Продукція > INTEGRA TECHNOLOGIES INC. > Всі товари виробника INTEGRA TECHNOLOGIES INC. (7) > Сторінка 1 з 1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGN0912LM500 | Integra Technologies Inc. |
 Description: RF MOSFETPackaging: Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IGN1011L1200 | Integra Technologies Inc. |
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IGN1011L70 | Integra Technologies Inc. |
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2 Packaging: Bulk Package / Case: PL32A2 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz Power - Output: 80W Gain: 22dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: PL32A2 Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 22 mA |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| IGN1214L500B | Integra Technologies Inc. |
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND |
товар відсутній |
||||||
| IGNP2729M1KW-GPS | Integra Technologies Inc. |
Description: GAN, RF POWER PALLET, S-BAND |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| IGT1112M90 | Integra Technologies Inc. |
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND Packaging: Tray Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||
| IGT2731M130 | Integra Technologies Inc. |
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| IGN0912LM500 |
|
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 44791.87 грн |
| IGN1011L1200 |
|
Виробник: Integra Technologies Inc.
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 62725.81 грн |
| IGN1011L70 |
|
Виробник: Integra Technologies Inc.
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Packaging: Bulk
Package / Case: PL32A2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Power - Output: 80W
Gain: 22dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: PL32A2
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 22 mA
Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Packaging: Bulk
Package / Case: PL32A2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Power - Output: 80W
Gain: 22dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: PL32A2
Voltage - Rated: 120 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 22 mA
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14629.4 грн |
| 10+ | 13492.72 грн |
| IGN1214L500B |
|
Виробник: Integra Technologies Inc.
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
товар відсутній
| IGNP2729M1KW-GPS |
|
Виробник: Integra Technologies Inc.
Description: GAN, RF POWER PALLET, S-BAND
Description: GAN, RF POWER PALLET, S-BAND
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 283870 грн |
| IGT1112M90 |
|
Виробник: Integra Technologies Inc.
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
Packaging: Tray
Part Status: Active
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
Packaging: Tray
Part Status: Active
товар відсутній
| IGT2731M130 |
|
Виробник: Integra Technologies Inc.
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)