Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > Всі товари виробника LUGUANG ELECTRONIC (1631) > Сторінка 21 з 28

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KTC3875 KTC3875 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Current gain: 70...700
Frequency: 80MHz
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.53 грн
130+3.19 грн
250+2.87 грн
360+2.55 грн
980+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2005 LUGUANG ELECTRONIC LGE2005-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LGE201 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Electrical mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: D3K
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
37+11.39 грн
55+7.05 грн
100+6.28 грн
380+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201 LGE201 LUGUANG ELECTRONIC Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Electrical mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: D3K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.67 грн
33+8.79 грн
100+7.54 грн
380+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
LGE202 LUGUANG ELECTRONIC LGE202-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE204 LUGUANG ELECTRONIC LGE204-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE206 LUGUANG ELECTRONIC LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE208 LUGUANG ELECTRONIC LGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210 LUGUANG ELECTRONIC LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+3.14 грн
160+2.64 грн
420+2.18 грн
1160+2.06 грн
12000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+3.76 грн
100+3.29 грн
420+2.61 грн
1160+2.47 грн
12000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
64+4.71 грн
370+2.94 грн
1010+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
110+3.80 грн
125+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.56 грн
100+3.71 грн
385+2.81 грн
1060+2.66 грн
12000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304 LUGUANG ELECTRONIC LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
68+4.43 грн
400+2.71 грн
1095+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.41 грн
65+6.04 грн
110+3.62 грн
325+2.80 грн
890+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.29 грн
40+7.53 грн
100+4.35 грн
325+3.36 грн
890+3.17 грн
12000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.76 грн
85+4.55 грн
250+4.09 грн
260+3.54 грн
715+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC LGE2312.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+9.31 грн
55+5.67 грн
250+4.91 грн
260+4.25 грн
715+4.02 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D02120F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D02120F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D05120A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D05120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065N.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LUGUANG ELECTRONIC LGE3D06065N.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065E LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065F LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065G LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10170H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D10170H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D15065A LUGUANG ELECTRONIC LGE3D15065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59119548E9D80D6&compId=LGE3D20065A.pdf?ci_sign=8898ff6acb584a41be0b3f1e4f3951bfa57ac071 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 250uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59119548E9D80D6&compId=LGE3D20065A.pdf?ci_sign=8898ff6acb584a41be0b3f1e4f3951bfa57ac071 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 250uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5917615FA7D00D6&compId=LGE3D20065D.pdf?ci_sign=e92352267ed66fe7d27bdb9d15f91c5e6e274e52 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 10µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5917615FA7D00D6&compId=LGE3D20065D.pdf?ci_sign=e92352267ed66fe7d27bdb9d15f91c5e6e274e52 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 10µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5913B13096C80D6&compId=LGE3D20065H.pdf?ci_sign=da15ef34aab039771bebe9bdee41b1e53bba1b9e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 250uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5913B13096C80D6&compId=LGE3D20065H.pdf?ci_sign=da15ef34aab039771bebe9bdee41b1e53bba1b9e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 250uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5A84A03AC3EA0D6&compId=LGE3D20170H.pdf?ci_sign=1ab05e3b7d457f430f1b55ff5d5922c6c91102de Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 50µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5A84A03AC3EA0D6&compId=LGE3D20170H.pdf?ci_sign=1ab05e3b7d457f430f1b55ff5d5922c6c91102de Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 50µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591881D889960D6&compId=LGE3D30065D.pdf?ci_sign=f79625a0a2e961b8d14365f4dcb4740cf568608a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065D LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591881D889960D6&compId=LGE3D30065D.pdf?ci_sign=f79625a0a2e961b8d14365f4dcb4740cf568608a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59147E3F85A40D6&compId=LGE3D30065H.pdf?ci_sign=3d953d20f4ad4a0818229449c33985135ccf61ae Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065H LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59147E3F85A40D6&compId=LGE3D30065H.pdf?ci_sign=3d953d20f4ad4a0818229449c33985135ccf61ae Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120D LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30120D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D30120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40065H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D40065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D40120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D42090H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D42090H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D50120H LUGUANG ELECTRONIC LGE3D50120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M14120Q LUGUANG ELECTRONIC LGE3M14120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120B LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120E LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTC3875 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA3A354821D88C0D6&compId=KTC3875.pdf?ci_sign=6d10af42bf851c448c955217152c60f0e37d1cf7
KTC3875
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Current gain: 70...700
Frequency: 80MHz
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.53 грн
130+3.19 грн
250+2.87 грн
360+2.55 грн
980+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2005
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2005-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Electrical mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: D3K
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
37+11.39 грн
55+7.05 грн
100+6.28 грн
380+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
LGE201
LGE201
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 2A; Ifsm: 60A; flat
Electrical mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: D3K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.67 грн
33+8.79 грн
100+7.54 грн
380+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
LGE202
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE202-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE204
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE204-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE206
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE206-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE208
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE208-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE210
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE210-LGE Flat single phase diode bridge rectif.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+3.14 грн
160+2.64 грн
420+2.18 грн
1160+2.06 грн
12000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2300 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca
LGE2300
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+3.76 грн
100+3.29 грн
420+2.61 грн
1160+2.47 грн
12000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2301
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2301-LGE SMD P channel transistors
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
64+4.71 грн
370+2.94 грн
1010+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
110+3.80 грн
125+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2302 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d
LGE2302
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.56 грн
100+3.71 грн
385+2.81 грн
1060+2.66 грн
12000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2304
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304-LGE SMD N channel transistors
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
68+4.43 грн
400+2.71 грн
1095+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+9.41 грн
65+6.04 грн
110+3.62 грн
325+2.80 грн
890+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2305 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782
LGE2305
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+11.29 грн
40+7.53 грн
100+4.35 грн
325+3.36 грн
890+3.17 грн
12000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.76 грн
85+4.55 грн
250+4.09 грн
260+3.54 грн
715+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
LGE2312 LGE2312.pdf
LGE2312
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.31 грн
55+5.67 грн
250+4.91 грн
260+4.25 грн
715+4.02 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D02120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D02120F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D05120A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D05120A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D06065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D06065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065G
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D06065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LGE3D06065N.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D06065N LGE3D06065N.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 60µA
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065E
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065F SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065G
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065G SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10065H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D10170H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D10170H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D15065A
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D15065A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59119548E9D80D6&compId=LGE3D20065A.pdf?ci_sign=8898ff6acb584a41be0b3f1e4f3951bfa57ac071
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 250uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59119548E9D80D6&compId=LGE3D20065A.pdf?ci_sign=8898ff6acb584a41be0b3f1e4f3951bfa57ac071
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 250uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5917615FA7D00D6&compId=LGE3D20065D.pdf?ci_sign=e92352267ed66fe7d27bdb9d15f91c5e6e274e52
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 10µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5917615FA7D00D6&compId=LGE3D20065D.pdf?ci_sign=e92352267ed66fe7d27bdb9d15f91c5e6e274e52
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 10µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5913B13096C80D6&compId=LGE3D20065H.pdf?ci_sign=da15ef34aab039771bebe9bdee41b1e53bba1b9e
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 250uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5913B13096C80D6&compId=LGE3D20065H.pdf?ci_sign=da15ef34aab039771bebe9bdee41b1e53bba1b9e
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 250uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 0.25mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591227F65B440D6&compId=LGE3D20120A.pdf?ci_sign=989cac16f0d5163de5eecbbee8d9ff99aa389899
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; Ir: 50uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5A84A03AC3EA0D6&compId=LGE3D20170H.pdf?ci_sign=1ab05e3b7d457f430f1b55ff5d5922c6c91102de
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 50µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D20170H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5A84A03AC3EA0D6&compId=LGE3D20170H.pdf?ci_sign=1ab05e3b7d457f430f1b55ff5d5922c6c91102de
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 50µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591881D889960D6&compId=LGE3D30065D.pdf?ci_sign=f79625a0a2e961b8d14365f4dcb4740cf568608a
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB591881D889960D6&compId=LGE3D30065D.pdf?ci_sign=f79625a0a2e961b8d14365f4dcb4740cf568608a
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59147E3F85A40D6&compId=LGE3D30065H.pdf?ci_sign=3d953d20f4ad4a0818229449c33985135ccf61ae
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59147E3F85A40D6&compId=LGE3D30065H.pdf?ci_sign=3d953d20f4ad4a0818229449c33985135ccf61ae
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120D
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30120D THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D30120H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D30120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40065H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D40065H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D40120H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D40120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D42090H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D42090H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3D50120H
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3D50120H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M14120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M14120Q THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120B
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120B THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGE3M160120E
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]