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Доступність |
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MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT42L64M32D2HE-18 AAT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H64M16NF-25E AAT:M | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Anzahl der Pins: 84Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 1Gbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 105°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16TD-062E AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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MT29F8G01ADBFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT62F1G32D2DS-023 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABAFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F8G01ADAFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H64M16LFBF-5 IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16) SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H32M16LFBF-5 IT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V32M16CY-5B IT:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H128M8SH-25E:M | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V32M16CY-5B IT:J. | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H256M8EB-25E:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V64M8CY-5B:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Anzahl der Pins: 60Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 512Mbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: 0°C Betriebstemperatur, max.: 70°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H128M16LFDD-48 IT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 208MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Anzahl der Pins: 200Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 8Gbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 95°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 2586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M16D1DS-046 IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAH4-IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAH4:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAWP:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAWP-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 50MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit Speichergröße: 4Gbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABBDAH4:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT60B1G16HC-56B:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.8GHz Betriebstemperatur, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 102Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAWP:E. | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount Flash-Speicher: SLC NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 0 MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: 3A991 Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAWP:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAH4-IT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991 Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAH4:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 22ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT25QU01GBBB8E12-0AUT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pins Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT25QU01GBBB8E12-0AAT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A2G8JC-062E:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A512M16LY-075:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 8Gbit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 750ps Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.333GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Taktfrequenz: 1.333GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16KD-062E:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A512M16LY-062E IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16KD-062E IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16RC-062E IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 16Gbit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 1.6GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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||||||||||||||||
![]() |
MT40A1G8SA-062E IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 477.01 грн |
10+ | 363.95 грн |
25+ | 346.62 грн |
50+ | 295.81 грн |
100+ | 261.73 грн |
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1465.70 грн |
10+ | 1358.42 грн |
25+ | 1315.50 грн |
50+ | 1072.87 грн |
100+ | 964.88 грн |
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 297.93 грн |
10+ | 260.79 грн |
25+ | 247.59 грн |
50+ | 216.87 грн |
100+ | 192.41 грн |
250+ | 186.04 грн |
500+ | 178.26 грн |
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1363.37 грн |
10+ | 1249.48 грн |
25+ | 1185.93 грн |
50+ | 1001.60 грн |
100+ | 865.84 грн |
MT42L64M32D2HE-18 AAT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT42L64M32D2HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT42L64M32D2HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1047.29 грн |
10+ | 972.18 грн |
25+ | 960.63 грн |
50+ | 849.87 грн |
100+ | 708.80 грн |
MT47H64M16NF-25E AAT:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 1Gbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 1Gbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 105°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 419.24 грн |
10+ | 359.00 грн |
25+ | 354.87 грн |
50+ | 324.93 грн |
100+ | 296.39 грн |
250+ | 286.49 грн |
500+ | 273.76 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1483.04 грн |
10+ | 1336.96 грн |
25+ | 1243.70 грн |
50+ | 1085.13 грн |
100+ | 968.41 грн |
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 309.48 грн |
10+ | 288.02 грн |
25+ | 275.64 грн |
50+ | 249.83 грн |
100+ | 222.12 грн |
250+ | 220.00 грн |
MT40A1G16TD-062E AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AAT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AAT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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В кошику
од. на суму грн.
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F8G01ADBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1011.80 грн |
10+ | 932.57 грн |
25+ | 836.84 грн |
50+ | 737.98 грн |
100+ | 645.14 грн |
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3631.25 грн |
5+ | 3427.40 грн |
10+ | 3272.25 грн |
25+ | 2881.42 грн |
50+ | 2547.30 грн |
MT29F4G01ABAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 504.25 грн |
10+ | 441.53 грн |
25+ | 439.88 грн |
50+ | 406.16 грн |
100+ | 358.64 грн |
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 613.19 грн |
10+ | 501.77 грн |
25+ | 459.68 грн |
50+ | 409.22 грн |
100+ | 370.67 грн |
250+ | 363.60 грн |
500+ | 356.52 грн |
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 298.75 грн |
10+ | 269.04 грн |
25+ | 266.57 грн |
50+ | 245.23 грн |
100+ | 215.05 грн |
250+ | 212.92 грн |
500+ | 205.14 грн |
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1073.69 грн |
10+ | 894.61 грн |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 593.38 грн |
10+ | 552.12 грн |
25+ | 511.68 грн |
50+ | 462.10 грн |
100+ | 414.53 грн |
250+ | 401.09 грн |
MT46H32M16LFBF-5 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 419.24 грн |
10+ | 364.78 грн |
25+ | 363.95 грн |
50+ | 337.19 грн |
100+ | 290.74 грн |
250+ | 286.49 грн |
500+ | 280.83 грн |
MT46V32M16CY-5B IT:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 609.88 грн |
10+ | 566.97 грн |
25+ | 549.64 грн |
50+ | 498.12 грн |
100+ | 422.31 грн |
250+ | 395.43 грн |
MT47H128M8SH-25E:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 316.91 грн |
10+ | 278.12 грн |
25+ | 276.47 грн |
50+ | 255.19 грн |
100+ | 225.66 грн |
250+ | 217.88 грн |
500+ | 213.63 грн |
MT46V32M16CY-5B IT:J. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 566.14 грн |
10+ | 545.51 грн |
25+ | 513.33 грн |
50+ | 468.23 грн |
100+ | 422.31 грн |
250+ | 410.99 грн |
MT47H256M8EB-25E:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 873.98 грн |
10+ | 859.95 грн |
25+ | 846.74 грн |
50+ | 773.23 грн |
100+ | 701.73 грн |
MT46V64M8CY-5B:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 512Mbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Betriebstemperatur, max.: 70°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 512Mbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Betriebstemperatur, max.: 70°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 569.45 грн |
10+ | 529.01 грн |
25+ | 512.50 грн |
50+ | 465.17 грн |
100+ | 410.28 грн |
250+ | 397.55 грн |
MT46H128M16LFDD-48 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 959.81 грн |
10+ | 865.72 грн |
25+ | 808.78 грн |
50+ | 732.62 грн |
100+ | 659.28 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1398.03 грн |
10+ | 1252.78 грн |
25+ | 1124.04 грн |
50+ | 887.42 грн |
100+ | 771.76 грн |
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 8Gbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 95°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
euEccn: NLR
Speicherdichte: 8Gbit
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 95°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1410.41 грн |
10+ | 1252.78 грн |
25+ | 1124.04 грн |
50+ | 887.42 грн |
100+ | 776.00 грн |
MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1162.00 грн |
10+ | 1076.17 грн |
25+ | 1061.32 грн |
50+ | 965.58 грн |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1769.41 грн |
10+ | 1474.78 грн |
25+ | 1415.36 грн |
50+ | 1288.98 грн |
100+ | 1166.48 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2018.64 грн |
5+ | 1325.41 грн |
10+ | 1271.76 грн |
25+ | 1158.70 грн |
50+ | 1048.35 грн |
100+ | 1027.12 грн |
250+ | 1006.61 грн |
MT53D512M16D1DS-046 WT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 828.59 грн |
10+ | 740.28 грн |
25+ | 661.05 грн |
50+ | 597.74 грн |
100+ | 536.20 грн |
250+ | 519.93 грн |
MT53D512M16D1DS-046 IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 906.99 грн |
10+ | 805.48 грн |
25+ | 741.11 грн |
50+ | 675.91 грн |
100+ | 612.60 грн |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1409.59 грн |
10+ | 1174.38 грн |
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1115.78 грн |
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 343.32 грн |
10+ | 261.62 грн |
25+ | 250.06 грн |
50+ | 213.04 грн |
100+ | 188.87 грн |
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
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Speicherdichte: 4Gbit
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Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
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Speicherdichte: 4Gbit
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 307.83 грн |
10+ | 257.49 грн |
25+ | 253.36 грн |
50+ | 231.43 грн |
100+ | 210.09 грн |
250+ | 203.02 грн |
500+ | 195.95 грн |
1000+ | 172.60 грн |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Zugriffszeit: 16ns
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Zugriffszeit: 16ns
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Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 368.90 грн |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
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Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
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Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 404.39 грн |
10+ | 376.33 грн |
25+ | 359.00 грн |
50+ | 325.69 грн |
100+ | 289.32 грн |
MT29F4G08ABADAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
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Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
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Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
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Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 258.31 грн |
10+ | 231.90 грн |
25+ | 230.25 грн |
50+ | 211.51 грн |
100+ | 190.99 грн |
250+ | 182.51 грн |
MT29F4G08ABADAWP:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
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rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 368.90 грн |
10+ | 322.69 грн |
25+ | 321.86 грн |
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 539.74 грн |
10+ | 440.70 грн |
25+ | 405.21 грн |
50+ | 360.94 грн |
100+ | 326.81 грн |
250+ | 320.45 грн |
500+ | 314.08 грн |
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 50MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit
Speichergröße: 4Gbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 50MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit
Speichergröße: 4Gbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 376.33 грн |
10+ | 306.18 грн |
25+ | 267.39 грн |
50+ | 247.53 грн |
100+ | 227.78 грн |
250+ | 220.00 грн |
MT29F4G08ABBDAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 368.90 грн |
10+ | 330.94 грн |
25+ | 311.96 грн |
50+ | 272.05 грн |
100+ | 245.46 грн |
250+ | 234.14 грн |
500+ | 226.36 грн |
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 534.78 грн |
10+ | 479.49 грн |
25+ | 473.71 грн |
50+ | 435.28 грн |
100+ | 396.84 грн |
250+ | 395.43 грн |
MT60B1G16HC-56B:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1614.26 грн |
10+ | 1470.66 грн |
25+ | 1379.88 грн |
50+ | 1074.40 грн |
100+ | 925.26 грн |
MT29F2G08ABAEAWP:E. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: SLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 0
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: SLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 0
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 295.45 грн |
10+ | 268.22 грн |
25+ | 261.62 грн |
50+ | 242.16 грн |
100+ | 200.19 грн |
250+ | 199.48 грн |
500+ | 193.12 грн |
MT29F2G08ABAEAWP:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 221.18 грн |
10+ | 177.44 грн |
25+ | 174.13 грн |
50+ | 158.63 грн |
100+ | 143.60 грн |
250+ | 139.36 грн |
500+ | 138.65 грн |
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 287.20 грн |
10+ | 245.93 грн |
25+ | 243.46 грн |
50+ | 223.77 грн |
100+ | 204.43 грн |
250+ | 198.78 грн |
500+ | 189.58 грн |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 146.90 грн |
10+ | 102.34 грн |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 283.07 грн |
10+ | 250.06 грн |
25+ | 248.41 грн |
50+ | 229.13 грн |
100+ | 202.31 грн |
250+ | 195.95 грн |
500+ | 190.99 грн |
1000+ | 186.04 грн |
MT29F2G08ABAEAH4:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 273.17 грн |
10+ | 233.56 грн |
25+ | 222.00 грн |
50+ | 195.42 грн |
100+ | 166.94 грн |
250+ | 166.24 грн |
500+ | 160.58 грн |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 371.38 грн |
10+ | 283.07 грн |
25+ | 269.87 грн |
50+ | 229.90 грн |
100+ | 203.73 грн |
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 128.74 грн |
10+ | 115.54 грн |
50+ | 113.06 грн |
100+ | 89.66 грн |
250+ | 82.06 грн |
MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1575.47 грн |
10+ | 1313.03 грн |
25+ | 1260.21 грн |
50+ | 1147.97 грн |
100+ | 1039.15 грн |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1888.25 грн |
10+ | 1573.82 грн |
25+ | 1510.27 грн |
50+ | 1375.57 грн |
100+ | 1245.00 грн |
MT40A2G8JC-062E:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1280.02 грн |
10+ | 1188.41 грн |
25+ | 1150.45 грн |
50+ | 908.11 грн |
100+ | 798.64 грн |
MT40A512M16LY-075:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 750ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Taktfrequenz: 1.333GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 750ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Taktfrequenz: 1.333GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 676.73 грн |
10+ | 573.57 грн |
25+ | 559.54 грн |
50+ | 466.70 грн |
100+ | 417.36 грн |
250+ | 396.84 грн |
MT40A1G16KD-062E:E |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1295.70 грн |
10+ | 1234.62 грн |
25+ | 1220.60 грн |
50+ | 999.30 грн |
100+ | 820.57 грн |
MT40A512M16LY-062E IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 831.06 грн |
10+ | 713.05 грн |
25+ | 698.19 грн |
50+ | 646.79 грн |
100+ | 535.49 грн |
250+ | 519.22 грн |
MT40A1G16KD-062E IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E IT:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E IT:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1875.05 грн |
10+ | 1744.65 грн |
25+ | 1629.94 грн |
50+ | 1236.10 грн |
100+ | 1102.11 грн |
MT40A1G16RC-062E IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16RC-062E IT:B - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 16Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 1.6GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: MICRON - MT40A1G16RC-062E IT:B - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 16Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 1.6GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1366.67 грн |
MT40A1G8SA-062E IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 761.74 грн |
10+ | 623.09 грн |