Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
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MT41K256M16TW-107 AAT:P | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MTFC32GAZAQHD-AAT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: eMMC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 256GB MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: -ns Versorgungsspannung, nom.: -V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 153Pin(s) Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT41K64M16TW-107 AAT:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MTFC128GAZAQJP-AAT | MICRON |
Description: MICRON - MTFC128GAZAQJP-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 128 Gbit, Parallel, VFBGA, 152 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: eMMC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 128Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 152Pin(s) Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MTFC32GAZAQDW-AAT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: eMMC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: LBGA Speicherdichte: 32GB MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 100Pin(s) Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MTFC64GAZAQHD-AAT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: eMMC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 64GB usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 153Pin(s) Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E512M32D2FW-046 AAT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT53E512M32D2FW-046 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT42L16M32D1HE-18 AAT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT42L16M32D1HE-18 AAT:E - DRAM, Mobile LPDDR2, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT62F768M64D4EK-023 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: LPDDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 48Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: - Speicherkonfiguration: 768M x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT42L32M32D1HE-18 AAT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H32M16NF-25E AAT:H | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT62F2G32D4DS-026 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.05V Taktfrequenz, max.: 3.75GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABBFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT42L64M32D2HE-18 AAT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H64M16NF-25E AAT:M | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16TD-062E AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товару немає в наявності |
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MT29F8G01ADBFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT62F1G32D2DS-023 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABAFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F8G01ADAFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H64M16LFBF-5 IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16) SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H32M16LFBF-5 IT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V32M16CY-5B IT:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H128M8SH-25E:M | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V32M16CY-5B IT:J. | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H256M8EB-25E:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V64M8CY-5B:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H128M16LFDD-48 IT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 208MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M16D1DS-046 IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAH4-IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAH4:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAWP:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT41K256M16TW-107 AAT:P |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT41K256M16TW-107 AAT:P - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT41K256M16TW-107 AAT:P - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 541.34 грн |
10+ | 503.08 грн |
25+ | 467.26 грн |
50+ | 422.55 грн |
100+ | 378.88 грн |
250+ | 366.32 грн |
MTFC32GAZAQHD-AAT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MTFC32GAZAQHD-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 256 GB, 32G x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 256GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: -V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MTFC32GAZAQHD-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 256 GB, 32G x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 256GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: -V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1706.24 грн |
10+ | 1580.06 грн |
25+ | 1504.36 грн |
50+ | 1362.13 грн |
100+ | 1232.23 грн |
MT41K64M16TW-107 AAT:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 AAT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT41K64M16TW-107 AAT:J - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR3L
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 328.87 грн |
10+ | 300.38 грн |
25+ | 288.99 грн |
50+ | 265.32 грн |
100+ | 242.12 грн |
250+ | 235.14 грн |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3262.69 грн |
5+ | 3138.96 грн |
10+ | 3014.41 грн |
25+ | 2709.14 грн |
50+ | 2376.55 грн |
MTFC128GAZAQJP-AAT |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MTFC128GAZAQJP-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 128 Gbit, Parallel, VFBGA, 152 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 128Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 152Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MTFC128GAZAQJP-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 128 Gbit, Parallel, VFBGA, 152 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 128Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 152Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7237.67 грн |
5+ | 6332.46 грн |
10+ | 5247.33 грн |
25+ | 4368.34 грн |
MTFC32GAZAQDW-AAT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MTFC32GAZAQDW-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 32 GB, Parallel, LBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: LBGA
Speicherdichte: 32GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MTFC32GAZAQDW-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 32 GB, Parallel, LBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: LBGA
Speicherdichte: 32GB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1773.80 грн |
5+ | 1707.87 грн |
10+ | 1641.93 грн |
25+ | 1476.27 грн |
50+ | 1295.73 грн |
MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 328.06 грн |
10+ | 297.13 грн |
25+ | 289.80 грн |
50+ | 259.27 грн |
MTFC64GAZAQHD-AAT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MTFC64GAZAQHD-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 64 GB, Parallel, VFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 64GB
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MTFC64GAZAQHD-AAT - Flash-Speicher, eMMC-NAND, 64 GB, Parallel, VFBGA, 153 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: eMMC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 64GB
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 153Pin(s)
Produktpalette: 3.3V eMMC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2658.67 грн |
5+ | 2558.54 грн |
10+ | 2458.42 грн |
25+ | 2209.49 грн |
50+ | 1939.06 грн |
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 322.36 грн |
10+ | 310.97 грн |
25+ | 293.06 грн |
50+ | 254.74 грн |
100+ | 226.07 грн |
250+ | 221.19 грн |
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D2FW-046 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E512M32D2FW-046 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1527.96 грн |
5+ | 1493.77 грн |
10+ | 1459.58 грн |
25+ | 1345.50 грн |
50+ | 1223.86 грн |
MT42L16M32D1HE-18 AAT:E |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT42L16M32D1HE-18 AAT:E - DRAM, Mobile LPDDR2, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT42L16M32D1HE-18 AAT:E - DRAM, Mobile LPDDR2, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 337.83 грн |
10+ | 314.22 грн |
25+ | 299.57 грн |
50+ | 272.12 грн |
100+ | 242.12 грн |
250+ | 235.84 грн |
500+ | 233.05 грн |
MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 941.85 грн |
10+ | 873.47 грн |
25+ | 832.77 грн |
50+ | 754.39 грн |
100+ | 691.47 грн |
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F768M64D4EK-023 AAT:B - DRAM, LPDDR5, 48 Gbit, 768M x 64 Bit, FBGA
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 48Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: -
Speicherkonfiguration: 768M x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT62F768M64D4EK-023 AAT:B - DRAM, LPDDR5, 48 Gbit, 768M x 64 Bit, FBGA
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 48Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: -
Speicherkonfiguration: 768M x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4710.88 грн |
5+ | 4401.54 грн |
10+ | 4136.98 грн |
25+ | 3555.75 грн |
MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 941.85 грн |
10+ | 873.47 грн |
25+ | 832.77 грн |
50+ | 754.39 грн |
100+ | 682.40 грн |
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 556Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 556Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5861.12 грн |
5+ | 5503.76 грн |
10+ | 5223.73 грн |
25+ | 4528.59 грн |
MT42L32M32D1HE-18 AAT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT42L32M32D1HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 1 Gbit, 32M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT42L32M32D1HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 1 Gbit, 32M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 559.25 грн |
10+ | 519.36 грн |
25+ | 495.75 грн |
50+ | 449.00 грн |
100+ | 399.11 грн |
MT47H32M16NF-25E AAT:H |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 407.84 грн |
10+ | 379.34 грн |
25+ | 367.95 грн |
50+ | 334.11 грн |
100+ | 300.73 грн |
250+ | 290.96 грн |
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6156.62 грн |
5+ | 5918.11 грн |
10+ | 5679.59 грн |
25+ | 4845.31 грн |
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F2G32D4DS-026 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 3.75 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 3.75GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT62F2G32D4DS-026 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 3.75 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 3.75GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6759.83 грн |
5+ | 6315.36 грн |
10+ | 5935.20 грн |
25+ | 5102.32 грн |
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 481.10 грн |
10+ | 446.91 грн |
25+ | 426.56 грн |
50+ | 387.02 грн |
100+ | 343.99 грн |
250+ | 335.62 грн |
500+ | 328.64 грн |
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 319.11 грн |
10+ | 281.66 грн |
25+ | 271.89 грн |
50+ | 244.16 грн |
100+ | 217.00 грн |
250+ | 216.30 грн |
500+ | 208.63 грн |
1000+ | 189.79 грн |
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 470.52 грн |
10+ | 358.99 грн |
25+ | 341.90 грн |
50+ | 291.78 грн |
100+ | 258.17 грн |
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1338.29 грн |
10+ | 1240.60 грн |
25+ | 1201.53 грн |
50+ | 1000.81 грн |
100+ | 901.50 грн |
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 273.52 грн |
10+ | 254.80 грн |
25+ | 244.21 грн |
50+ | 204.09 грн |
100+ | 180.72 грн |
250+ | 176.53 грн |
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1344.80 грн |
10+ | 1232.46 грн |
25+ | 1169.78 грн |
50+ | 987.96 грн |
100+ | 854.05 грн |
MT42L64M32D2HE-18 AAT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT42L64M32D2HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT42L64M32D2HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1033.02 грн |
10+ | 958.94 грн |
25+ | 947.55 грн |
50+ | 838.29 грн |
100+ | 699.15 грн |
MT47H64M16NF-25E AAT:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 384.23 грн |
10+ | 342.71 грн |
25+ | 339.46 грн |
50+ | 312.94 грн |
100+ | 286.08 грн |
250+ | 279.10 грн |
500+ | 272.82 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1462.84 грн |
10+ | 1318.75 грн |
25+ | 1226.77 грн |
50+ | 1070.35 грн |
100+ | 955.22 грн |
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 305.27 грн |
10+ | 284.10 грн |
25+ | 271.89 грн |
50+ | 246.42 грн |
100+ | 219.09 грн |
250+ | 217.00 грн |
MT40A1G16TD-062E AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AAT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AAT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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од. на суму грн.
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F8G01ADBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 998.02 грн |
10+ | 919.87 грн |
25+ | 825.44 грн |
50+ | 727.93 грн |
100+ | 636.35 грн |
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3581.80 грн |
5+ | 3380.73 грн |
10+ | 3227.69 грн |
25+ | 2842.18 грн |
50+ | 2512.61 грн |
MT29F4G01ABAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 481.10 грн |
10+ | 446.91 грн |
25+ | 426.56 грн |
50+ | 387.02 грн |
100+ | 343.99 грн |
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 604.84 грн |
10+ | 494.94 грн |
25+ | 453.42 грн |
50+ | 403.65 грн |
100+ | 365.62 грн |
250+ | 358.64 грн |
500+ | 351.67 грн |
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 294.68 грн |
10+ | 265.38 грн |
25+ | 262.94 грн |
50+ | 241.89 грн |
100+ | 212.12 грн |
250+ | 210.02 грн |
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1059.07 грн |
10+ | 882.42 грн |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 565.76 грн |
10+ | 525.87 грн |
25+ | 502.27 грн |
50+ | 455.05 грн |
100+ | 404.00 грн |
250+ | 394.93 грн |
MT46H32M16LFBF-5 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 399.70 грн |
10+ | 372.02 грн |
25+ | 354.92 грн |
50+ | 322.01 грн |
100+ | 286.08 грн |
250+ | 279.10 грн |
500+ | 273.52 грн |
MT46V32M16CY-5B IT:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 596.69 грн |
10+ | 554.36 грн |
25+ | 537.27 грн |
50+ | 487.55 грн |
100+ | 420.74 грн |
250+ | 412.37 грн |
MT47H128M8SH-25E:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 290.61 грн |
10+ | 267.01 грн |
25+ | 264.56 грн |
50+ | 243.40 грн |
100+ | 216.30 грн |
250+ | 211.42 грн |
500+ | 207.23 грн |
MT46V32M16CY-5B IT:J. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 558.43 грн |
10+ | 538.08 грн |
25+ | 506.34 грн |
50+ | 461.85 грн |
100+ | 416.56 грн |
250+ | 405.39 грн |
MT47H256M8EB-25E:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 860.45 грн |
10+ | 797.76 грн |
25+ | 792.07 грн |
50+ | 730.20 грн |
100+ | 669.14 грн |
MT46V64M8CY-5B:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 542.15 грн |
10+ | 503.89 грн |
25+ | 489.24 грн |
50+ | 442.96 грн |
100+ | 399.11 грн |
250+ | 386.56 грн |
MT46H128M16LFDD-48 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 912.54 грн |
10+ | 847.42 грн |
25+ | 821.37 грн |
50+ | 743.80 грн |
100+ | 655.19 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1378.99 грн |
10+ | 1235.72 грн |
25+ | 1108.73 грн |
50+ | 875.33 грн |
100+ | 761.25 грн |
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1261.77 грн |
10+ | 1169.78 грн |
25+ | 1114.43 грн |
50+ | 928.24 грн |
100+ | 839.40 грн |
MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1178.74 грн |
10+ | 1090.82 грн |
25+ | 1076.17 грн |
50+ | 966.04 грн |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1745.31 грн |
10+ | 1454.70 грн |
25+ | 1396.09 грн |
50+ | 1271.42 грн |
100+ | 1150.59 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1991.15 грн |
5+ | 1307.36 грн |
10+ | 1254.44 грн |
25+ | 1142.92 грн |
50+ | 1034.07 грн |
100+ | 1013.14 грн |
250+ | 992.90 грн |
MT53D512M16D1DS-046 WT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 817.30 грн |
10+ | 730.20 грн |
25+ | 652.05 грн |
50+ | 589.60 грн |
100+ | 528.90 грн |
250+ | 512.85 грн |
MT53D512M16D1DS-046 IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 894.64 грн |
10+ | 794.51 грн |
25+ | 731.01 грн |
50+ | 666.70 грн |
100+ | 604.25 грн |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1390.39 грн |
10+ | 1158.39 грн |
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1100.59 грн |
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 338.64 грн |
10+ | 258.05 грн |
25+ | 246.66 грн |
50+ | 210.14 грн |
100+ | 186.30 грн |
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F |
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Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 282.47 грн |
10+ | 262.94 грн |
25+ | 249.91 грн |
50+ | 229.04 грн |
100+ | 203.74 грн |
250+ | 193.98 грн |
500+ | 187.00 грн |
1000+ | 175.14 грн |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 363.88 грн |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D |
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Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 388.30 грн |
10+ | 361.44 грн |
25+ | 345.16 грн |
50+ | 312.94 грн |
100+ | 278.40 грн |
MT29F4G08ABADAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 354.11 грн |
10+ | 326.43 грн |
25+ | 320.73 грн |
50+ | 290.27 грн |
100+ | 261.66 грн |
MT29F4G08ABADAWP:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 363.88 грн |
10+ | 318.29 грн |
25+ | 317.48 грн |
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 532.39 грн |
10+ | 434.70 грн |
25+ | 399.70 грн |
50+ | 356.03 грн |
100+ | 322.36 грн |
250+ | 316.08 грн |
500+ | 309.80 грн |