Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72697) > Сторінка 183 з 1212

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 242 363 484 605 726 847 968 1089 1210 1212  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3018LSD-13 DMC3018LSD-13 Diodes Incorporated ds31310.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3035LSD-13 DMC3035LSD-13 Diodes Incorporated ds31312.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3036LSD-13 DMC3036LSD-13 Diodes Incorporated DMC3036LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906-7-F DMMT3906-7-F Diodes Incorporated ds30293.pdf Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
6000+7.15 грн
9000+6.79 грн
15000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F Diodes Incorporated ds30436.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13 DMN3030LSS-13 Diodes Incorporated DMN3030LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM-7 DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated ds31345.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 DMN32D2LDF-7 Diodes Incorporated ds31238.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
6000+5.45 грн
9000+5.16 грн
15000+4.53 грн
21000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7 DMN32D2LV-7 Diodes Incorporated Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06T-7 DMN5L06T-7 Diodes Incorporated ds30721.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06V-7 DMN5L06V-7 Diodes Incorporated ds30604.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VA-7 DMN5L06VA-7 Diodes Incorporated ds30604.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06W-7 DMN5L06W-7 Diodes Incorporated ds30613.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated ds31373.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035LSS-13 DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated DMP3035LSS.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.62 грн
5000+15.19 грн
12500+14.10 грн
25000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated ds31420.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.23 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated ds31419.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.48 грн
5000+11.57 грн
7500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LSD-13 DMP3098LSD-13 Diodes Incorporated ds31448.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3100L-7 DMP3100L-7 Diodes Incorporated DMP3100L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP57D5UFB-7 DMP57D5UFB-7 Diodes Incorporated ds31274.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS160-7 DNLS160-7 Diodes Incorporated DNLS160.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS320A-7 DNLS320A-7 Diodes Incorporated DNLS320A.pdf Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS320E-13 DNLS320E-13 Diodes Incorporated ds31326.pdf Description: TRANS NPN 20V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 20mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.76 грн
5000+13.02 грн
7500+12.42 грн
12500+11.01 грн
17500+10.64 грн
25000+10.27 грн
62500+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Diodes Incorporated ds31231.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350Y-13 DNLS350Y-13 Diodes Incorporated 2DB1132Q-13_3.jpg Description: TRANS NPN 50V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.33 грн
5000+8.61 грн
12500+7.75 грн
25000+7.17 грн
62500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DPLS320A-7 DPLS320A-7 Diodes Incorporated DPLS320A.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPLS4140E-13 DPLS4140E-13 Diodes Incorporated ds31279.pdf Description: TRANS PNP 140V 4A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 DXT651-13 Diodes Incorporated ds31184.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT651-13 DZT651-13 Diodes Incorporated ds30809.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 125007500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DZT658-13 DZT658-13 Diodes Incorporated DZT658.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT751-13 DZT751-13 Diodes Incorporated ds31115.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT955-13 DZT955-13 Diodes Incorporated ds31280.pdf Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1008-F GBJ1008-F Diodes Incorporated ds21218.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1508-F GBJ1508-F Diodes Incorporated ds21219.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2008-F GBJ2008-F Diodes Incorporated GBJ20005%7EGBJ2010.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.19 грн
15+126.56 грн
105+92.94 грн
510+76.45 грн
1005+74.22 грн
2010+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2508-F GBJ2508-F Diodes Incorporated ds21221.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 69167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.63 грн
15+125.46 грн
105+92.38 грн
510+70.46 грн
1005+65.23 грн
2010+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ608-F GBJ608-F Diodes Incorporated ds21216.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ808-F GBJ808-F Diodes Incorporated ds21217.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1001 GBU1001 Diodes Incorporated ds30052.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.58 грн
20+88.70 грн
100+68.32 грн
500+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1004 GBU1004 Diodes Incorporated ds30052.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.58 грн
20+88.70 грн
100+68.32 грн
500+51.26 грн
1000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4005 GBU4005 Diodes Incorporated ds21225.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 8676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.78 грн
20+68.18 грн
100+59.69 грн
500+38.52 грн
1000+35.22 грн
2000+32.77 грн
5000+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402 GBU402 Diodes Incorporated ds21225.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.93 грн
20+67.15 грн
100+51.13 грн
500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6005 GBU6005 Diodes Incorporated ds21226.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.23 грн
20+92.70 грн
100+72.11 грн
500+57.37 грн
1000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU602 GBU602 Diodes Incorporated ds21226.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.43 грн
20+88.91 грн
100+68.15 грн
500+50.87 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ4005G KBJ4005G Diodes Incorporated ds21206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJ
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ402G KBJ402G Diodes Incorporated ds21206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.97 грн
20+53.89 грн
100+40.83 грн
500+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ404G KBJ404G Diodes Incorporated ds21206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBJ
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ406G KBJ406G Diodes Incorporated ds21206.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 34150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
20+63.65 грн
100+48.22 грн
500+35.49 грн
1000+31.35 грн
2000+29.70 грн
5000+26.40 грн
10000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ6005G KBJ6005G Diodes Incorporated ds21207.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ602G KBJ602G Diodes Incorporated ds21207.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ604G KBJ604G Diodes Incorporated ds21207.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ606G KBJ606G Diodes Incorporated ds21207.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.55 грн
10+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ608G KBJ608G Diodes Incorporated ds21207.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.20 грн
20+69.67 грн
100+64.54 грн
500+52.63 грн
1000+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ610G KBJ610G Diodes Incorporated ds21207.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.19 грн
20+70.08 грн
100+55.98 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148-7 LL4148-7 Diodes Incorporated LL4148%2CLL4448.pdf Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1030 MBR1030 Diodes Incorporated ds23009.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1030CT MBR1030CT Diodes Incorporated MBR1040CT-1060CT-I.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1035CT MBR1035CT Diodes Incorporated MBR1040CT-1060CT-I.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040 MBR1040 Diodes Incorporated ds23009.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040CT MBR1040CT Diodes Incorporated MBR1040CT-1060CT-I.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3018LSD-13 ds31310.pdf
DMC3018LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3035LSD-13 ds31312.pdf
DMC3035LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3036LSD-13 DMC3036LSD.pdf
DMC3036LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906-7-F ds30293.pdf
DMMT3906-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2PNP 40V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.16 грн
6000+7.15 грн
9000+6.79 грн
15000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F ds30436.pdf
DMMT5551S-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13 DMN3030LSS.pdf
DMN3030LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3033LDM-7 ds31345.pdf
DMN3033LDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LDF-7 ds31238.pdf
DMN32D2LDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-353
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.25 грн
6000+5.45 грн
9000+5.16 грн
15000+4.53 грн
21000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN32D2LV-7
DMN32D2LV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06T-7 ds30721.pdf
DMN5L06T-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06V-7 ds30604.pdf
DMN5L06V-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06VA-7 ds30604.pdf
DMN5L06VA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN5L06W-7 ds30613.pdf
DMN5L06W-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 ds31373.pdf
DMP2022LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035LSS-13 DMP3035LSS.pdf
DMP3035LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.62 грн
5000+15.19 грн
12500+14.10 грн
25000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 ds31420.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.23 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSS-13 ds31419.pdf
DMP3056LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.48 грн
5000+11.57 грн
7500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LSD-13 ds31448.pdf
DMP3098LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3100L-7 DMP3100L.pdf
DMP3100L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP57D5UFB-7 ds31274.pdf
DMP57D5UFB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS160-7 DNLS160.pdf
DNLS160-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 270MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS320A-7 DNLS320A.pdf
DNLS320A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS320E-13 ds31326.pdf
DNLS320E-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 20mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.76 грн
5000+13.02 грн
7500+12.42 грн
12500+11.01 грн
17500+10.64 грн
25000+10.27 грн
62500+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350E-13 ds31231.pdf
DNLS350E-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350Y-13 2DB1132Q-13_3.jpg
DNLS350Y-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.33 грн
5000+8.61 грн
12500+7.75 грн
25000+7.17 грн
62500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DPLS320A-7 DPLS320A.pdf
DPLS320A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPLS4140E-13 ds31279.pdf
DPLS4140E-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 140V 4A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DXT651-13 ds31184.pdf
DXT651-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT651-13 ds30809.pdf
DZT651-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 125007500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DZT658-13 DZT658.pdf
DZT658-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT751-13 ds31115.pdf
DZT751-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT955-13 ds31280.pdf
DZT955-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1008-F ds21218.pdf
GBJ1008-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1508-F ds21219.pdf
GBJ1508-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2008-F GBJ20005%7EGBJ2010.pdf
GBJ2008-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.19 грн
15+126.56 грн
105+92.94 грн
510+76.45 грн
1005+74.22 грн
2010+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2508-F ds21221.pdf
GBJ2508-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 69167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.63 грн
15+125.46 грн
105+92.38 грн
510+70.46 грн
1005+65.23 грн
2010+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ608-F ds21216.pdf
GBJ608-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ808-F ds21217.pdf
GBJ808-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1001 ds30052.pdf
GBU1001
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.58 грн
20+88.70 грн
100+68.32 грн
500+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1004 ds30052.pdf
GBU1004
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.58 грн
20+88.70 грн
100+68.32 грн
500+51.26 грн
1000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4005 ds21225.pdf
GBU4005
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 8676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.78 грн
20+68.18 грн
100+59.69 грн
500+38.52 грн
1000+35.22 грн
2000+32.77 грн
5000+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU402 ds21225.pdf
GBU402
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.93 грн
20+67.15 грн
100+51.13 грн
500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6005 ds21226.pdf
GBU6005
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.23 грн
20+92.70 грн
100+72.11 грн
500+57.37 грн
1000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU602 ds21226.pdf
GBU602
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.43 грн
20+88.91 грн
100+68.15 грн
500+50.87 грн
1000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ4005G ds21206.pdf
KBJ4005G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJ
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ402G ds21206.pdf
KBJ402G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.97 грн
20+53.89 грн
100+40.83 грн
500+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ404G ds21206.pdf
KBJ404G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBJ
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ406G ds21206.pdf
KBJ406G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 34150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.94 грн
20+63.65 грн
100+48.22 грн
500+35.49 грн
1000+31.35 грн
2000+29.70 грн
5000+26.40 грн
10000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ6005G ds21207.pdf
KBJ6005G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ602G ds21207.pdf
KBJ602G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ604G ds21207.pdf
KBJ604G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ606G ds21207.pdf
KBJ606G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.55 грн
10+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ608G ds21207.pdf
KBJ608G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.20 грн
20+69.67 грн
100+64.54 грн
500+52.63 грн
1000+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ610G ds21207.pdf
KBJ610G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.19 грн
20+70.08 грн
100+55.98 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148-7 LL4148%2CLL4448.pdf
LL4148-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STD 75V 150MA MINI MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: Mini MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1030 ds23009.pdf
MBR1030
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1030CT MBR1040CT-1060CT-I.pdf
MBR1030CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1035CT MBR1040CT-1060CT-I.pdf
MBR1035CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040 ds23009.pdf
MBR1040
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040CT MBR1040CT-1060CT-I.pdf
MBR1040CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 10A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 242 363 484 605 726 847 968 1089 1210 1212  [ Наступна Сторінка >> ]