Продукція > MGT BRIGHTEK > Всі товари виробника MGT BRIGHTEK (17) > Сторінка 1 з 1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AA36F | MGT BRIGHTEK |
AA36F-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AA40F-5 | MGT BRIGHTEK |
AA40F-5-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AB30S | MGT BRIGHTEK |
AB30S-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 346 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AB37S | MGT BRIGHTEK |
AB37S-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AB38S | MGT BRIGHTEK |
AB38S-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AB42S | MGT BRIGHTEK |
AB42S-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AB45S | MGT BRIGHTEK |
AB45S-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| AB47S | MGT BRIGHTEK |
AB47S-MGT Optocouplers - analog output |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GPT65C0YME | MGT BRIGHTEK |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 31A Case: DFN8080 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: tape Power dissipation: 38W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| GPT65Z4YMR | MGT BRIGHTEK |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 80A Case: DFN8080 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tape Power dissipation: 67.5W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
UT8005B | MGT BRIGHTEK |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 6V; 12.5A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201 Capacitance: 15pF Mounting: SMD Case - inch: 0201 Case - mm: 0603 Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 12.5A Application: automotive industry Semiconductor structure: bidirectional Version: ESD |
на замовлення 11756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT8005B | MGT BRIGHTEK |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 6V; 12.5A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201 Capacitance: 15pF Mounting: SMD Case - inch: 0201 Case - mm: 0603 Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 12.5A Application: automotive industry Semiconductor structure: bidirectional Version: ESD кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 11756 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT817ZB | MGT BRIGHTEK |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 6V; 4A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201 Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 4A Semiconductor structure: bidirectional Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 0.18pF Version: ESD Case - mm: 0603 Case - inch: 0201 |
на замовлення 11275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT817ZB | MGT BRIGHTEK |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 6V; 4A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201 Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 4A Semiconductor structure: bidirectional Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Capacitance: 0.18pF Version: ESD Case - mm: 0603 Case - inch: 0201 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 11275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT8413A | MGT BRIGHTEK |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 5÷8.5V; 5A; DFN2510-10; Ch: 4; reel,tape; ESD Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Capacitance: 0.45pF Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 3.3V Number of channels: 4 Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 5...8.5V Application: automotive industry Case: DFN2510-10 Version: ESD |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UT8413A | MGT BRIGHTEK |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 5÷8.5V; 5A; DFN2510-10; Ch: 4; reel,tape; ESD Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Capacitance: 0.45pF Leakage current: 1µA Max. off-state voltage: 3.3V Number of channels: 4 Max. forward impulse current: 5A Breakdown voltage: 5...8.5V Application: automotive industry Case: DFN2510-10 Version: ESD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| UT848ZA | MGT BRIGHTEK | UT848ZA-MGT Protection diodes - arrays |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| AA36F |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AA36F-MGT Optocouplers - analog output
AA36F-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.44 грн |
| 5+ | 262.68 грн |
| 12+ | 248.35 грн |
| AA40F-5 |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AA40F-5-MGT Optocouplers - analog output
AA40F-5-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 772.56 грн |
| 4+ | 746.42 грн |
| AB30S |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AB30S-MGT Optocouplers - analog output
AB30S-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7025.63 грн |
| AB37S |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AB37S-MGT Optocouplers - analog output
AB37S-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.69 грн |
| 10+ | 124.23 грн |
| 26+ | 117.45 грн |
| AB38S |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AB38S-MGT Optocouplers - analog output
AB38S-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.35 грн |
| 6+ | 203.30 грн |
| 16+ | 192.66 грн |
| AB42S |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AB42S-MGT Optocouplers - analog output
AB42S-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.52 грн |
| 5+ | 233.94 грн |
| 14+ | 221.18 грн |
| AB45S |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AB45S-MGT Optocouplers - analog output
AB45S-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.52 грн |
| 9+ | 131.52 грн |
| 24+ | 124.35 грн |
| AB47S |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
AB47S-MGT Optocouplers - analog output
AB47S-MGT Optocouplers - analog output
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.20 грн |
| 6+ | 204.31 грн |
| 16+ | 193.16 грн |
| GPT65C0YME |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 31A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 38W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 31A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 38W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GPT65Z4YMR |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 80A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 67.5W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 80A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 67.5W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UT8005B |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 12.5A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Capacitance: 15pF
Mounting: SMD
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 12.5A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 12.5A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Capacitance: 15pF
Mounting: SMD
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 12.5A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 3.31 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 3.14 грн |
| UT8005B |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 12.5A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Capacitance: 15pF
Mounting: SMD
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 12.5A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
кількість в упаковці: 25 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 12.5A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Capacitance: 15pF
Mounting: SMD
Case - inch: 0201
Case - mm: 0603
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 12.5A
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Version: ESD
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.42 грн |
| 100+ | 4.12 грн |
| 500+ | 3.81 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| UT817ZB |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.18pF
Version: ESD
Case - mm: 0603
Case - inch: 0201
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.18pF
Version: ESD
Case - mm: 0603
Case - inch: 0201
на замовлення 11275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 7.56 грн |
| 100+ | 6.78 грн |
| 500+ | 6.53 грн |
| 1000+ | 6.37 грн |
| UT817ZB |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.18pF
Version: ESD
Case - mm: 0603
Case - inch: 0201
кількість в упаковці: 25 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; bidirectional; reel,tape; ESD; Case: 0201
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.18pF
Version: ESD
Case - mm: 0603
Case - inch: 0201
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 9.07 грн |
| 100+ | 8.44 грн |
| 500+ | 7.84 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| UT8413A |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5÷8.5V; 5A; DFN2510-10; Ch: 4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.45pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 4
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 5...8.5V
Application: automotive industry
Case: DFN2510-10
Version: ESD
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5÷8.5V; 5A; DFN2510-10; Ch: 4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.45pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 4
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 5...8.5V
Application: automotive industry
Case: DFN2510-10
Version: ESD
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 6.95 грн |
| 70+ | 6.13 грн |
| 100+ | 5.97 грн |
| 500+ | 5.73 грн |
| 1000+ | 5.49 грн |
| UT8413A |
![]() |
Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5÷8.5V; 5A; DFN2510-10; Ch: 4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.45pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 4
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 5...8.5V
Application: automotive industry
Case: DFN2510-10
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5÷8.5V; 5A; DFN2510-10; Ch: 4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.45pF
Leakage current: 1µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Number of channels: 4
Max. forward impulse current: 5A
Breakdown voltage: 5...8.5V
Application: automotive industry
Case: DFN2510-10
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 7.64 грн |
| 100+ | 7.16 грн |
| 500+ | 6.87 грн |
| 1000+ | 6.58 грн |
| UT848ZA |
Виробник: MGT BRIGHTEK
UT848ZA-MGT Protection diodes - arrays
UT848ZA-MGT Protection diodes - arrays
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.74 грн |
| 105+ | 11.33 грн |
| 280+ | 10.65 грн |



