Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT47H32M16NF-25E AAT:H | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.05V Taktfrequenz, max.: 3.75GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT42L64M32D2HE-18 AAT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT47H64M16NF-25E AAT:M | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT40A1G16TD-062E AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G01ABAFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16) SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46H32M16LFBF-5 IT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46V32M16CY-5B IT:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT47H128M8SH-25E:M | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46V32M16CY-5B IT:J. | MICRON |
![]() tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT47H256M8EB-25E:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46V64M8CY-5B:J | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT46H128M16LFDD-48 IT:C | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 208MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53D512M16D1DS-046 WT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53D512M16D1DS-046 IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABADAH4:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABADAWP:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 50MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit Speichergröße: 4Gbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G08ABBDAH4:D | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT60B1G16HC-56B:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR5 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.8GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 102Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAWP:E. | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount Flash-Speicher: SLC NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 0 MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: 3A991 Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAWP:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85235110 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991 Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAEAH4:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 22ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AUT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT | MICRON |
![]() tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT40A2G8JC-062E:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
MT40A512M16LY-075:E | MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 8Gbit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 750ps Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.333GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Taktfrequenz: 1.333GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
MT47H32M16NF-25E AAT:H |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 398.16 грн |
10+ | 370.81 грн |
25+ | 359.71 грн |
50+ | 326.08 грн |
100+ | 293.67 грн |
250+ | 284.15 грн |
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7639.30 грн |
5+ | 7341.96 грн |
10+ | 7044.62 грн |
25+ | 6326.43 грн |
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F2G32D4DS-026 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 3.75 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 3.75GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT62F2G32D4DS-026 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 3.75 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.05V
Taktfrequenz, max.: 3.75GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11896.83 грн |
5+ | 11371.37 грн |
10+ | 10811.73 грн |
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 465.65 грн |
10+ | 433.19 грн |
25+ | 420.37 грн |
50+ | 384.00 грн |
100+ | 346.40 грн |
250+ | 333.22 грн |
500+ | 325.16 грн |
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 388.76 грн |
10+ | 352.87 грн |
25+ | 346.04 грн |
50+ | 302.28 грн |
100+ | 264.38 грн |
250+ | 262.91 грн |
500+ | 253.39 грн |
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 493.85 грн |
10+ | 376.80 грн |
25+ | 358.85 грн |
50+ | 306.25 грн |
100+ | 270.97 грн |
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B - DRAM, LPDDR4, 16GB, 512M x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2276.15 грн |
5+ | 2191.57 грн |
10+ | 2106.12 грн |
25+ | 1893.01 грн |
50+ | 1660.98 грн |
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 310.15 грн |
10+ | 288.79 грн |
25+ | 280.25 грн |
50+ | 253.88 грн |
100+ | 229.23 грн |
250+ | 221.90 грн |
MT53E256M32D2FW-046 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1631.93 грн |
10+ | 1518.29 грн |
25+ | 1486.68 грн |
50+ | 1355.89 грн |
100+ | 1173.96 грн |
MT42L64M32D2HE-18 AAT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT42L64M32D2HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT42L64M32D2HE-18 AAT:D - DRAM, Mobile LPDDR2, 2 Gbit, 64M x 32 Bit, 533 MHz, VFBGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1068.87 грн |
10+ | 986.85 грн |
25+ | 950.96 грн |
50+ | 866.37 грн |
100+ | 754.32 грн |
250+ | 727.23 грн |
MT47H64M16NF-25E AAT:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H64M16NF-25E AAT:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 389.61 грн |
10+ | 363.12 грн |
25+ | 352.02 грн |
50+ | 319.73 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1437.12 грн |
10+ | 1274.78 грн |
25+ | 1186.78 грн |
50+ | 1062.34 грн |
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 372.52 грн |
10+ | 346.89 грн |
25+ | 336.64 грн |
50+ | 304.66 грн |
100+ | 274.63 грн |
250+ | 265.84 грн |
MT40A1G16TD-062E AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AAT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AAT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4078.96 грн |
5+ | 3568.88 грн |
10+ | 2957.12 грн |
25+ | 2461.87 грн |
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F8G01ADBFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 920.20 грн |
10+ | 853.56 грн |
25+ | 827.07 грн |
50+ | 749.75 грн |
100+ | 674.50 грн |
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 4.266 GHz, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 4.266 GHz, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6661.85 грн |
5+ | 6359.39 грн |
10+ | 6041.55 грн |
25+ | 5409.28 грн |
MT29F4G01ABAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 504.96 грн |
10+ | 469.07 грн |
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 634.83 грн |
10+ | 519.48 грн |
25+ | 475.91 грн |
50+ | 423.67 грн |
100+ | 383.75 грн |
250+ | 376.43 грн |
500+ | 369.11 грн |
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 310.15 грн |
10+ | 288.79 грн |
25+ | 280.25 грн |
50+ | 253.88 грн |
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1111.59 грн |
10+ | 926.18 грн |
MT46H64M16LFBF-5 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 552.80 грн |
10+ | 514.36 грн |
25+ | 498.12 грн |
50+ | 451.43 грн |
100+ | 407.19 грн |
250+ | 394.01 грн |
MT46H32M16LFBF-5 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 389.61 грн |
10+ | 363.12 грн |
25+ | 352.02 грн |
50+ | 319.73 грн |
100+ | 287.81 грн |
MT46V32M16CY-5B IT:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 582.71 грн |
10+ | 541.70 грн |
25+ | 525.46 грн |
50+ | 476.03 грн |
100+ | 428.43 грн |
250+ | 414.51 грн |
MT47H128M8SH-25E:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 294.77 грн |
10+ | 275.12 грн |
25+ | 266.58 грн |
50+ | 241.98 грн |
100+ | 218.24 грн |
250+ | 210.92 грн |
500+ | 205.79 грн |
MT46V32M16CY-5B IT:J. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 586.13 грн |
10+ | 564.77 грн |
25+ | 531.44 грн |
50+ | 484.76 грн |
100+ | 437.21 грн |
250+ | 425.50 грн |
MT47H256M8EB-25E:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 862.96 грн |
10+ | 851.85 грн |
25+ | 841.60 грн |
50+ | 771.17 грн |
100+ | 702.33 грн |
MT46V64M8CY-5B:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 529.74 грн |
10+ | 492.14 грн |
25+ | 476.76 грн |
50+ | 432.39 грн |
100+ | 389.61 грн |
250+ | 377.16 грн |
MT46H128M16LFDD-48 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 892.01 грн |
10+ | 827.92 грн |
25+ | 802.29 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1280.76 грн |
10+ | 1187.63 грн |
25+ | 1068.87 грн |
50+ | 942.54 грн |
100+ | 834.15 грн |
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1285.04 грн |
10+ | 1191.05 грн |
25+ | 1134.66 грн |
50+ | 944.92 грн |
100+ | 854.66 грн |
MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 980.01 грн |
10+ | 950.11 грн |
25+ | 934.73 грн |
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1831.86 грн |
10+ | 1526.83 грн |
25+ | 1465.32 грн |
50+ | 1334.47 грн |
100+ | 1207.65 грн |
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1607.15 грн |
10+ | 1488.39 грн |
25+ | 1441.39 грн |
50+ | 1201.18 грн |
100+ | 1045.80 грн |
MT53D512M16D1DS-046 WT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 774.10 грн |
10+ | 718.56 грн |
25+ | 685.24 грн |
50+ | 621.22 грн |
100+ | 551.46 грн |
250+ | 539.01 грн |
MT53D512M16D1DS-046 IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 849.29 грн |
10+ | 788.62 грн |
25+ | 763.84 грн |
50+ | 692.62 грн |
MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1174.82 грн |
10+ | 1089.38 грн |
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1912.17 грн |
10+ | 1777.18 грн |
25+ | 1723.35 грн |
50+ | 1545.51 грн |
100+ | 1371.70 грн |
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 355.44 грн |
10+ | 270.85 грн |
25+ | 258.89 грн |
50+ | 220.56 грн |
100+ | 195.54 грн |
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 266.58 грн |
10+ | 248.63 грн |
25+ | 241.80 грн |
50+ | 218.18 грн |
100+ | 197.00 грн |
250+ | 191.14 грн |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 381.92 грн |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 376.80 грн |
10+ | 350.31 грн |
25+ | 340.06 грн |
50+ | 308.63 грн |
100+ | 277.56 грн |
MT29F4G08ABADAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 342.62 грн |
10+ | 319.55 грн |
25+ | 310.15 грн |
50+ | 280.86 грн |
100+ | 253.39 грн |
MT29F4G08ABADAWP:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 381.92 грн |
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 558.79 грн |
10+ | 456.26 грн |
25+ | 419.52 грн |
50+ | 373.68 грн |
100+ | 338.35 грн |
250+ | 331.76 грн |
500+ | 325.16 грн |
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 50MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit
Speichergröße: 4Gbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 50MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit
Speichergröße: 4Gbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 389.61 грн |
10+ | 316.99 грн |
25+ | 276.83 грн |
50+ | 256.26 грн |
100+ | 235.82 грн |
250+ | 227.76 грн |
MT29F4G08ABBDAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 344.33 грн |
10+ | 320.40 грн |
25+ | 311.01 грн |
50+ | 260.23 грн |
100+ | 233.62 грн |
250+ | 226.30 грн |
500+ | 221.17 грн |
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 472.49 грн |
10+ | 443.44 грн |
25+ | 434.04 грн |
50+ | 394.31 грн |
100+ | 346.40 грн |
250+ | 301.00 грн |
MT60B1G16HC-56B:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1558.45 грн |
10+ | 1449.94 грн |
25+ | 1420.03 грн |
50+ | 1294.80 грн |
100+ | 1121.23 грн |
MT29F2G08ABAEAWP:E. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: SLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 0
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: SLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 0
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 305.88 грн |
10+ | 277.68 грн |
25+ | 270.85 грн |
50+ | 250.71 грн |
100+ | 207.26 грн |
250+ | 206.52 грн |
500+ | 199.93 грн |
MT29F2G08ABAEAWP:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85235110
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 197.37 грн |
10+ | 183.70 грн |
25+ | 178.57 грн |
50+ | 161.85 грн |
100+ | 145.74 грн |
250+ | 141.34 грн |
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 268.29 грн |
10+ | 250.34 грн |
25+ | 242.65 грн |
50+ | 219.77 грн |
100+ | 197.74 грн |
250+ | 191.88 грн |
500+ | 183.09 грн |
1000+ | 178.69 грн |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 152.09 грн |
10+ | 105.95 грн |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 264.01 грн |
10+ | 246.07 грн |
25+ | 239.24 грн |
50+ | 216.59 грн |
100+ | 195.54 грн |
250+ | 188.95 грн |
500+ | 184.55 грн |
MT29F2G08ABAEAH4:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 237.53 грн |
10+ | 222.15 грн |
25+ | 215.31 грн |
50+ | 179.30 грн |
100+ | 161.85 грн |
250+ | 156.72 грн |
500+ | 153.06 грн |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 252.05 грн |
10+ | 232.40 грн |
25+ | 223.00 грн |
50+ | 204.69 грн |
100+ | 187.48 грн |
250+ | 180.89 грн |
500+ | 180.16 грн |
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 129.87 грн |
10+ | 122.18 грн |
50+ | 117.05 грн |
100+ | 98.38 грн |
250+ | 88.61 грн |
MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 997.10 грн |
10+ | 925.33 грн |
MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1954.89 грн |
10+ | 1629.36 грн |
25+ | 1563.57 грн |
50+ | 1424.12 грн |
100+ | 1288.94 грн |
MT40A2G8JC-062E:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MT40A512M16LY-075:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 750ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Taktfrequenz: 1.333GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 750ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Taktfrequenz: 1.333GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 700.62 грн |
10+ | 593.82 грн |
25+ | 579.29 грн |
50+ | 483.17 грн |
100+ | 432.09 грн |
250+ | 410.85 грн |