Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1616) > Сторінка 21 з 27

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LGE206 LUGUANG ELECTRONIC LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE208 LUGUANG ELECTRONIC LGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210 LUGUANG ELECTRONIC LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC LGE2300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC LGE2300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
115+3.58 грн
140+2.78 грн
385+2.37 грн
1055+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.30 грн
100+3.46 грн
385+2.84 грн
1055+2.69 грн
3000+2.64 грн
12000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC LGE2302-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
58+5.19 грн
370+2.94 грн
1010+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
68+4.42 грн
400+2.71 грн
1095+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305v2.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.88 грн
65+6.33 грн
105+3.81 грн
315+2.94 грн
860+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC LGE2305v2.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+11.86 грн
40+7.89 грн
100+4.57 грн
315+3.52 грн
860+3.33 грн
12000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.74 грн
85+4.54 грн
250+4.08 грн
260+3.53 грн
715+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.29 грн
55+5.66 грн
250+4.90 грн
260+4.24 грн
715+4.01 грн
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D02120F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D02120F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D05120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D05120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065N.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065N.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065E LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065G LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10170H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10170H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D15065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D15065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120D.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120D.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20120H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D20170H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30120D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D40065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D40120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D42090H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D42090H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D50120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D50120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M14120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M14120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120E LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M18120Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M18120Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M1K170B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M1K170B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M20120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M20120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M25120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M25120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M28065Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M28065Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M30065B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M30065B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M30065Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M30065Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M35065Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M35065Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M35120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M35120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40065B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M40065B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE206
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE208
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300.pdf
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300.pdf
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
115+3.58 грн
140+2.78 грн
385+2.37 грн
1055+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LGE2301.pdf
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.30 грн
100+3.46 грн
385+2.84 грн
1055+2.69 грн
3000+2.64 грн
12000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2302-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
58+5.19 грн
370+2.94 грн
1010+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
68+4.42 грн
400+2.71 грн
1095+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305v2.pdf
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+9.88 грн
65+6.33 грн
105+3.81 грн
315+2.94 грн
860+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305v2.pdf
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+11.86 грн
40+7.89 грн
100+4.57 грн
315+3.52 грн
860+3.33 грн
12000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.74 грн
85+4.54 грн
250+4.08 грн
260+3.53 грн
715+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.29 грн
55+5.66 грн
250+4.90 грн
260+4.24 грн
715+4.01 грн
3000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D02120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D02120F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D05120A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D05120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D06065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D06065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LGE3D06065N.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LGE3D06065N.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065E
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065G
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10170H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10170H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D15065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D15065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D20065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D20065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D20065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LGE3D20120A.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LGE3D20120A.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LGE3D20120D.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LGE3D20120D.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LGE3D20120H.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LGE3D20120H.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D20170H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065D
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30065D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120D
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30120D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40065H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D40065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40120H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D40120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D42090H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D42090H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D50120H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D50120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M14120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M14120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120E
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q LGE3M18120Q.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M18120Q LGE3M18120Q.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 220A; 428W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Power dissipation: 428W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 235nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M1K170B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M1K170B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M20120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M20120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M25120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M25120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M28065Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M28065Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M30065B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M30065Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M35065Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35065Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M35120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M40065B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]