Продукція > INFINEON (IRF) > Всі товари виробника INFINEON (IRF) (4) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF350 IRF350 Infineon (IRF) jantx2n6768.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Infineon (IRF) irfr2405.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC20UDPBF IRG4BC20UDPBF Infineon (IRF) irg4bc20ud.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 60W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30KDPBF IRG4BC30KDPBF Infineon (IRF) irg4bc30kd.pdf description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 100W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350 description jantx2n6768.pdf
IRF350
Виробник: Infineon (IRF)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405PBF description irfr2405.pdf
IRFR2405PBF
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 16mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC20UDPBF description irg4bc20ud.pdf
IRG4BC20UDPBF
Виробник: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 13A; 60W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 13A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC30KDPBF description irg4bc30kd.pdf
IRG4BC30KDPBF
Виробник: Infineon (IRF)
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 100W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.