SMB22CA TR13 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
1SMB22CA TR13 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
CPD76X-1N5817-CT | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=400 Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
MJE520 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
MPSA56 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CUDD16-08C TR13 | Central Semiconductor Corp |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
CMPZ5244B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 14V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 14V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5245B TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 15V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 15V 350MW SOT23
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMPZ5246B TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 16V 350MW SOT23
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Description: DIODE ZENER 16V 350MW SOT23
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 17 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMPZ5247B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 17V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 17V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5251B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 22V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 22V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5252B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 24V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 24V 350MW SOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5253B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 25V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 25V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5254B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 27V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 27V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5255B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 28V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 28V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5256B TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 30V 350MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
Description: DIODE ZENER 30V 350MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.95 грн |
6000+ | 6.03 грн |
15000+ | 5.36 грн |
CMPZ5257B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 33V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 33V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5258B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 36V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 36V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5259B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 39V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 39V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5260B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5261B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 47V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 47V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5262B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 51V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 51V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5264B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 60V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 60V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5265B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 62V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 62V 350MW SOT23
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMPZ5266B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 68V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 68V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMPZ5267B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 75V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 75V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CMRDM3575 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMSD2836 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMSD2838 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMST5089 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT323
Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMXD2004TO TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Description: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMXD4448 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.25A SOT26
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.25A SOT26
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CMXDM7002A TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP127-2N6301-CT5 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A DIE 1=5PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A DIE 1=5PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3936.63 грн |
CP191V-2N2222A-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Description: TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP206-2N4393-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: JFET N-CH 40V 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 1.8 W
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 40V 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 1.8 W
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP210-2N4416-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS JFET NCH 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Description: TRANS JFET NCH 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP305-2N3019-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 80V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS NPN 80V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9846.69 грн |
10+ | 9045.31 грн |
CP310-MPSA42-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP336V-2N5551-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Description: TRANS NPN 160V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP396V-2N2369A-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 15V 0.2A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Description: TRANS NPN 15V 0.2A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9805.87 грн |
CP527-2N6299-CT5 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP DARL 80V 8A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS PNP DARL 80V 8A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5257.74 грн |
10+ | 3921.98 грн |
CP591X-2N2907A-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CP710V-MPSA92-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9042.88 грн |
10+ | 8307.33 грн |
CP736V-2N5401-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 150V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Description: TRANS PNP 150V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9042.88 грн |
CP788X-2N5087-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 50V 0.05A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Description: TRANS PNP 50V 0.05A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CPD16-CMR1U06M-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9560.17 грн |
10+ | 8782.64 грн |
CPD24-CMR1F06M-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11774.58 грн |
CPD69-CMR1-06M-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9042.88 грн |
10+ | 8307.33 грн |
CPD76X-1N5817-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CPD83V-1N4148-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GP 100V 200MA DIE 1=20
Description: DIODE GP 100V 200MA DIE 1=20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12021.06 грн |
CBR1-D010 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 100V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 100V 4DIP
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1-D020 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 200V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 200V 4DIP
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1-D040 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 400V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 400V 4DIP
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1-D060 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 600V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 600V 4DIP
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1-D080 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4DIP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1-D080S |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4SMDIP
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4SMDIP
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1-D100 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 1KV 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 1KV 4DIP
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CBR1F-D020 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 200V A CASE
Description: RECT BRIDGE 1A 200V A CASE
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
3SMC13A TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
1SMB22CA TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
1SMB22CA TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
CPD76X-1N5817-CT |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=400
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=400
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MJE520 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MPSA56 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.95 грн |
10+ | 32.96 грн |
100+ | 21.28 грн |
500+ | 15.22 грн |
1000+ | 13.69 грн |
2500+ | 12.04 грн |
CUDD16-08C TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DPAK
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DPAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.