Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > Всі товари виробника CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP (7912) > Сторінка 33 з 132
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CMPZ5255B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 28V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5256B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 30V 350MW SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CMPZ5257B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 33V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5258B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 36V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5259B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 39V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5260B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5261B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 47V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5262B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 51V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5264B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 60V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5265B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 62V 350MW SOT23 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5266B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 68V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMPZ5267B TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ZENER 75V 350MW SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMRDM3575 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT963 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CMSD2836 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMSD2838 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMST5089 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CMXD2004TO TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT-26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-26 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMXD4448 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.25A SOT26 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CMXDM7002A TR | Central Semiconductor Corp |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP127-2N6301-CT5 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A DIE 1=5PCSPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CP191V-2N2222A-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCSPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP206-2N4393-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: JFET N-CH 40V 1=20PCSPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: Die Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 1.8 W Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP210-2N4416-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS JFET NCH 1=20PCSPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP305-2N3019-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 80V 1A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CP310-MPSA42-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP336V-2N5551-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP396V-2N2369A-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CP527-2N6299-CT5 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP DARL 80V 8A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CP591X-2N2907A-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP710V-MPSA92-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CP736V-2N5401-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CP788X-2N5087-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 50V 0.05A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: Die Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CPD16-CMR1U06M-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCSPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CPD24-CMR1F06M-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCSPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CPD69-CMR1-06M-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CPD76X-1N5817-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIEPackaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CPD83V-1N4148-CT20 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GP 100V 200MA DIE 1=20 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CBR1-D010 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 100V 4DIP |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1-D020 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 200V 4DIP |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1-D040 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 400V 4DIP |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1-D060 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 600V 4DIP |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1-D080 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4DIP |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1-D080S | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4SMDIP |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1-D100 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 1KV 4DIP |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CBR1F-D020 | Central Semiconductor Corp |
Description: RECT BRIDGE 1A 200V A CASE |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
3SMC13A TR13 | Central Semiconductor Corp |
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
1SMB22CA TR13 | Central Semiconductor Corp |
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
1SMB22CA TR13 | Central Semiconductor Corp |
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CPD76X-1N5817-CT | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=400 Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE520 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
MPSA56 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CUDD16-08C TR13 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DPAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CUDD8-02 TR13 | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
CXT2222A TR | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89 |
на замовлення 5540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CXT3019 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CXT3904 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 17814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CXT4033 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.2 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
CXT5551 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 8834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
CXTA14 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
CXTA27 TR | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CMPZ5255B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 28V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 28V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5256B TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 30V 350MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
Description: DIODE ZENER 30V 350MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 49 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.23 грн |
| 6000+ | 6.27 грн |
| 15000+ | 5.57 грн |
| CMPZ5257B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 33V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 33V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5258B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 36V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 36V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5259B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 39V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 39V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5260B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5261B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 47V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 47V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5262B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 51V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 51V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5264B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 60V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 60V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5265B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 62V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 62V 350MW SOT23
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMPZ5266B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 68V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 68V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMPZ5267B TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ZENER 75V 350MW SOT23
Description: DIODE ZENER 75V 350MW SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CMRDM3575 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMSD2836 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMSD2838 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMST5089 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT323
Description: TRANS NPN 30V 50MA SOT323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMXD2004TO TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
Description: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-26
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 240 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 240 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMXD4448 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.25A SOT26
Description: DIODE SWITCHING 75V 0.25A SOT26
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CMXDM7002A TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP127-2N6301-CT5 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A DIE 1=5PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS NPN DARL 80V 8A DIE 1=5PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4095.22 грн |
| CP191V-2N2222A-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Description: TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP206-2N4393-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: JFET N-CH 40V 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 1.8 W
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 40V 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 1.8 W
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP210-2N4416-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS JFET NCH 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Description: TRANS JFET NCH 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP305-2N3019-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 80V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS NPN 80V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10243.37 грн |
| 10+ | 9409.71 грн |
| CP310-MPSA42-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Description: TRANS NPN 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP336V-2N5551-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Description: TRANS NPN 160V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP396V-2N2369A-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 15V 0.2A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Description: TRANS NPN 15V 0.2A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10200.90 грн |
| CP527-2N6299-CT5 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP DARL 80V 8A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Description: TRANS PNP DARL 80V 8A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5193.54 грн |
| 10+ | 3873.88 грн |
| CP591X-2N2907A-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Description: TRANS PNP 60V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP710V-MPSA92-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Description: TRANS PNP 300V 0.5A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9922.44 грн |
| 10+ | 8431.64 грн |
| CP736V-2N5401-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 150V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Description: TRANS PNP 150V 0.6A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CP788X-2N5087-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 50V 0.05A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Description: TRANS PNP 50V 0.05A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPD16-CMR1U06M-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9945.31 грн |
| 10+ | 9136.45 грн |
| CPD24-CMR1F06M-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GP 600V 1A DIE 1=20PCS
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12248.92 грн |
| CPD69-CMR1-06M-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9407.17 грн |
| 10+ | 8641.99 грн |
| CPD76X-1N5817-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPD83V-1N4148-CT20 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GP 100V 200MA DIE 1=20
Description: DIODE GP 100V 200MA DIE 1=20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12505.33 грн |
| CBR1-D010 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 100V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 100V 4DIP
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1-D020 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 200V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 200V 4DIP
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1-D040 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 400V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 400V 4DIP
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1-D060 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 600V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 600V 4DIP
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1-D080 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4DIP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1-D080S |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4SMDIP
Description: RECT BRIDGE 1A 800V 4SMDIP
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1-D100 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 1KV 4DIP
Description: RECT BRIDGE 1A 1KV 4DIP
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CBR1F-D020 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: RECT BRIDGE 1A 200V A CASE
Description: RECT BRIDGE 1A 200V A CASE
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 3SMC13A TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC
Description: TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1SMB22CA TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1SMB22CA TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CPD76X-1N5817-CT |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=400
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DIE 1=400
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJE520 |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MPSA56 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.08 грн |
| 10+ | 31.93 грн |
| 100+ | 20.57 грн |
| 500+ | 14.72 грн |
| 1000+ | 13.24 грн |
| 2500+ | 11.64 грн |
| CUDD16-08C TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DPAK
Description: DIODE GEN PURP 800V 16A DPAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CUDD8-02 TR13 |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CXT2222A TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CXT3019 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.16 грн |
| 10+ | 64.95 грн |
| 100+ | 43.23 грн |
| 500+ | 31.83 грн |
| CXT3904 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 17814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.06 грн |
| 10+ | 67.70 грн |
| 100+ | 44.95 грн |
| 500+ | 33.01 грн |
| CXT4033 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CXT5551 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.74 грн |
| 10+ | 82.49 грн |
| 100+ | 55.36 грн |
| 500+ | 41.05 грн |
| CXTA14 TR PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.59 грн |
| 10+ | 57.25 грн |
| 100+ | 39.60 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
| CXTA27 TR |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89
Description: TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.






