Продукція > MGT BRIGHTEK > Всі товари виробника MGT BRIGHTEK (4) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GPT65C0YME MGT BRIGHTEK GPT65Z3YMR.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 31A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPT65Z4YMR MGT BRIGHTEK GPT65Z4YMR.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 80A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 67.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT8005B UT8005B MGT BRIGHTEK UT8005B.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6V; 12.5A; bidirectional; 0201; reel,tape
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Capacitance: 15pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 12.5A
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
125+3.42 грн
500+3.28 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
UT817ZB UT817ZB MGT BRIGHTEK UT817ZB.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6V; 4A; bidirectional; 0201; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.18pF
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
75+8.06 грн
100+7.15 грн
500+6.90 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
GPT65C0YME GPT65Z3YMR.PDF
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 31A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GPT65Z4YMR GPT65Z4YMR.PDF
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 80A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 67.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT8005B UT8005B.pdf
UT8005B
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6V; 12.5A; bidirectional; 0201; reel,tape
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Capacitance: 15pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 12.5A
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.42 грн
500+3.28 грн
1000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
UT817ZB UT817ZB.pdf
UT817ZB
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6V; 4A; bidirectional; 0201; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.18pF
на замовлення 11150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+8.06 грн
100+7.15 грн
500+6.90 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.