Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IS64LPS25636A-166TQLA3 | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS25636A-200B3LI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS25636A-200B3LI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS25636A-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS25636A-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.5ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS25636B-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS25636B-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51218A-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51218B-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51218B-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51236B-200B3LI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51236B-200B3LI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51236B-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LPS51236B-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx36bit Access time: 3ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS63LV1024L-10TLI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS63LV1024L-10TLI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV25616AL-10BLI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV25616AL-10BLI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV25616AL-10TL | ISSI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV25616AL-10TL-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV256AL-10JLI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV256AL-10JLI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV256AL-10TLI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS62LV256AL-20TLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 20ns; TSOP28; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 3.3V Access time: 20ns Case: TSOP28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS62LV256AL-45TLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 45ns; TSOP28; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 3.3V Access time: 45ns Case: TSOP28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS62LV256AL-45ULI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 45ns; SOP28; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 3.3V Access time: 45ns Case: SOP28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61LV6416-10TLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Operating voltage: 3.3V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLF102418B-7.5TQLI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLF102436B-6.5TQLI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
IS61NLF12836A-7.5TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Operating temperature: -40...85°C Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
IS61NLF12836A-7.5TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Mounting: SMD Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 7.5ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Operating temperature: -40...85°C Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
IS61NLF25618A-7.5TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx18bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
IS61NLF25636A-7.5TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS61NLF25636B-7.5TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 7.5ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx36bit Access time: 7.5ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
IS61NLF51218A-7.5TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS61NLF51218B-7.5TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 7.5ns кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-200B3L | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Case: TFBGA165 кількість в упаковці: 144 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-200B3LI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA165 кількість в упаковці: 144 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-200B3LI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA165 кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Access time: 3ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 18Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-250B3L | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Operating voltage: 3.3V Access time: 2.6ns Case: TFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray; tube кількість в упаковці: 144 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102418B-250B3LI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Operating voltage: 3.3V Access time: 2.6ns Case: TFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube кількість в упаковці: 144 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102436B-200B3LI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP102436B-200TQLI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
IS61NLP12836B-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
IS61NLP12836B-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS61NLP12836EC-200B3LI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
IS61NLP204818B-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 2Mx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 36Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TQFP100 кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS61NLP204818B-250B3L | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 3.3V; 2.8ns; TFBGA165; 0÷70°C Operating temperature: 0...70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 2Mx18bit Access time: 2.8ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 36Mb SRAM Mounting: SMD Case: TFBGA165 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 144 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
IS61NLP204836B-166TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Access time: 3.8ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 72Mb SRAM кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS61NLP25618A-200B3LI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP25618A-200B3LI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
IS61NLP25618A-200TQLI | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
![]() |
IS61NLP25618A-200TQLI-TR | ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 256kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS61NLP25636A-200B3LI | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IS61NLP25636A-200B3LI-TR | ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IS64LPS25636A-166TQLA3 |
![]() |
Виробник: ISSI
LPS25636A166TQLA3 Parallel SRAM memories - integ. circ.
LPS25636A166TQLA3 Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS25636A-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
LPS25636A200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
LPS25636A200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS25636A-200B3LI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LPS25636A200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LPS25636A200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS25636A-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS25636A-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.5ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.5ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS25636B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS25636B-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51218A-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 3.1ns
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 3.1ns
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51218B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51218B-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51236B-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
LPS51236B200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
LPS51236B200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51236B-200B3LI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LPS51236B200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LPS51236B200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51236B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LPS51236B-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS63LV1024L-10TLI |
![]() |
Виробник: ISSI
LV1024L-10TLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV1024L-10TLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS63LV1024L-10TLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LV1024L-10TLI-TR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV1024L-10TLI-TR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV25616AL-10BLI |
![]() |
Виробник: ISSI
LV25616AL10BLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV25616AL10BLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV25616AL-10BLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LV25616AL10BLITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV25616AL10BLITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV25616AL-10TL | ![]() |
![]() |
Виробник: ISSI
LV25616AL10TL Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV25616AL10TL Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV25616AL-10TL-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LV25616AL10TLTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV25616AL10TLTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV256AL-10JLI |
![]() |
Виробник: ISSI
LV256AL-10JLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV256AL-10JLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV256AL-10JLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LV256AL-10JLI-TR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV256AL-10JLI-TR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV256AL-10TLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
LV256AL-10TLI-TR Parallel SRAM memories - integ. circ.
LV256AL-10TLI-TR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS62LV256AL-20TLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 20ns; TSOP28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 20ns
Case: TSOP28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 20ns; TSOP28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 20ns
Case: TSOP28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS62LV256AL-45TLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 45ns; TSOP28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 45ns
Case: TSOP28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 45ns; TSOP28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 45ns
Case: TSOP28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS62LV256AL-45ULI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 45ns; SOP28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 45ns
Case: SOP28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 3.3V; 45ns; SOP28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 45ns
Case: SOP28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61LV6416-10TLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF102418B-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLF102418B7.5TQLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLF102418B7.5TQLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF102436B-6.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLF102436B6.5TQLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLF102436B6.5TQLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF12836A-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF12836A-7.5TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF25618A-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx18bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx18bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF25636A-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF25636B-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Access time: 7.5ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF51218A-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF51218B-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 9Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx18bit
Access time: 7.5ns
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-200B3L |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Case: TFBGA165
кількість в упаковці: 144 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Case: TFBGA165
кількість в упаковці: 144 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TFBGA165
кількість в упаковці: 144 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TFBGA165
кількість в упаковці: 144 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-200B3LI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TFBGA165
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TFBGA165
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Access time: 3ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: QFP100
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-250B3L |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 2.6ns
Case: TFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray; tube
кількість в упаковці: 144 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 2.6ns
Case: TFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray; tube
кількість в упаковці: 144 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102418B-250B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 2.6ns
Case: TFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
кількість в упаковці: 144 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 3.3V; 2.6ns; TFBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 2.6ns
Case: TFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
кількість в упаковці: 144 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102436B-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP102436B200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP102436B200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP102436B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP102436B200TQLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP102436B200TQLI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP12836B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP12836B-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP12836EC-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP12836EC200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP12836EC200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP12836EC200B3LIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP12836EC200B3LIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP204818B-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 36Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 36Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP204818B-250B3L |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 3.3V; 2.8ns; TFBGA165; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx18bit
Access time: 2.8ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 36Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TFBGA165
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 144 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 3.3V; 2.8ns; TFBGA165; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx18bit
Access time: 2.8ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 36Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: TFBGA165
Operating voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 144 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP204836B-166TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Access time: 3.8ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Access time: 3.8ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP25618A-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP25618A200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP25618A200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP25618A-200B3LI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP25618A200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP25618A200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP25618A-200TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 72 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP25618A-200TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx18bit
Access time: 3.1ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 4.5Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP25636A-200B3LI |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP25636A200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP25636A200B3LI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IS61NLP25636A-200B3LI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
NLP25636A200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
NLP25636A200B3LITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.